“m5e250”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4340670个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]用于导电糊组合物的铅-铋-碲无机反应体系-CN201510023721.9无效
发明人： L·王;C·郭;L·闫;W·张 -专利权人：赫劳斯贵金属北美康舍霍肯有限责任公司
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2015-08-26 - 主分类号： H01B1/22 文献下载
摘要：本发明涉及包含式(I)：Pb_a-Bi_b-Te_c-M_d-O_e的铅-铋-碲组合物的无机反应体系，其中0＜a、b、c和d≤1，a+b+c+d＝1，0≤d≤0.5，a:b为约5:95至约95:5，a:c为约10:90至约90:10，b:c为约5:95至约95:5，(a+b):c为约10:90至约90:10，e为足以使Pb、Bi、Te和M组分平衡的数，且M为一种或多种额外元素。
用于导电组合无机反应体系

[发明专利]一种透光防滑层的制备方法-CN201811010936.7在审
发明人：宋凯;刘甜甜 -专利权人：汉能移动能源控股集团有限公司
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2020-03-10 - 主分类号： B05D5/02 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：在衬底基体的待涂覆面上形成含有有机树脂和透明骨料混合物的混合涂层，其中，以透明骨料混合物的总重量为基准，透明骨料混合物包括5wt％～20wt％的粒径为50μm～100μm的第一骨料、30wt％～40wt％的粒径为100μm～250μm的第二骨料、20wt％～30wt％的粒径为250μm～350μm的第三骨料以及15wt％～25wt％的粒径为350μm～1000μm的第四骨料；对混合涂层进行固化以形成透光防滑模块
一种透光防滑制备方法

[发明专利]一种快速去除片状电触头冲制毛边的混合粉末及其使用方法-CN201310734376.0有效
发明人：李国伟;柏小平;黄文明;吴斌;刘隽义;孙启波;林万焕 -专利权人：福达合金材料股份有限公司
申请日： 2013-12-27 - 公布日： 2014-04-02 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种快速去除片状电触头冲制毛边的混合粉末及其使用方法，包括以下组分：三氧化二铁、氧化亚铁、氧化镁、氧化铝和氧化锆，其中三氧化二铁颗粒大小100μm~400μm、质量份数70~150份，氧化亚铁颗粒大小50μm~100μm、质量份数35~60份，氧化镁颗粒大小50μm~250μm、质量份数2~5份，氧化铝颗粒大小200μm~300μm、质量份数5~10份，氧化锆颗粒大小20μm~150μm、质量份数5
一种快速去除片状电触头冲制毛边混合粉末及其使用方法

[发明专利]一种加速RSA加解密的算法-CN200910183106.9在审
发明人：彭艳兵 -专利权人：彭艳兵
申请日： 2009-08-07 - 公布日： 2010-01-20 - 主分类号： H04L9/32 文献下载
摘要：本发明公开一种用于信息安全领域的RSA加解密加速算法，结合明文m、密文c的底数与指数e、d，及模数n三者的关系，利用中国剩余定理来极大地消减密指数e或d的运算次数。对于加密过程，使m^e％n分解为，其迭代过程中i≤k，m_0i－1，终止迭代的条件是e_i＝0，从而实现不同底数m时指数e分解加速；利用数m_i和n的比特长度比来加速T_i的求值he="24" />和的约束关系来使一种加速 rsa 解密算法

[发明专利]耐灼热丝的聚酰胺-CN201180065431.0有效
发明人： M·罗斯;K·尤斯克 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2011-12-15 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C08K5/3492 文献下载
摘要：0.5至10重量%的基于作为骨架结构的9,10-二氢-9-氧杂-10-磷杂菲氧化物（DOPO）的有机磷化合物，D)1至50重量%的纤维填料，其长径比（L/D）为4至25，并且其算术平均纤维长度为40至250μm，E)0至50重量%的其他添加剂，其中组分A)至E)的重量百分比的总和为100%。
灼热聚酰胺

[发明专利]E8a仿真器与M30626单片机连接电路-CN201210489999.1无效
发明人：冀青;陈维琨;刘猛;杨彬;高明璋;徐志山 -专利权人：中环天仪股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-03-13 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明涉及一种E8a仿真器与M30626单片机连接电路，它包括E8a仿真器，用户主板及中间连接电路，其中用户主板包括标准JTAG电路接口及单片机系统；单片机M30626的引脚P6_5与标准JTAG电路接口的引脚1连接；M30626单片机通过用户程序设置为单电源单芯片模式；电源VCC由用户系统提供，且VCC电压范围为2.7V~5.5V；所述电阻R0，R1，R2，R3，R4，R5，R6的阻值大于4.7KΩ；有益效果是，实现E8a仿真器与M30626单片机的相互通讯，使得用户可以将编译完成的程序通过E8a仿真器成功，方便的下载到M30626单片机中，以便对程序进行调试仿真或烧录。
e8a 仿真器 m30626 单片机连接电路

[实用新型]一种E8a仿真器与M30626单片机连接电路-CN201220635123.9有效
发明人：冀青;刘猛;陈维琨;杨彬;高明璋;徐志山 -专利权人：中环天仪股份有限公司
申请日： 2012-11-27 - 公布日： 2013-05-29 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种E8a仿真器与M30626单片机连接电路，它包括E8a仿真器，用户主板及中间连接电路，其中用户主板包括标准JTAG电路接口及单片机系统；单片机M30626的引脚P6_5与标准JTAG电路接口的引脚1连接；所述M30626单片机通过用户程序设置为单电源单芯片模式；电源VCC由用户系统提供，且VCC电压范围为2.7V~5.5V；电阻R0，R1，R2，R3，R4，R5，R6的阻值大于4.7KΩ；有益效果是，实现E8a仿真器与M30626单片机的相互通讯，使得用户可以将编译完成的程序通过E8a仿真器成功，方便的下载到M30626单片机中，以便对程序进行调试仿真或烧录。
一种 e8a 仿真器 m30626 单片机连接电路

[发明专利]一种用于改良退化雷竹林土壤的碱性基质肥及其应用方法-CN201810686790.1在审
发明人：邬奇峰;李松昊;张玮;吴健平;阮弋飞;祝小祥 -专利权人：杭州市临安区农林技术推广中心;杭州锦海农业科技有限公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2018-10-02 - 主分类号： C05G3/04 文献下载
摘要：具体涉及一种用于改良退化雷竹林土壤的碱性基质肥及其应用方法，其碱性基质肥采用以下步骤制备：步骤一：原料组成：牛粪、山核桃蒲壳、二氧化硅、白云石粉、缓释肥；步骤二：原料配比如下：按每立方质量配比为：牛粪250kg m‑3、山核桃蒲壳95kg m‑3、二氧化硅85kg m‑3、白云石粉65kg m‑3、缓释肥5kg m‑3；步骤三：将步骤二中的牛粪250kg m‑3、山核桃蒲壳95kg m‑3进行堆制发酵制成初级基质；步骤四：将步骤三中的初级基质，再加入步骤二中的二氧化硅85kg m‑3、白云石粉65kg m‑3、缓释肥5kg m‑3，搅拌混配形成成品碱性基质肥；它具有能快速改良酸化土壤、提升退化竹林地力，提高雷竹笋产量和品质等优点
碱性基质山核桃蒲壳竹林白云石粉二氧化硅牛粪退化缓释改良基质土壤堆制发酵酸化土壤原料配比原料组成质量配比混配竹笋制备应用

[发明专利]III-V族化合物半导体装置的制造方法-CN201880093229.0在审
发明人：中井荣治 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2018-05-24 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： H01L21/223 文献下载
摘要：一种III―V族化合物半导体装置(100)的制造方法，具备：第1工序，向设定为第1温度(T1)的反应炉(220)供给V族原料气体(250d)和杂质原料气体(250e)，在未掺杂的III―V族化合物半导体层中添加杂质；第2工序，停止上述杂质原料气体(250e)的供给，将上述反应炉(220)的温度升温至高于上述第1温度(T1)的第2温度(T2)，继续进行上述V族原料气体(250d)的供给。
iii 化合物半导体装置制造方法

[发明专利]杂配体发光络合物-CN201280070683.7无效
发明人： J-P.卡蒂纳特 -专利权人：索尔维公司
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2014-11-12 - 主分类号： C09K11/06 文献下载
摘要：在此披露了具有通式M(L1)n(L2)m的杂配体发光络合物，其中a)L1具有化学式E1-E2，其中E1是6元杂芳基环，该环由配价键而结合到该金属原子M上并且含有至少一个供体杂原子，并且E2是通过共价键或配价键而结合到该金属原子上的并且选自由取代的或未取代的C5-C30芳基和取代的或未取代的C2-C30杂芳基组成的组，b)配体L2选自下组，该组由以下各项组成：1-(2，6双取代的苯基)-2-苯基-1H-咪唑配体或者5-(2，6双取代的苯基)-1-苯基-1H-吡唑配体，并且c)M是原子序数为至少40的非放射性过渡金属，并且，m与n之和是等于金属M的键价的一半。
杂配体发光络合物

[发明专利]具有良好的吸声特性的导热材料-CN201910782283.2在审
发明人：多米尼克·克莱默;J·贝赫特姆;R·瓦格纳;S·森纳;G·弗雷;W·卡特吉;H·冯·德·缪伦;M·赫尔佐格;M·T·罗德里格斯·查尔斯 -专利权人：科德宝两合公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2020-03-03 - 主分类号： D06N7/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种导热材料，所述导热材料的流动阻力为60Pa*s/m至400Pa*s/m，更优选为100Pa*s/m至300Pa*s/m，还优选为120Pa*s/m至250Pa*s/m，所述导热材料具有纺织面料和含石墨的导热涂层，其中石墨占所述导热材料的总重量的份额为5重量％至50重量％。
具有良好吸声特性导热材料

[发明专利]含有SiN_x插入层的InN半导体器件的制备方法-CN201310237570.8无效
发明人：许晟瑞;曹荣涛;张进成;郝跃;陈兴;王学炜;徐文健 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2013-06-14 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了含有SiNx插入层的InN半导体器件的制备方法，步骤是：（1）将m面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中，通入氢气与氨气的混气，对衬底进行热处理；（2）在衬底上生长厚度为15-40nm，温度为600-800℃的低温AlN成核层；（3）在低温成核层上生长厚度为90-150nm，温度为1025-1200℃的高温AlN成核层；（4）在成核层之上生长厚度为1000-2500nm，镓源流量为5-80μmol/min，氨气流量为1000-10000sccm的m面GaN缓冲层；（5）在m面GaN之上用PECVD在200-250℃淀积3-9s的SiNx插入层；（6）在所述插入层之上生长厚度为3000-6000nm，镓源流量为90-250μmol/min，氨气流量为1000-3000sccm的m面GaN缓冲层；（7）之后再生长厚度为15-30nm，铟源流量为90-250μmol/min，氨气流量为1000-5000sccm
含有 sin sub 插入 inn 半导体器件制备方法

[发明专利]一种柑橘保鲜包装袋-CN201711123106.0在审
发明人：廖瑞娟;李东立;许文才;曹国荣;石佳子;付亚波;王纪刚 -专利权人：北京印刷学院
申请日： 2017-11-14 - 公布日： 2018-05-04 - 主分类号： B65D65/38 文献下载
摘要：采用高透湿薄膜D和高透氧、高透二氧化碳薄膜E拼接而成的；其中高透湿薄膜D和高透氧、高透二氧化碳薄膜E的面积比为20％‑50％D，50％‑80％E。本发明的高透湿薄膜D的WVTR50g/M2.day，OTR 104ml/M2.day.atm，高透氧、高透二氧化碳薄膜E的OTR105ml/M2.day.atm，WVTR5g/M2.day。
一种柑橘保鲜装袋

[发明专利]新的维生素E衍生物及其制备方法-CN91100036.4无效
发明人：广濑德康;浜村吉三郎;江间起一;中村哲也;稻井裕一;宫内子;中村隆晴;番场孝;川岛英敏;佐野贺敏;贵岛静正 -专利权人：卫材株式会社
申请日： 1991-01-05 - 公布日： 1991-07-17 - 主分类号： C07D307/83 文献下载
摘要：本发明涉及新的维生素E衍生物，具有优异的抗高脂血效果。所述新的维生素E衍生物如通式(I)所示，式中R表示烟酰基，m是2-5的整数，n是3-6的整数，条件是n大于m。
维生素衍生物及其制备方法

[实用新型]复合式手机蓄电充电器-CN201120511711.7有效
发明人：王祖峰;周玮;石岩 -专利权人：大连海洋大学
申请日： 2011-12-09 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型公开一种复合式手机蓄电充电器，有电源插头E1、E2，与电源插头E1、E2相接有手机充电器M4，与手机充电器M4串联有指示灯L4及相并联的电阻R5、开关S3，与相串联的手机充电器M4及指示灯L4并联有相串联的手机备用电池充电器M3及指示灯L3；与电源插头E1相接有双向开关S2，双向开关S2与相并联的电阻R4及可变电阻R3相接后通过相串联的指示灯L2、干电池M2与电源插头E2相接；与电源插头E1相接有双向开关S1，双向开关S1与相并联的电阻R2及电阻R1相接后通过相串联的指示灯L1、蓄电池M1与电源插头E2相接。
复合手机充电器