本实用新型公开了具有沟槽自对准P Plus掩蔽埋层的碳化硅SBD器件元胞结构,所述元胞结构的外延层包括n2 Epi区、P Plus epi区以及n1 Epi区,在所述n2 Epi区中设置有若干个均匀间隔的沟槽,所述沟槽的底部设置有将所述P Plus epi区隔离成自对准的肖特基区电场掩蔽层的N+区;所述沟槽的两侧设置有与掩埋P区相连的P+区,从而形成倒T型P Plus epi区;相邻的所述倒T型P Plus该新型倒T型p plus结构SBD器件能起到良好的肖特基区电场屏蔽保护作用,能实现较大的肖特基区面积与pplus区域面积的比例,增加单位面积的电流密度,同时有效保护肖特基接触区和增强器件的抗浪涌能力。