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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[外观设计]移动电源（C1017）-CN202030635617.7有效
发明人：宋心建 -专利权人：深圳市创智享数码科技有限公司
申请日： 2020-10-23 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：移动电源（C1017）。2.本外观设计产品的用途：用于给电子设备充电。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
移动电源 c1017

[发明专利]螺旋桨式风扇、流体输送装置、电风扇以及成形用模具-CN201410493885.3有效
发明人：公文由衣;大冢雅生 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-07-14 - 主分类号： F04D29/38 文献下载
摘要：外缘部(1015)具有前方外缘部(1017b)，其位于前缘部(1013)侧；后方外缘部(1017c)，其位于后缘部(1014)侧；以及连接部(1017a)，其将该前方外缘部(1017b)和后方外缘部(1017c在沿着中心轴(1020)俯视扇叶(1012A)的状态下，与前方外缘部(1017b)对应的部分的外缘部(1015)的最大半径R1max和与后方外缘部(1017c)对应的部分的外缘部(1015)的最大半径R2max
螺旋桨风扇流体输送装置电风扇以及成形模具

[发明专利]螺旋桨式风扇、流体输送装置、电风扇以及成形用模具-CN201610308690.6有效
发明人：公文由衣;大冢雅生 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： F04D25/08 文献下载
摘要：外缘部(1015)具有：前方外缘部(1017b)，其位于前缘部(1013)侧；后方外缘部(1017c)，其位于后缘部(1014)侧；以及连接部(1017a)，其将该前方外缘部(1017b)和后方外缘部(1017c)连接。在沿着中心轴(1020)俯视扇叶(1012A)的状态下，与前方外缘部(1017b)对应的部分的外缘部(1015)的最大半径R1_max和与后方外缘部(1017c)对应的部分的外缘部(
螺旋桨风扇流体输送装置电风扇以及成形模具

[发明专利]电风扇用螺旋桨式风扇和具备其的电风扇以及电风扇用螺旋桨式风扇的成形用模具-CN201380012245.X有效
发明人：公文由衣;大冢雅生 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2013-04-09 - 公布日： 2017-09-01 - 主分类号： F04D29/66 文献下载
摘要：外缘部(1015)具有前方外缘部(1017b)，其位于前缘部(1013)侧；后方外缘部(1017c)，其位于后缘部(1014)侧；以及连接部(1017a)，其将该前方外缘部(1017b)和后方外缘部(1017c在沿着中心轴(1020)俯视扇叶(1012A)的状态下，与前方外缘部(1017b)对应的部分的外缘部(1015)的最大半径R1max和与后方外缘部(1017c)对应的部分的外缘部(1015)的最大半径R2max
螺旋桨风扇流体输送装置电风扇以及成形模具

[发明专利]人源性高分化肝癌细胞株HL1017及其构建方法-CN201310161912.2有效
发明人：刘思德;燕群;李爱民;邓丽娟;王亚东 -专利权人：南方医科大学南方医院
申请日： 2013-05-06 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C12N5/09 文献下载
摘要：本发明公开了人源性高分化肝癌细胞株HL1017，其保藏号为CCTCC NO：C201357，具有肝脏最重要的合成、代谢、解毒功能。同时，本发明还公开人源性高分化肝癌细胞株HL1017的构建方法。
人源性高分化肝癌细胞株 hl1017 及其构建方法

[发明专利]基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED结构及其制作方法-CN201510510551.7有效
发明人：许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;牛牧童 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上N面黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm
基于蓝宝石衬底面黄光 led 材料及其制作方法

[发明专利]基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED结构及其制作方法-CN201510508696.3有效
发明人：许晟瑞;郝跃;任泽阳;张进成;李培咸;姜腾;蒋仁渊;张金风 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于c面蓝宝石衬底上Ga极性黄光LED材料及其制作方法。其生长步骤是1)对c面蓝宝石进行热处理；2)在热处理后衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～5×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～4×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层上生长厚度为5‑200nm的AlGaN阻挡层；5)在阻挡层上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm
基于蓝宝石衬底 ga 极性 led 材料及其制作方法

[发明专利]基于Si衬底上黄光LED材料及其制作方法-CN201510508133.4有效
发明人：郝跃;任泽阳;许晟瑞;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：其生长步骤是1)将Si衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，Si掺杂浓度为5×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～3×1019cm‑本发明具有工艺简单，成本低，发光效率高的优点，可用于制作c面GaN黄光发光二极管。
基于 si 衬底上黄光 led 材料及其制作方法

[外观设计]吊灯（1017C‑6）-CN201630500428.2有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-10-12 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： 26-05 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：吊灯（1017C‑6）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于吊灯。3．本外观设计产品的设计要点：形状和轮廓。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：仰视图。
吊灯 1017

[外观设计]床屏（1017C）-CN202230687930.4有效
发明人：邱海兵 -专利权人：邱海兵
申请日： 2022-10-18 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： 06-06 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：床屏（1017C）。2.本外观设计产品的用途：床屏。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
床屏 1017

[外观设计]粉饼盒（PA1017C）-CN201630280208.3有效
发明人： -专利权人：
申请日： 2016-06-27 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： 28-03 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：粉饼盒（PA1017C）。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于存放化妆粉饼及化妆工具。3．本外观设计产品的设计要点：产品的形状、图案及其结合。
粉饼 pa1017c

[外观设计]面盆龙头（F1017C）-CN201730383830.1有效
发明人：张国东 -专利权人：张国东
申请日： 2017-08-18 - 公布日： 2018-02-02 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称面盆龙头（F1017C）。2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于控制水流大小的开关。3．本外观设计产品的设计要点产品的形状。
面盆龙头 f1017c

[发明专利]基于γ面LiAlO2衬底上黄光LED材料及其制作方法-CN201510509240.9有效
发明人：许晟瑞;任泽阳;郝跃;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/32 文献下载
摘要：其生长步骤是1)将γ面LiAlO2衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为3×1017cm‑3～3×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～2×1019cm‑3的高温有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为2×1017cm‑3～3×1019cm‑3的高温
基于 lialo sub 衬底上黄光 led 材料及其制作方法

[发明专利]非Si掺杂无InGaN黄光LED材料及其制作方法-CN201510508722.2有效
发明人：许晟瑞;郝跃;任泽阳;李培咸;张进成;姜腾;蒋仁渊;马晓华 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2018-03-06 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：其生长步骤是1)将r面蓝宝石衬底置于MOCVD反应室中进行热处理；2)在热处理后的衬底上生长厚度为10‑200nm的低温成核层；3)在成核层之上生长厚度为0.2‑100μm，O掺杂浓度为2×1017cm‑3～2×1019cm‑3，C掺杂浓度为1×1017cm‑3～1×1019cm‑3的高温n型GaN有源层；4)在有源层之上生长厚度为0.01‑10μm，Mg掺杂浓度为1×1017cm‑3～5×1019cm
si 掺杂 ingan led 材料及其制作方法

[发明专利]集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术-CN201210560204.1有效
发明人：胡冬青;吴郁;贾云鹏;张惠惠 -专利权人：北京工业大学
申请日： 2012-12-20 - 公布日： 2013-07-24 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明涉及一种集电区碳注入内透明集电极IGBT制造技术，关键工艺为：P+单晶硅衬底上进行剂量在1×1015cm-2-1×1017cm-2范围、能量在20keV-1000keV范围的碳注入；在700-1100°C温度下、氩气或者真空气氛退火20-100分钟；外延缓冲层，第一步重掺杂外延，浓度在5×1017cm-3-5×1018cm-3范围，厚度在1-5微米范围，第二步轻掺杂外延，浓度在1×1016cm-3-1×1017cm-3范围，厚度在4-10微米范围；其后工艺与传统PT-IGBT相同。
集电区碳注入透明集电极 igbt 制造技术

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