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- [发明专利]功率模块模组-CN201610797873.9在审
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吕怀明
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浙江海得新能源有限公司
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2016-08-31
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2017-01-11
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H02M7/00
- 本发明公开了功率模块模组,包括IGBT模块组、IGBT驱动板、IGBT模块组的散热器、连接IGBT模块的直流母排、IGBT模块并联的交流铜排、电容组、正、负母线铜排和中间绝缘层,IGBT模块、IGBT驱动板本发明涉及的功率模块模组可以降低IGBT模块的杂散电感,降低IGBT模块的关断过电压;IGBT模块可以布置在散热器两边,结构更加紧凑,提高了功率密度;交流铜排路径相同,IGBT均流更优,可靠性更高。
- 功率模块模组
- [实用新型]一种新型高压低损耗IGBT结构-CN202120802484.7有效
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张轩;朱东柏
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哈尔滨理工大学
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2021-04-20
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2021-10-29
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H01L29/739
- 本实用新型所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构,包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构,PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构,不仅改善了器件的导通特性与耐压特性,同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系,PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系
- 一种新型压低损耗igbt结构
- [实用新型]IGBT过流保护电路-CN202222050462.7有效
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甘健宏
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深圳艾为电气技术有限公司
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2022-08-04
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2022-12-23
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H03K17/081
- 本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路,包括IGBT1,其特征在于,还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本实用新型提供的IGBT过流保护电路,可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏;依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作,依据硬件电路进行关断IGBT,具有动作快速、准确、可靠的优点;由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化,导通压降比较低,因此即使流通IGBT的电流大幅度变化,导通电压的dv/dt也很小,因此电路不易受干扰。
- igbt保护电路
- [实用新型]IGBT过流保护电路-CN202222082348.2有效
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甘健宏
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深圳艾为电气技术有限公司
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2022-08-04
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2023-04-11
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H03K17/081
- 本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路,包括IGBT1,其特征在于,还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本实用新型提供的IGBT过流保护电路,可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏;依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作,依据硬件电路进行关断IGBT,具有动作快速、准确、可靠的优点;由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化,导通压降比较低,因此即使流通IGBT的电流大幅度变化,导通电压的dv/dt也很小,因此电路不易受干扰。
- igbt保护电路
- [发明专利]一种IGBT集电极过压双重保护的监控方法-CN201010231980.8有效
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李新峰;王帅;毛宏建
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美的集团有限公司
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2010-07-20
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2010-12-15
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H02H7/20
- 本发明是一种IGBT集电极过压双重保护的监控方法。包括IGBT集电极压双重保护电路,IGBT集电极压双重保护电路包括IGBT、微控制器、IGBT驱动电路、电阻R1、电阻R2,微控制器包括比较器CMP1、CMP2,第一IGBT控制电路、第二IGBT控制电路,比较器CMP1、CMP2的负输入端分别连接参考电压Vref1、Vref2,输出端分别连接第一IGBT控制电路、第二IGBT控制电路,其中比较器CMP1输出高电平时,通过第一IGBT控制电路的处理,微控制器产生中断处理程序INT1;所述比较器CMP2输出高电平时,通过第二IGBT控制电路的处理,IGBT关断,微控制器产生中断处理程序INT2。本发明能实现对IGBT集电极电压的实时监控,解决现有技术中对IGBT过压保护不及时、导致IGBT损坏的技术问题,提高电磁炉整机的安全可靠性能。
- 一种igbt集电极双重保护监控方法
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