[发明专利]硅外延晶片及其制造方法

权利要求书

1  一种硅外延晶片，其特征在于：

系在由表面光泽度为95％以上之硅单晶所构成之化学蚀刻基片上，形成硅单晶薄膜。

2  一种硅外延晶片之制造方法，其特征在于：

在对被处理硅单晶基片进行化学蚀刻处理后所获得之化学蚀刻基片上，使表面光泽度为95％以上之硅单晶薄膜进行汽相生长。

3  如权利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，其中系藉前述化学蚀刻处理，使前述化学蚀刻基片之表面光泽度在95％以上。

4  如权利要求2或3所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述化学蚀刻处理系使用酸性蚀刻液加以进行，且以基片表面之粗度不随蚀刻时间变化、大致达一定值般设定其蚀刻时间。

5  如权利要求4所述之硅外延晶片之制造方法，其中在前述化学蚀刻处理中，前述被处理硅单晶基片为n型，对该被处理硅单晶基片之蚀刻量设定在60μm以上。

6  如权利要求4所述之硅外延晶片之制造方法，其中在前述化学蚀刻处理中，对前述被处理硅单晶基片之蚀刻量设定在70μm以上。

7  如权利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，其中在形成前述硅单晶薄膜之前述化学蚀刻基片主表面侧以支撑体加以支撑而进行前述化学蚀刻基片之背面侧的处理时，系使用介于前述化学蚀刻基片主表面与前述支撑体之间，阻止前述主表面与支撑体直接接触之接触阻止体。

8  如权利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接触阻止体之至少与前述主表面之接触部位，系使用由较硅单晶更为软质之材料构成者。

9  如权利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接触阻止体，系由较硅单晶更为软质之材料所构成之覆盖住前述主表面之覆盖层。

10  如权利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接触阻止体，系在支撑体上，阻止主表面与支撑体方面之直接接触，以抵接于化学蚀刻基片之外周面及/或是主表面外缘部之形态保持化学蚀刻基片者。

11  如权利要求7所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述接触阻止体系压缩气体，藉将该压缩气体吹向前述化学蚀刻基片主表面，以保持化学蚀刻基片。

12  如权利要求2所述之硅外延晶片之制造方法，该方法具有：

背面侧处理步骤，系使支撑体和形成前述硅单晶薄膜之前述化学蚀刻基片主表面接触并加以支撑，以进行前述化学蚀刻基片之背面侧的处理；

损伤除去步骤，系去除由于支撑体之接触而在主表面产生之损伤；以及

汽相生长步骤，系在前述化学蚀刻基片主表面上形成前述硅单晶薄膜。

13  如权利要求12所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述损伤除去步骤，系包含使用碱性蚀刻液之湿式蚀刻步骤。

14  如权利要求13所述之硅外延晶片之制造方法，其中作为前述碱性蚀刻液，系使用氢氧化四甲铵、联氨、乙二胺与苯二酚之混合物中任一种之水溶液。

15  如权利要求12～14中之任一项所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述损伤除去步骤中，前述化学蚀刻基片之蚀刻量系在0.5μm以上10μm以下。

16  如权利要求12～14中之任一项所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述损伤除去步骤中，前述化学蚀刻基片之蚀刻量系在1.5μm以上8μm以下。

17  如权利要求12～14中之任一项所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述损伤除去步骤中，包含有使用氯化氢气体之气相蚀刻步骤。

18  如权利要求17所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述损伤除去步骤中，系在进行前述湿式蚀刻步骤后，再进行前述气相蚀刻步骤。

19  如权利要求17所述之硅外延晶片之制造方法，其中之前述气相蚀刻步骤中，前述化学蚀刻基片之蚀刻量系在0.3μm以上5μm以下。

20  如权利要求12所述之硅外延晶片之制造方法，其中前述损伤除去步骤，系包含在氢气或是氮气环境中以1200℃～1300℃进行热处理之热处理步骤。