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[发明专利]一种PTCDI2-2Se化合物、其制备方法及其在钾离子电池中的应用-CN202210103154.8有效
发明人：夏建龙;刘行;王东雪;吴迪;王可可;王丽萍 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： C07D517/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种PTCDI2‑2Se化合物、其制备方法及其在钾离子电池中的应用。该PTCDI2‑2Se化合物，具有以下结构式：本发明基于PDI结构在不引入额外桥联单元的情况下，通过扩大相对分子量与引入额外的Se电活性位点设计出一种新的钾离子电池负极材料—PTCDI2‑2Se，该PTCDI2‑2Se化合物具有溶解度小、电子导电率高的优势；本发明通过该PTCDI2‑2Se化合物作为负极材料制备得到的钾离子电池呈现出优异的倍率性能、循环性能与能量密度。
一种 ptcdi2 se 化合物制备方法及其离子电池中的应用

[发明专利]一种USB从设备拔出检测电路-CN202210428939.2有效
发明人：丁锐;严宏波;林泽成;王祥 -专利权人：珠海海奇半导体有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F11/22 文献下载
摘要：一种USB从设备拔出检测电路，包括超时检测模块，检测超时信号的产生；SE0检测模块检测是否为SE0信号；挂起检测模块检测到挂起信号之后输出挂起信号给拔出检测控制模块；唤醒模块根据唤醒操作启动信号驱动从设备主动发起唤醒动作，如果主设备在线则所述主设备接管唤醒信号同时驱动SE0信号；拔出检测控制模块，接收挂起信号后，向唤醒模块发出唤醒操作启动信号，启动SE0检测模块进行SE0信号检测，如接收SE0检测结果为0则发出从设备拔出的中断信号
一种 usb 设备拔出检测电路

[发明专利]一种光伏半导体纳米晶及制备法和应用-CN201010505806.8无效
发明人：崔光磊;张中一;刘志宏;陈骁;张小影 -专利权人：中国科学院青岛生物能源与过程研究所
申请日： 2010-10-11 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： C30B29/46 文献下载
摘要：一种Cu(In，Al)Se2类光伏半导体纳米晶及制备方法和应用，通过溶剂热法将Cu、In、Al、S和Se的元素源在有机溶剂中合成Cu(In，Al)Se2类纳米颗粒，再进行提纯精制而得到；该方法为：1)Cu、In、Al元素源置于有机溶剂中混合，于惰性气体保护下反应，得到溶液A；2)溶液A升温，加入S元素源和Se元素源中的一种或两种进行反应；调整In/Al比或/和S/Se比调节其带隙宽度，使材料的带隙宽度与太阳光的光谱匹配本发明通过调整In/Al比或/和S/Se比，控制纳米颗粒的形状和尺寸来调节其带隙宽度，以使材料的带隙宽度更好地与太阳光的光谱匹配。
一种半导体纳米制备应用

[发明专利]一种掺硒的介孔二氧化硅抗菌材料及其制备方法-CN201811216202.4在审
发明人：倪似愚;崔冉;陈晶晶;魏媛媛;金熙;江浩 -专利权人：东华大学
申请日： 2018-10-18 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C01B33/18 文献下载
摘要：本发明的Se/MSNs，分散度好，颗粒尺寸均一，Se负载量可调控；由于Se/MSNs颗粒的分散性相比较于纯Se颗粒优势明显，因此其在抗菌方面有出色的效果，有望作为一种新型无毒无害型的抗菌材料。
介孔二氧化硅抗菌材料制备尺寸均一纳米粒子无毒无害分散度分散性负载量可调控抗菌孔道填充

[发明专利]一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池-CN202011436188.6在审
发明人：叶晓亚;曹芳;周思洁;邹帅;王栩生 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯阳光电力集团股份有限公司
申请日： 2020-12-07 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种SE电池碱刻蚀方法以及SE电池，所述方法依次包括背面去PSG、正面氧化、背面碱刻蚀和去除正面氧化层的步骤，所述正面氧化为在背面去PSG后的硅片正面覆盖酸液，而后在紫外灯管的照射下进行光催化氧化本发明的SE电池碱刻蚀方法可实现SE电池背面碱抛，同时保护正面开口区域，有效提升电池效率，无需额外的昂贵设备，操作简单，成本低。
一种 se 电池刻蚀方法以及

[发明专利]一种制备Cr7-CN202110684098.7在审
发明人：鲁子骞;龚元元;白雨情;徐桂舟;徐锋 -专利权人：南京理工大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C30B9/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种制备Cr7Se8单晶的方法，其特征在于，采用助熔剂法，以Ga为助熔剂，按Ga：Cr：Se摩尔比为98：2：2进行配料，于1100℃下保温一段时间，再以一定的速率冷却至730℃，制得Cr7Se8单晶。本发明解决了制备Cr7Se8单晶困难的问题。
一种制备 cr base sub

[发明专利]Sr₄Bi₆Se₁₃基超导材料及其制备方法-CN201410362616.3有效
发明人：黄富强 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-07-28 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种Sr4Bi6Se13基超导材料及其制备方法，所述Sr4Bi6Se13基超导材料在Sr位具有空穴和/或掺杂第一掺杂元素A、和/或在Bi位富Bi和/或掺杂第二掺杂元素Sb、和/或在Se位具有空穴以使其具有超导电性，所述Sr4Bi6Se13基超导材料组成化学式为Sr4-xAaBi6+ySbbSe13-z。
sr sub bi se 13 超导材料及其制备方法

[发明专利]一种Cu2Se光电材料的制备和用途-CN201610663955.4有效
发明人：薛绍林;冯涵阁;侯鑫;谢培;刘志远;高志勇;王悠雅;李羚玮 -专利权人：东华大学
申请日： 2016-08-12 - 公布日： 2018-02-23 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明提供了一种Cu2Se光电材料的制备和用途。所述的Cu2Se光电材料的制备方法，其特征在于，包括将含有铜源和硒源的混合溶液在170℃‑180℃下反应一段时间，冷却，分离所得沉淀，洗涤，干燥，得到Cu2Se光电材料；其中，所述的硒源为Na2SeO3本发明合成的Cu2Se光电材料对光照有较灵敏的反应，能用作光电转换材料。
一种 cu2se 光电材料制备用途

[发明专利]一种超快速制备高性能In4Se3基热电材料的方法-CN201510064769.4有效
发明人：唐新峰;杨东旺;周梦兰;苏贤礼;鄢永高 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-07-11 - 主分类号： C22C1/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种超快速制备In4Se3基热电材料的方法，首次采用微力诱导的方法激活In与Se的化学反应，从而快速制备In4Se3基化合物；再结合放电等离子体烧结技术，在20min内即可获得高致密度的In4Se3
一种快速制备性能 in4se3 热电材料方法

[发明专利]距离测量系统-CN202080070728.5在审
发明人： U·埃默林;F·普拉特纳;T·莱辛格;S·麦克尔 -专利权人：大陆汽车有限公司
申请日： 2020-10-07 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： G01S11/02 文献下载
摘要：第二收发器120被配置为确定第二收发器120与第一收发器110之间的时区关系Delta_SE2_SE1，并将该时区关系Delta_SE2_SE1发送到控制单元130。控制单元130被配置为接收该时区关系Delta_SE2_SE1，并使用该时区关系Delta_SE2_SE1来确定控制单元时区132与第一收发器110之间的时区关系Delta_ST_SE1。
距离测量系统

[发明专利]一种Sb2-CN202211048813.9在审
发明人：李建民;赵宇琪;王少荧;黎创;陈雪玲;肖旭东 -专利权人：武汉大学
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本申请涉及一种Sb2Se3薄膜的制备方法，包括如下步骤：将锑源、硒源和添加剂混合，得到沉积液；将所述沉积液进行水浴沉积，干燥后得到Sb2Se3前驱膜；将所述Sb2Se3前驱膜进行退火，得到Sb2Se3薄膜；所述硒源为硒代硫酸钠；所述添加剂为硫脲或者硒脲。本申请通过在沉积液中加入硫脲或者硒脲作为添加剂，添加剂能够调控Sb2Se3成核和沉积过程，减少Sb>2Se3薄膜，操作简单、设备价格低廉，有利于Sb2Se3
一种 sb base sub

[发明专利]有效控制组件以及控制方法-CN201780008072.2有效
发明人：罗兰德·奈曼 -专利权人：伊诺瓦半导体有限责任公司
申请日： 2017-01-26 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： H04L12/403 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有串联连接的控制单元(SE)的控制组件(A)及相应的控制方法，其可以提供特别有效率的数据传输，尤其是用于发光二极管控制单元。本发明还涉及使控制单元(SE)执行相应方法步骤的相应协议。所有控制单元(SE)都有两个通信伙伴，除了只有一个通信伙伴的最后一个控制单元外。串联连接的最后一个控制单元(SE)可以类似于串联连接的其他控制单元(SE)来设计。所有其他的控制单元(SE)则称为从控。根据本发明，控制单元(SE)通过通信线路在控制信号的传输的任何时候皆彼此成对地单向通信。将控制单元连接成对的数据线路节段显示为两个逻辑上分开的箭头。根据本发明，可以首先在向右的通信方向上使用每个单独的控制单元(SE)，并且如果控制信号已经到达右侧，则反转通信方向使得通信方向切换为到左侧。因此，所有的控制单元(SE)都被设计为在两个方向上进行通信，但是这总是以时间延迟的方式发生。
有效控制组件以及方法

[发明专利]具有至少一个从含Se层至含BeTe层的过渡层的Ⅱ－Ⅵ半导体器件及此过渡层的制备方法-CN98807030.8无效
发明人： F·菲舍尔;A·瓦尔格;T·巴隆;G·兰德维尔;T·利茨;G·罗伊舍尔;M·凯姆;U·策恩德;H·P·斯坦吕克;M·纳格斯特拉瑟尔;H·J·卢戈尔 -专利权人：西门子公司
申请日： 1998-07-09 - 公布日： 2000-08-09 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：Ⅱ－Ⅵ半导体器件,在此器件上在一个层序列内,至少有一个由含BeTe半导体层向含Se半导体层的过渡层,并且在含BeTe半导体和含Se半导体层之间的界面是这样制备的,即形成一个Be－Se构型。
具有至少一个 se 层至含 bete 过渡半导体器件制备方法

[发明专利]一种紫外-近红外宽波段光导探测器-CN202111271414.4在审
发明人：张云霄;李爱民;孙文宝 -专利权人：天津津航技术物理研究所
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0304 文献下载
摘要：包括：GaAs材料衬底层，Bi2Se3材料层，设置在所述GaAs材料衬底层的上表面；电极层，设置在所述Bi2Se3材料层的上表面；通过调节所述电极层所施加的电压，以使所述GaAs材料衬底层可探测近红外宽波段，所述Bi2Se3材料层可探测紫外波段。本申请具体地设计GaAs材料衬底层与Bi2Se3材料层，Bi2Se2Se3材料层可探测紫外波段，实现紫外‑近红外宽波段探测。
一种紫外红外波段探测器

[发明专利]基于形变应力导致In2Se3相变的铁电存储器件及其制备方法-CN202310253784.8在审
发明人：李调阳;王明;郝祥宇;吴宇晗 -专利权人：福州大学
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H10B51/30 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于形变应力导致In2Se3相变的铁电存储器件及其制备方法。二维铁电半导体三硒化二铟(In2Se3)采用化学气相沉积(CVD)法生长，通过将前驱体独立放置的方式制备高质量的β'‑In2Se3；基于周期性排列的多孔AAO模板制备表面凹凸不平的微结构阵列，采用水相转移技术将β'‑InSe3产生形变应力，导致In2Se3从β'相转变到α相，在交界处形成:Sub>2Se3异相同质结可提升器件的存储窗口和保持性，在存储领域具有很好的应用前景。
基于形变应力导致 in2se3 相变存储器件及其制备方法