专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [实用新型]一种高性能嵌入式手持设备-CN202320235941.8有效
  • 郭兴;丁龙;肖炼;周松;曾乐业;赵乐华;黄卫;罗凯 - 长沙瑞腾信息技术有限公司
  • 2023-02-16 - 2023-07-14 - G06F13/38
  • 本实用新型公开了一种高性能嵌入式手持设备,包括手持电脑壳体,还包括飞腾E2000、4GB DDR4内存、SPI FLASH、M2插槽SPI/半高SSD NVNE、EC控制器、锂电池组、NandFlash 64GB、5G北斗模块、5G北斗天线以及SIM卡,5G北斗天线和SIM卡与5G北斗模块均电性连接,5G北斗模块与飞腾E2000电性连接,NandFlash 64GB、SPI FLASH、M2插槽SPI/半高SSD NVNE以及EC控制器与飞腾E2000均电性连接,锂电池组与EC控制器电性连接,本实用新型一种高性能嵌入式手持设备,通过搭载飞腾E2000,实现了更低的功耗,实现了单处理器直接输出主要的IO接口,采用国产EC控制器作为时序控制、通讯接口和电池管理,将PCIE信号连接5G北斗模块,实现无线通讯,内置M.2接口的PCIE可以扩展大容量存储或其它功能卡。
  • 一种性能嵌入式手持设备
  • [发明专利]聚乙烯粉末-CN201510778619.X有效
  • 桑田恒太郎 - 旭化成株式会社
  • 2015-11-13 - 2017-04-12 - C08J3/12
  • 一种聚烯烃粉末,其含有乙烯的均聚物或者乙烯与碳原子数3~15的α‑烯烃的共聚物,其中,所述聚烯烃粉末的粘均分子量为800,000~13,000,000,将所述聚烯烃粉末利用筛孔尺寸为250μm的筛网进行分级时的筛上粉末的粘均分子量(Mv250)与利用筛孔尺寸为75μm的筛网进行分级时的筛下粉末的粘均分子量(Mv75)之比(Mv75/Mv250)为0.7~1.4,将所述聚烯烃粉末利用筛孔尺寸为250μm的筛网进行分级时的筛上粉末的堆积密度(BD250)与利用筛孔尺寸为75μm的筛网进行分级时的筛下粉末的堆积密度(BD75)之比(BD75/BD250)为0.7~1.4,并且所述聚烯烃粉末的平均粒径为200μm以下。
  • 聚乙烯粉末
  • [实用新型]带4线E&M中继接口的软交换装置-CN201620566627.8有效
  • 步丰志;李文栋;牟维斌;顾作晓 - 烟台东方威智电子科技有限公司
  • 2016-06-13 - 2016-12-14 - H04M7/00
  • 带4线E&M中继接口的软交换装置,包括机箱,所述机箱内安装背板,背板上插接有主控板、电源板和媒体资源板,背板上还设置有一个或一个以上的4线E&M接口板插槽,4线E&M接口板插槽内插接4线E&M接口板;机箱的正面相对于4线E&M接口板插槽上下两端的位置设置有安装板,该安装板上设有螺孔;所述4线E&M接口板的前端设有面板,面板的上下两端设有螺钉,该螺钉配合机箱的安装板上的螺孔将4线E&M接口板固定在机箱上;4线E&M接口板的后端设有与4线E&M接口板插槽插接的插针端;该带4线E&M中继接口的软交换装置具有同时接入E&M中继用户和IP用户的功能
  • 中继接口交换装置
  • [发明专利]半导体装置-CN202011162186.2在审
  • 稻叶庆吾 - 丰田自动车株式会社
  • 2020-10-27 - 2021-04-30 - H01L23/495
  • 半导体装置(1)具备引线框(3)、与引线框(3)的搭载面(3a)接合的半导体元件(2)及覆盖半导体元件(2)的表面(2a)和搭载面(3a)中的半导体元件(2)的周围区域(3b)的密封树脂体(5),在周围区域以预定的间距并以包围半导体元件(2)的方式呈多个列地形成有圆形形状的多个凹部(20),当将在以包围半导体元件(2)的方式配置的多个列(C1~C3)中的至少最内周的列(C1)上排列的凹部(20)的间距(P)设为P[μm]、将其深度设为H[μm]、将密封树脂体(5)的弯曲弹性模量设为E[GPa]时,满足以下的式(1)和式(2),E[GPa]≤20[GPa]……(1)5≤86.4‑5.45×E[GPa]+0.164×P[μm]≤H[μm]……(2)。
  • 半导体装置

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