专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]功率模块模组-CN201610797873.9在审
  • 吕怀明 - 浙江海得新能源有限公司
  • 2016-08-31 - 2017-01-11 - H02M7/00
  • 本发明公开了功率模块模组,包括IGBT模块组、IGBT驱动板、IGBT模块组的散热器、连接IGBT模块的直流母排、IGBT模块并联的交流铜排、电容组、正、负母线铜排和中间绝缘层,IGBT模块、IGBT驱动板本发明涉及的功率模块模组可以降低IGBT模块的杂散电感,降低IGBT模块的关断过电压;IGBT模块可以布置在散热器两边,结构更加紧凑,提高了功率密度;交流铜排路径相同,IGBT均流更优,可靠性更高。
  • 功率模块模组
  • [发明专利]一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法和电路-CN201710211737.1在审
  • 周雒维;王博;张益;孙鹏菊;罗全明 - 重庆大学
  • 2017-04-01 - 2017-07-11 - H02M1/08
  • 本发明涉及电力电子领域,特别是涉及IGBT的结温平滑方法。其技术方案是一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑方法通过改变IGBT关断轨迹,调节IGBT关断损耗,使IGBT的总损耗平衡,从而平滑IGBT结温波动。本发明提供一种基于调节IGBT关断轨迹的结温平滑电路在IGBT的充放电型RCD缓冲电路上增加一个辅助开关S,通过调节S的开通时间,改变IGBT关断轨迹。本发明通过平滑IGBT结温波动显著提高了IGBT的期望寿命,提高系统的可靠性;具有应用范围广、控制简单、控制独立,可以以模块化的方式安装应用等特点,适用于非平稳工况的变流器。
  • 一种基于调节igbt断轨平滑方法电路
  • [发明专利]RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法-CN202111121396.1在审
  • R·巴布尔斯克 - 英飞凌科技股份有限公司
  • 2021-09-24 - 2022-03-29 - H01L29/739
  • RC IGBT、生产RC IGBT的方法和控制半桥电路的方法。一种RC IGBT(1)包括具有IGBT区段(1‑21)和二极管区段(1‑22)的有源区(1‑2)。在RC IGBT(1)的多个控制沟槽(14、15)中,存在多个IGBT控制电极(141)和与IGBT控制电极(141)电绝缘的多个等离子体控制电极(151),IGBT控制电极(141)和等离子体控制电极(151)中的每个与RC IGBT(1)的两个负载端子(11、12)电隔离。IGBT区段(1‑21)包括IGBT控制电极(141)的第一子集和等离子体控制电极(151)的第一子集。二极管区段(1‑22)包括等离子体控制电极(151)的第二子集。
  • rcigbt生产方法控制电路
  • [发明专利]一种用于串联安装IGBT的安装架及IGBT串联安装方法-CN201510319238.5有效
  • 戴岳 - 华中科技大学
  • 2015-06-11 - 2017-06-20 - H01L23/13
  • 本发明公开了一种用于串联安装IGBT的安装架及IGBT串联安装方法,其中,用于串联安装IGBT的安装架为中空的正多边体,每个侧面均沿竖直方向开有两道长圆孔作为IGBT安装槽;IGBT固定于散热片上,散热片穿过长圆孔与固定夹板连接,由此安装在安装架上;IGBT之间通过连接导线串联连接;IGBT在各侧面的安装高度延顺时针或逆时针方向逐渐下降,呈螺旋形分布。采用本发明提供的安装架可灵活调整IGBT的对地安装高度,通过对IGBT对地安装高度的灵活配置,实现了串联IGBT对地杂散电容的灵活配置,优化了串联IGBT的均压特性,并实现了设备的紧凑安装。
  • 一种用于串联安装igbt方法
  • [实用新型]IGBT模块、动力系统和混合动力汽车-CN201720605326.6有效
  • 李俊 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2017-05-27 - 2018-01-12 - H01L25/07
  • 本实用新型涉及半导体技术领域,公开了一种IGBT模块、应用了该种IGBT模块的动力系统以及应用了该种动力系统的混合动力汽车。其中,动力系统,包括了驱动电机、电池以及IGBT模块;其中,IGBT模块分别与电池和驱动电机电连接,用于将电池所输出的直流电逆变为驱动电机所需的交流电。IGBT模块包括由多个IGBT开关管构成的第一IGBT组;由多个IGBT开关管构成的第二IGBT组;设置在第一IGBT组和第二IGBT组之间的散热器。
  • igbt模块动力系统混合汽车
  • [实用新型]一种IGBT驱动电路系统-CN201920539814.0有效
  • 王金刚 - 中国电子科技集团公司第五十八研究所
  • 2019-04-19 - 2020-05-15 - H02M1/092
  • 本实用新型公开一种IGBT驱动电路系统,属于电力电子器件领域。所述IGBT驱动电路系统包括IGBT驱动电压电路和光耦隔离驱动控制电路,其中,所述IGBT驱动电压电路用于产生正、负驱动电压;所述光耦隔离驱动控制电路用于隔离驱动IGBT,所述IGBT驱动电压电路为PWM控制器组成的反激电路;所述光耦隔离驱动控制电路包括光耦隔离电路和IGBT驱动电路。本实用新型提供的一种IGBT驱动电路模块中,所述IGBT驱动电压电路产生正、负驱动电压,可以实现IGBT的快速通断;所述IGBT采取光耦隔离驱动,适用范围广;电路采用模块化设计,电路简单。
  • 一种igbt驱动电路系统
  • [实用新型]一种新型高压低损耗IGBT结构-CN202120802484.7有效
  • 张轩;朱东柏 - 哈尔滨理工大学
  • 2021-04-20 - 2021-10-29 - H01L29/739
  • 本实用新型所涉及的是一种新型高压低损耗IGBT结构,此IGBT结构为集成PMOS的沟槽IGBT结构,包括集成PMOS的超级基区IGBT(PSBL IGBT)结构与集成PMOS的GGEE type IGBT(PGE IGBT)结构,PSBL IGBT结构是在SBL IGBT内部集成了PMOS结构,不仅改善了器件的导通特性与耐压特性,同时极大的改善了器件导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系,以及导通损耗Eon与续流二极管(FWD)反向恢复时的dVAK/dt折中关系,PGE IGBT结构是在GE IGBT内部集成了PMOS结构,其极大的改善器件的导通压降Vce(on)与关断损耗Eoff之间的折中关系
  • 一种新型压低损耗igbt结构
  • [实用新型]IGBT过流保护电路-CN202222050462.7有效
  • 甘健宏 - 深圳艾为电气技术有限公司
  • 2022-08-04 - 2022-12-23 - H03K17/081
  • 本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路,包括IGBT1,其特征在于,还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本实用新型提供的IGBT过流保护电路,可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏;依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作,依据硬件电路进行关断IGBT,具有动作快速、准确、可靠的优点;由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化,导通压降比较低,因此即使流通IGBT的电流大幅度变化,导通电压的dv/dt也很小,因此电路不易受干扰。
  • igbt保护电路
  • [实用新型]IGBT过流保护电路-CN202222082348.2有效
  • 甘健宏 - 深圳艾为电气技术有限公司
  • 2022-08-04 - 2023-04-11 - H03K17/081
  • 本实用新型涉及IGBT保护电路技术领域。所提供的IGBT过流保护电路,包括IGBT1,其特征在于,还包括电压检测电路、电压比较电路、参考电压发生电路、主控电路。本实用新型提供的IGBT过流保护电路,可通过实时检测IGBT的导通压降的大小来判断IGBT是否过流从而防止IGBT过流损坏;依据IGBT导通时电流与电压的变化特性进行限流动作,依据硬件电路进行关断IGBT,具有动作快速、准确、可靠的优点;由于IGBT的导通压降一般在0.7‑5V以内变化,导通压降比较低,因此即使流通IGBT的电流大幅度变化,导通电压的dv/dt也很小,因此电路不易受干扰。
  • igbt保护电路
  • [发明专利]一种IGBT集电极过压双重保护的监控方法-CN201010231980.8有效
  • 李新峰;王帅;毛宏建 - 美的集团有限公司
  • 2010-07-20 - 2010-12-15 - H02H7/20
  • 本发明是一种IGBT集电极过压双重保护的监控方法。包括IGBT集电极压双重保护电路,IGBT集电极压双重保护电路包括IGBT、微控制器、IGBT驱动电路、电阻R1、电阻R2,微控制器包括比较器CMP1、CMP2,第一IGBT控制电路、第二IGBT控制电路,比较器CMP1、CMP2的负输入端分别连接参考电压Vref1、Vref2,输出端分别连接第一IGBT控制电路、第二IGBT控制电路,其中比较器CMP1输出高电平时,通过第一IGBT控制电路的处理,微控制器产生中断处理程序INT1;所述比较器CMP2输出高电平时,通过第二IGBT控制电路的处理,IGBT关断,微控制器产生中断处理程序INT2。本发明能实现对IGBT集电极电压的实时监控,解决现有技术中对IGBT过压保护不及时、导致IGBT损坏的技术问题,提高电磁炉整机的安全可靠性能。
  • 一种igbt集电极双重保护监控方法

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