“ta3n5”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8183939个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]包含铌或钽缩合催化剂的烷氧基交联的橡胶混合物-CN201080006126.X有效
发明人： A·罗舍尔;H-J·埃贝勒;M·霍夫曼;U·沙姆 -专利权人：瓦克化学股份公司
申请日： 2010-01-26 - 公布日： 2011-12-28 - 主分类号： C08L83/04 文献下载
摘要：本发明提供烷氧基交联的橡胶混合物(M)，其包含通式(1)的化合物和具有通式(2)的端基的聚合物：M(OR1)n(OSiR23)5-n (1)，-SiR3a(OR4)3-a (2)，其中M为Nb或Ta，R1、R2、R3和R4为具有1-10个碳原子的烃基，n为1、2、3或4，以及a为0或1。
包含缩合催化剂烷氧基交联橡胶混合物

[发明专利]一种微波陶瓷材料及其制备方法-CN201710476940.1有效
发明人：周星星;马才兵;殷旺;吕开明 -专利权人：广东国华新材料科技股份有限公司
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2019-09-03 - 主分类号： H01B3/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种微波陶瓷材料，包括：式(Ⅰ)所示的固溶体和式(II)所示的氧化物；(BaZn_1/3Ta_2/3O₃)_1‑x·(BaRO₃)_x式(Ⅰ)；W_mO_n式(II)；其中，R选自Ti、Sn和Zr中的一种或多种；W选自V、Mn、Nb和Ta中的一种或多种；0.01≤x≤0.05；1≤m≤2，2≤n≤5。本发明提供的微波陶瓷材料包括(BaZn_1/3Ta_2/3O₃)_1‑x·(BaRO₃)_x的固溶体，再通过将W_mO_n氧化物掺杂混合制备得到的陶瓷材料品质因子Q值高，频率温度系数可调，制备要求的工艺条件低，损耗低，介电性能良好。
一种微波陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种3D打印球形钛合金粉的生产方法-CN201811538554.1在审
发明人：李坤;李家镜 -专利权人：上海大境海洋新材料有限公司
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： B22F9/14 文献下载
摘要：本发明涉及一种3D打印用球形钛粉的生产方法，其制备步骤为：(1)以Ti‑15Zr‑4Nb‑0.6Ta‑0.2Pd‑0.2N合金粉为原料，将Ti‑15Zr‑4Nb‑0.6Ta‑0.2Pd‑0.2N合金原料加入到等离子设备的送粉器中；(2)开启等离子体，并且设置等离子体的运行参数：保护气体为97slpm，中心气体为23slpm，氢气为17slpm；(3)打开送粉阀门，调整载气为5slpm，调整送粉速率为60g/min‑90g/min；(4)收集所得粉末，清洗球形粉末表面的纳米粉，得到球形Ti‑15Zr‑4Nb‑0.6Ta‑0.2Pd‑0.2N合金粉；本发明所得球形钛合金粉末球化率高，球形度好，适合批量生产。
一种打印球形钛合金生产方法

[发明专利]低压化学气相沉积Ta2O5的低漏电流薄膜的制作方法-CN96121896.7无效
发明人：孙喜;陈再富 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 1996-12-10 - 公布日： 1998-06-17 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：一种制作半导体存储器件的具有低漏电流特性的Ta2O5薄膜电容电介质的方法,该方法的步骤包括首先预备承载有一NH3氮化多晶硅电极层的一半导体硅基底,并在该电极层上沉积Ta2O5的一层薄膜。接着再于N2O气体中对该Ta2O5薄膜在大约800℃的温度下,持续大约30分钟而进行退火处理。此退火处理适合于在一炉管中以批次大量的方式进行处理,可获得低漏电流与可靠性的半导体存储电容电介质材料。
低压化学沉积 ta2o5 漏电薄膜制作方法

[发明专利]一种海洋用抗氢致开裂X80级管线钢及其制造方法-CN202111145706.3有效
发明人：张施琦;刘静;黄峰;葛锐;彭志贤 -专利权人：武汉科技大学
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：0.05～0.07％、Si：0.24～0.30％、Mn：1.75～1.95％、S：≤0.003％、P：≤0.005％、Cu：0.20～0.30％、Ni：0.25～0.30％、Mo：0.22～0.27％、Ta：0.03～0.06％、N：0.005～0.01％、余量为Fe；Ta和N的化学成分质量百分比符合6≤Ta/N≤9，本发明制造工艺包括：配料、冶炼和浇铸成坯‑铸坯再加热‑粗轧‑气雾冷却和缓慢冷却‑精轧‑卷曲；本发明通过添加适量Ta元素、控制Ta/N比以及粗轧后雾冷、缓冷工艺，使钢中形成弥散分布的碳化钽析出相，并细化粒状贝氏体基体和降低Σ3界面比例，实现兼具高强、高韧和优异氢致开裂抗力。
一种海洋用抗氢致开裂 x80 管线及其制造方法

[发明专利]光学玻璃、其精密模压及生产工艺、光学元件及其生产工艺-CN200710090053.7有效
发明人：林和孝;藤原康裕 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2007-03-23 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C03C3/155 文献下载
摘要：本发明公开了一种高折射率光学玻璃，它既具有适于精密模压的低温软化特性，又具有适于对预制件进行热成形的玻璃稳定性，所述光学玻璃包括质量比为13％到30％的B₂O₃、0.1％到4％的Li₂O、17％到35％的ZnO、15％到45％的La₂O₃、4％到15％但不含15％的Ta₂O₅、0到10％的ZrO₂、0到10％的Nb₂O₅且满足Ta₂O₅/(Ta₂O₅+ZrO₂+Nb₂O₅)＞0.3、0到20％的WO₃和0到1％的Sb₂O₃，并具有1.80到1.84的折射率(n_d)和40.0到45.0的阿贝数(ν_d)。
光学玻璃精密模压生产工艺光学元件及其

[发明专利]一种金属陶瓷及其制备方法-CN201110399349.3有效
发明人：吴冲浒;何旭东;文晓;肖满斗;程登峰;马丽丽;吴飞龙;肖伟 -专利权人：厦门钨业股份有限公司;厦门金鹭特种合金有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： C22C29/04 文献下载
摘要：本发明的金属陶瓷的各组分重量百分比为：Ti：30～50，W：3～30，Ta：1～15，Mo：1～25，Cr：0～5，V：0～5，Nb：0～10，Zr：0～5，Ni：0～24，Co：0～24，Fe：0～10，余量为C和N。本发明制备方法以(Ti，W，Ta，Mo，Me)(C，N)多元复式碳氮化物为原料，加入粘结金属后经过湿磨、干燥、掺入成型剂并压制成型后，脱除成型剂并烧结制备金属陶瓷，其中Me代表Cr、V、Nb、Zr、Mn
一种金属陶瓷及其制备方法

[发明专利]金属陶瓷-CN200980151187.2有效
发明人：博·扬松;珍妮·萨克里松;托马斯·佩尔松 -专利权人：山高刀具公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： C22C29/04 文献下载
摘要：本发明涉及包含Ti、Nb、Ta、W、C、N和Co的钛基碳氮化物合金。该合金包含7至21wt％的Co、14至20wt％的W、5至11wt％的Ta、2至7wt％的Nb和33至50wt％的Ti，因此总的N/C重量比为0.6至0.75，Ta/Nb的重量比为1.8至2.1，相对饱和磁化强度为
金属陶瓷

[外观设计]音箱（TA5-TA9）-CN202330232816.7有效
发明人：郑栋 -专利权人：郑栋
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： 14-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：音箱（TA5‑TA9）。2.本外观设计产品的用途：用于播放音频的音箱。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：设计1立体图1。5.指定设计1为基本设计。
音箱 ta5 ta9

[发明专利]一种用Ru缓冲层实现六角Mn₃Ga薄膜制备的方法-CN201711407729.0在审
发明人：徐锋;胡芳;徐桂舟 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供了一种用Ru缓冲层实现六角Mn3Ga薄膜制备的方法，即通过射频磁控溅射，在Si衬底上依次室温生长5nm Ta、30nm Ru和200nm Mn3Ga后，再进行550℃退火处理。本发明的制备工艺简单，使用价格相对低廉的Si衬底和Ta/Ru缓冲层，制备出的[002]型六角Mn3Ga在10～100K的较大温度范围内保持8nΩcm的拓扑霍尔电导率。
缓冲层六角薄膜制备衬底射频磁控溅射电导率退火处理制备工艺霍尔拓扑制备生长

[发明专利]显示装置用薄膜、偏光板及其制造方法、液晶显示装置-CN200780010817.5无效
发明人：川边里美;中村和明;R·山田;笠原健三;斋藤浩一;铃木隆嗣;中原一成 -专利权人：柯尼卡美能达精密光学株式会社
申请日： 2007-03-19 - 公布日： 2009-04-15 - 主分类号： G02B5/30 文献下载
摘要：本发明是关于特征为含有纤维素酯及下述通式(I)或通式(Ia)所表示的化合物的显示装置用薄膜，其中，通式(I)中，R₂～R₅各自相互独立地表示氢原子或取代基，还有，R₂与R₃、R₃与R₄、或R₄与R₅可互相键合后形成环，R₆表示氢原子或取代基，n表示1～4的整数，n为1时，R₁表示取代基，n为2～4时，R₁表示2～4价的连结基。此外，通式(Ia)中，n表示2～4的整数，m表示1～3的整数，R_1a及R_6a各自相互独立地表示氢原子或取代基，R_ta表示氢原子或取代基，还有，R_ta彼此可互相键合后形成环，R_ka表示2～4价的连结基。
显示装置薄膜偏光及其制造方法液晶

[发明专利]一种钛合金激光制备多物相增强镍基耐磨层的方法-CN202110526089.5在审
发明人：李嘉宁;张曌;叶志云 -专利权人：山东建筑大学
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： C23C24/10 文献下载
摘要：本发明涉及表面强化技术领域，公开了一种激光熔覆制备TA2钛合金耐磨涂层的方法。步骤如下：将质量分数（wt%）为86KF110‑10Si3N4‑1La2O3‑3Cu混合粉末用粘结剂预置于TA2钛合金表面，采用激光熔覆技术处理表面形成熔覆层，工艺参数：激光功率900 W，激光束扫描速率5～10 mm/s，光斑直径4.5本发明能够获得耐磨性良好且与TA2呈良好冶金结合的激光熔覆层。
一种钛合金激光制备多物相增强耐磨方法

[发明专利]水热法制备氮掺杂钽酸钠光催化剂粉体的方法-CN201110450280.2无效
发明人：谈国强;章薇 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2011-12-19 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： B01J23/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种水热法制备氮掺杂钽酸钠光催化剂粉体的方法，其以氧化钽(Ta2O5)、氢氧化钠(NaOH)、叠氮钠(NaN3)和水合肼(N2H4.H2O)为原料，加水配成溶液后，充分搅拌使Ta2O5、NaOHNaTaO3-N粉体以罗丹明B为降解物做光催化反应，在150min后降解率即可达到90％以上；本发明反应温度低，在160℃即可制备出NaTaO3-N粉体，且在紫外光的照射下有较好的光催化活性。
法制掺杂钽酸钠光催化剂方法

[发明专利]具有对可见光高效吸收的光催化剂及其制备方法和用途-CN202010641624.7在审
发明人：韦之栋;上官文峰;江治 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有对可见光高效吸收的光催化剂的制备方法，光催化剂包括Ta3N5，制备方法包括步骤：采用氨化‑煅烧两步法制得Ta3N5。
具有可见光高效吸收光催化剂及其制备方法用途

[发明专利]一种电厂发电机组用奥氏体耐热不锈钢的制备方法-CN201810322526.X在审
发明人：石英楠 -专利权人：石英楠
申请日： 2018-04-11 - 公布日： 2018-08-17 - 主分类号： C22C38/02 文献下载
摘要：该不锈钢以质量百分比计是由C：0.06～0.07、Si：0.10～0.2、Mn：2.10～2.50、S≤0.0020、P≤0.002、Al 0.01‑0.02、Ni：15～16、Cr：24～25、Nb：0.1～0.2、Ta：0.05～0.60、Nd：0.001～0.20、B：0.0002～0.0005、N：0.03～0.05，稀土Sc 0.02‑0.05、Mo 1.25‑1.5、Co 0.2‑0.3、Cu 1.8‑2.1，并且Ta+0.5Nd：0.050～0.70％，余量由铁和不可避免的杂质构成；最终奥氏体不锈钢产品中平均晶粒尺寸是10‑25微米，并且同时存在球形的富Cu相、Nb(C,N)、NbCrN、M23C6，其中富Cu相面积率约2‑3％且粒径范围在5‑10nm，Nb(C,N)、NbCrN面积率约3‑4％且粒径范围在20‑30nm。
不锈钢电厂发电机组奥氏体耐热面积率粒径制备奥氏体不锈钢质量百分比平均晶粒稀土