[发明专利]在衬底上形成微图形的方法无效
申请号: | 00806300.1 | 申请日: | 2000-04-20 |
公开(公告)号: | CN1347518A | 公开(公告)日: | 2002-05-01 |
发明(设计)人: | 姜达荣;李弘熙 | 申请(专利权)人: | 米卢塔技术株式会社 |
主分类号: | G03F7/09 | 分类号: | G03F7/09;H01L21/027 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 刘兴鹏 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 衬底 形成 图形 方法 | ||
1、一种在衬底上形成微图形的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)将具有溶剂的聚合物材料涂敷在衬底上,从而在衬底上形成一个聚合物薄膜;
(b)通过应用预定的压缩工艺,将具有一预定形状的模型压入聚合物薄膜中,使得聚合物薄膜发生塑性变形,从而在聚合物薄膜上构造出图形;以及
(c)通过将图形化的聚合物薄膜用作蚀刻掩模,对衬底进行蚀刻,从而在衬底上形成一个微图形。
2、如权利要求1所述的方法,进一步包括以下步骤:
(b1)在所述步骤(b)之前,增加聚合物薄膜的自由体积,以便减小施加在聚合物材料上的、使聚合物薄膜发生塑性变形所需的压力。
3、如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤(c)中,所述蚀刻或者是等离子蚀刻或者是化学蚀刻。
4、如权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述步骤(b)之前,聚合物薄膜已经被制成具有孔状结构的薄膜。
5、如权利要求2所述的方法,其特征在于,所述步骤(b1)包括以下步骤:
(b11)将具有聚合物薄膜的衬底安装在一个包括一容器的反应器中,其中容器内具有溶剂;
(b12)在一预定温度范围内对容器进行加热,使得容器内的溶剂蒸发,从而使得蒸发的溶剂进入聚合物薄膜内;以及
(b13)对聚合物薄膜进行真空干燥或者敞开式干燥,从而增加聚合物薄膜内的自由体积。
6、如权利要求1所述的方法,其特征在于,在步骤(b)之前,进一步包括:
(b11)将具有聚合物薄膜的衬底安装在具有容器的反应器中,其中容器内具有溶剂;以及
(b12)在一预定温度范围内加热容器,使得容器内的溶剂蒸发,从而使得所蒸发的溶剂进入聚合物薄膜中,因此将进入的溶剂保留在聚合物薄膜中。
7、如权利要求2所述的方法,其特征在于,在所述步骤(b1)中,将溶剂直接喷洒到聚合物薄膜上以后,对聚合物薄膜进行或者真空干燥或者敞开式干燥,使得自由体积增加。
8、如权利要求1所述的方法,其特征在于,在低于聚合物材料的璃态转变温度下进行所述步骤(b)。
9、如权利要求8所述的方法,其特征在于,在大约10℃-30℃的温度范围内进行所述步骤(b)。
10、如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述溶剂为三氯乙烯。
11、一种在衬底上形成微图形的方法,所述方法包括以下步骤:
(a)将具有溶剂的聚合物材料涂敷在衬底上,从而在衬底上形成一个聚合物薄膜;
(b)应用预定的压缩工艺,将具有第一预定形状的第一模型压入衬底上的聚合物薄膜中,以便形成第一图形化聚合物薄膜,然后将具有第二预定形状的第二模型压入第一图形化聚合物薄膜中,从而形成一个图形化聚合物薄膜;以及
(c)通过将图形化的聚合物薄膜用作一个蚀刻掩模,在衬底上进行蚀刻,从而在衬底上形成一个微图形。
12、如权利要求11所述的方法,进一步包括以下步骤:
(b1)在所述步骤(b)之前,增加聚合物薄膜的自由体积,以便减小施加在聚合物材料上的、使聚合物薄膜发生塑性变形所需的压力。
13、如权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述步骤(c)中,所述蚀刻或者是等离子蚀刻或者是化学蚀刻。
14、如权利要求11所述的方法,其特征在于,在所述步骤(b)之前,聚合物薄膜已经被制成具有孔状结构的薄膜。
15、如权利要求12所述的方法,其特征在于,所述步骤(b1)包括以下步骤:
(b11)将具有聚合物薄膜的衬底安装在一个包括容器的反应器上,其中容器内具有溶剂;
(b12)在一预定温度范围内对容器进行加热,使得容器内的溶剂蒸发,从而使得蒸发的溶剂进入聚合物薄膜内;以及
(b13)对聚合物薄膜进行真空干燥或者敞开式干燥,从而增加聚合物薄膜的自由体积。
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