[发明专利]一种超快速制备高性能In4Se3基热电材料的方法有效
| 申请号： | 201510064769.4 | 申请日： | 2015-02-09 |
| 公开（公告）号： | CN104630531B | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 唐新峰;杨东旺;周梦兰;苏贤礼;鄢永高 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | C22C1/05 | 分类号： | C22C1/05;C22C28/00 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 | 代理人： | 唐万荣,张秋燕 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超快速制备In4Se3基热电材料的方法，首次采用微力诱导的方法激活In与Se的化学反应，从而快速制备In4Se3基化合物；再结合放电等离子体烧结技术，在20min内即可获得高致密度的In4Se3基块体热电材料。该方法具有制备时间极短、工艺简单，对设备要求低，节能，性能优异，适合规模化生产等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 快速 制备 性能 in4se3 热电 材料 方法 | ||
【主权项】：
一种超快速制备In4Se3基热电材料的方法，其特征在于它以In4Se3基热电材料中各元素的化学计量比称取各单质粉末作为原料，采用微力诱导化学反应得到 In4Se3基热电材料粉体；所述微力诱导化学反应的条件为：研磨。
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