[发明专利]半导体装置、液晶显示装置及其制造方法

权利要求书

1．一种半导体装置，具有包含沟道区的薄膜场效应晶体管，其中包括：

基板；和

在上述基板上形成的、包含上述薄膜场效应晶体管的上述沟道区的薄膜场效应晶体管的半导体膜，

上述半导体膜具有通过除去上述半导体膜的表面层而得到的平整化的上表面。

2．如权利要求1所述的半导体装置，其中：

上述半导体膜的上部表面含有凸部；

从上述半导体膜的基本平坦的上表面上突出的上述凸部的突出高度比上述半导体膜的厚度小。

3．一种具有如权利要求1所述的半导体装置的液晶显示装置。

4．一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有包含沟道区的薄膜场效应晶体管，该方法包括：

在基板上形成非晶态半导体膜的工序；

通过对上述非晶态半导体膜进行热处理，形成包含作为上述沟道区的区域的晶体半导体膜的工序；以及

除去上述晶体半导体膜的表面层的工序。

5．如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述形成晶体半导体膜的工序，包含把上述半导体膜中的杂质浓缩或偏析到上述晶体半导体膜的表面层中的提纯工序。

6．如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，把所述非晶态半导体膜中的与所述基板邻接的区域的温度降到低于所述非晶态半导体膜的上表面层的温度。

7．如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，向上述半晶态半导体膜施加电场。

8．如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，向上述半晶态半导体膜施加磁场。

9．如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，向所述非晶态半导体膜施加离心力。

10．如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中：

上述提纯工序包括在对上述非晶态半导体膜热处理时，实施从把所述非晶态半导体膜中的与所述基板邻接的区域的温度降到低于所述非晶态半导体膜的上表面层的温度、向所述非晶态半导体膜施加电场、向所述非晶态半导体膜施加磁场、和向所述非晶态半导体膜施加离心力之中选出的至少两种方法。

11．如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其中：

包括通过先除去上述晶体半导体膜的表面层，接着用蚀刻部分去除上述晶体半导体膜，形成包含作为上述沟道区的区域且包含上述半导体膜的表面层的半导体膜部分的工序。

12．一种采用如权利要求4所述的半导体装置的制造方法的液晶显示装置的制造方法。

13．一种半导体装置的制造方法，该半导体装置具有包含沟道区的薄膜场效应晶体管，该方法包括：

在基板上形成非晶态半导体膜的工序；

在上述半晶态半导体膜上形成杂质吸收膜的工序；

通过在形成杂质吸收膜的状态下对上述非晶态半导体膜热处理，形成含有作为上述沟道区的区域的晶体半导体膜的工序；以及

去除所述杂质吸收膜的工序。

14．如权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中：

包括通过先除去上述晶体半导体膜的表面层，接着用蚀刻部分去除上述晶体半导体膜，形成包含作为上述沟道区的区域且包含上述半导体膜的表面层的半导体膜部分的工序。

15．一种采用如权利要求13所述的半导体装置的制造方法的液晶显示装置的制造方法。