[发明专利]半导体装置无效
| 申请号： | 00129300.1 | 申请日： | 2000-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN1291066A | 公开（公告）日： | 2001-04-11 |
| 发明（设计）人： | 大川重明;大古田敏幸;大林义昭;安田护;佐伯真一;大泽周治 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社;星电株式会社 |
| 主分类号： | H04R19/04 | 分类号： | H04R19/04;H01L27/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 杨凯,叶恺东 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1．一种半导体装置，其中，在集成了电路元件的半导体衬底上形成了固定电极层，在上述固定电极层周围的半导体衬底上形成了安装与上述固定电极层成对地形成电容器的振动膜用的衬垫，其特征在于：
在包围上述固定电极层的上述半导体衬底上设置了虚设岛，
设置了对上述虚设岛施加固定电位的装置。
2．一种半导体装置，其中，在集成了电路元件的半导体衬底上形成了固定电极层，在上述固定电极层周围的半导体衬底上形成了安装与上述固定电极层成对地形成电容器的振动膜用的衬垫，其特征在于：
在上述固定电极层的周围配置上述电路元件，
形成遮光用的屏蔽金属，使其覆盖上述电路元件，
在上述屏蔽金属与上述固定电极层之间的上述半导体衬底上设置了虚设岛，
设置了对上述虚设岛施加固定电位的装置。
3．如权利要求1或2中所述的半导体装置，其特征在于：
上述固定电位为VCC电位。
4．一种半导体装置，其特征在于：
在一种导电型的半导体层上形成相反的导电型的外延层，构成半导体衬底，
用一种导电型的分离区分离上述外延层，形成多个岛，
在上述岛中形成电路元件，
在上述半导体衬底上形成构成电容器用的固定电极层，
在上述固定电极层周围的半导体衬底上形成了安装与上述固定电极层成对地形成电容器的振动膜用的衬垫，
在上述固定电极层周围的半导体衬底上设置了用上述分离区进行了分离的虚设岛，
设置了对上述虚设岛施加固定电位的装置。
5．如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：
上述固定电位为电源电位VCC。
6．如权利要求4中所述的半导体装置，其特征在于：
上述虚设岛所形成的PN结构成虚设的光二极管。
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