专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]IGBT模块、动力系统和混合动力汽车-CN201710388421.X有效
  • 李俊 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2017-05-27 - 2023-10-27 - H01L25/07
  • 本发明涉及半导体技术领域,公开了一种IGBT模块、应用了该种IGBT模块的动力系统以及应用了该种动力系统的混合动力汽车。其中,动力系统,包括了驱动电机、电池以及IGBT模块;其中,IGBT模块分别与电池和驱动电机电连接,用于将电池所输出的直流电逆变为驱动电机所需的交流电。IGBT模块包括由多个IGBT开关管构成的第一IGBT组;由多个IGBT开关管构成的第二IGBT组;设置在第一IGBT组和第二IGBT组之间的散热器。本发明有利于电动汽车的平台化设计和集成化设计,能够降低生产成本。
  • igbt模块动力系统混合汽车
  • [发明专利]IGBT模块及电器设备-CN202210121494.3在审
  • 项澹颐 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2022-02-09 - 2023-08-22 - H01L25/18
  • 本发明涉及模块封装技术领域,具体地涉及一种IGBT模块及包含上述IGBT模块的电器设备。本发明提供的IGBT模块包括一体式的外壳和封装于外壳内部的IGBT模块电路,IGBT模块电路包括:4个IGBT单元和2个钳位二极管,每个IGBT单元包括IGBT芯片和与IGBT芯片并联的续流二极管。本发明提供的IGBT模块将三电平型IGBT功率模块所需的电器元件设置在一个独立的封装中,IGBT模块内部元件排布结构紧凑,实现整体IGBT模块的小型化,也便于多个IGBT模块进行并联,以实现更大功率的输出。
  • igbt模块电器设备
  • [发明专利]功率半导体器件的分类系统和分类方法-CN201710564148.1有效
  • 陈嵩;李俊 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2017-07-12 - 2023-08-08 - B07C5/344
  • 本发明涉及半导体器件领域,特别涉及一种功率半导体器件的分类系统和分类方法。分类系统包括:分配模块,用于将功率半导体器件的性能参数分为N个区间,N为大于1的自然数;读取模块,用于读取功率半导体器件所附带的标签上记录的性能参数;读取模块和分配模块通信连接,分配模块在收到读取模块所给出的性能参数后,将功率半导体器件与该性能参数所属的区间相互关联。本发明的分类方法包括如下步骤:将功率半导体器件的性能参数分为N个区间,N为大于1的自然数;根据在功率半导体器件所附带的标签上记录的性能参数,将功率半导体器件与该性能参数所属的区间相互关联。本发明提高了分类区间之间的相关性和执行分类操作的效率。
  • 功率半导体器件分类系统方法
  • [实用新型]IGBT模块及电器设备-CN202220266946.2有效
  • 项澹颐 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2022-02-09 - 2022-06-21 - H01L25/18
  • 本实用新型涉及模块封装技术领域,具体地涉及一种IGBT模块及包含上述IGBT模块的电器设备。本实用新型提供的IGBT模块包括一体式的外壳和封装于外壳内部的IGBT模块电路,IGBT模块电路包括:4个IGBT单元和2个钳位二极管,每个IGBT单元包括IGBT芯片和与IGBT芯片并联的续流二极管。本实用新型提供的IGBT模块将三电平型IGBT功率模块所需的电器元件设置在一个独立的封装中,IGBT模块内部元件排布结构紧凑,实现整体IGBT模块的小型化,也便于多个IGBT模块进行并联,以实现更大功率的输出。
  • igbt模块电器设备
  • [实用新型]功率半导体模块和逆变器装置-CN201921871709.3有效
  • 李俊 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2019-11-01 - 2020-09-01 - G01R31/26
  • 本实用新型提供了一种功率半导体模块和逆变器装置,包括:功率半导体器件;饱和压降检测单元,与所述功率半导体器件电性连接,以用于检测所述功率半导体器件的饱和压降VCESAT;以及寿命提示单元,与所述饱和压降检测单元相连接,并能够根据所述饱和压降VCESAT发出提示信息,所述提示信息指示所述功率半导体器件的使用寿命,由于影响功率半导体器件寿命的主要原因是功率半导体器件材料结合部连接劣化,一般主要发生在绑定线与芯片结合处、芯片与DBC绝缘基板焊锡层、DBC绝缘基板与铜底板焊锡层,以上三处的连接劣化(松脱或剥离)都会导致连接处的电阻升高,进而导致饱和压降VCESAT的升高,通过对饱和压降VCESAT的检测,测算功率半导体器件的使用寿命。
  • 功率半导体模块逆变器装置
  • [实用新型]IGBT模块封装结构-CN201921868366.5有效
  • 项澹颐 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2019-11-01 - 2020-05-15 - H01L23/492
  • 本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构,包括:电性连接层,用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介;芯片层,固定设置于电性连接层;端子;以及导线,用于实现电路互连;芯片层和端子经电性连接层由导线电性连接,也即,连接于芯片层和端子之间的导线与电性连接层部分连接,和芯片层和端子经导线直接电性连接的连接方式相比,能够使芯片层产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板,这样就减少了导线传导至端子的热量,降低了端子的温度,有助于IGBT模块的正常工作,并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能,进而增加了IGBT模块的使用寿命,解决了因端子处的热量难于散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。
  • igbt模块封装结构
  • [实用新型]IGBT模块封装结构-CN201921868367.X有效
  • 陈嵩 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2019-11-01 - 2020-05-05 - H01L23/492
  • 本实用新型提供了一种IGBT模块封装结构,包括:电性连接层,用于为设置其上的导体元件与外部元件提供电性连接媒介;芯片,固定设置于电性连接层;端子;以及导线,用于实现电路互连;芯片和端子经电性连接层由导线电性连接,也即,连接于芯片和端子之间的导线与电性连接层部分连接,和芯片和端子经导线直接电性连接的连接方式相比,能够使芯片产生的热量至少部分经导线和电性连接层接触的区域传导至绝缘基板,这样就减少了导线传导至端子的热量,降低了端子的温度,有助于IGBT模块的正常工作,并减少了IGBT模块因过热而损毁的可能,进而增加了IGBT模块的使用寿命,解决了因端子处的热量很难散发而导致IGBT模块可能因过热而损坏的技术问题。
  • igbt模块封装结构
  • [发明专利]一种充电器及其控制方法-CN201610572490.1有效
  • 辻原弘 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2016-07-20 - 2019-09-06 - H02J7/00
  • 本发明涉及一种充电器及其控制方法,是在变频器内部设置自动电压调节器和自动电流调节器,当判断电池电压反馈值没有达到第一阈值时,自动电压调节器输出第一指令,驱使自动电流调节器输出达到或接近所允许的最大充电电流,来对电池充电进行控制;当判断电池电压反馈值达到第一阈值而没有达到电池电压设定值时,自动电压调节器输出第二指令,驱使自动电流调节器输出小于最大充电电流数值的充电电流,来对电池充电进行控制。本发明在充电器主体内追加自动电压调节器,有效消除了输出电压的误差。而在其各自判断电池电压反馈值超过电池电压设定值时,自动电压调节器或外部控制器可以分别控制电池停止充电,实现双重保护,更为安全。
  • 一种充电器及其控制方法
  • [发明专利]设有辅助硬币找零装置的硬币器和自动贩卖机及找零方法-CN201610163996.7有效
  • 齋藤大祐 - 富士电机(中国)有限公司
  • 2016-03-22 - 2019-05-24 - G07F9/04
  • 本发明涉及一种设有辅助硬币找零装置的硬币器,包含:硬币识别装置,与自动贩卖机的控制装置连接,对投入的硬币识别并将所收取的硬币总额发送至控制装置,控制装置计算需返还差额,并发送找零信号至硬币识别装置;硬币找零装置,根据与其连接的硬币识别装置发送的找零信号,自动排出相应差额的硬币;辅助硬币找零装置,设置在硬币找零装置的侧部,当硬币找零装置发生故障或零钱不足时,根据与其连接的硬币识别装置发送的辅助找零信号,自动排出相应差额的硬币。本发明还涉及一种设有硬币器的自动贩卖机及找零方法。本发明在原有硬币找零装置发生故障或零钱不足时,切换至辅助硬币找零装置以使自动贩卖机继续顺利贩售。
  • 设有辅助硬币找零装置自动贩卖方法

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