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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法-CN201010027228.1无效
发明人：阚欢;魏芳;陈福成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2010-01-06 - 公布日： 2011-07-06 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的方法，所述Bipolar-CMOS工艺中，Bipolar有源区的设计尺寸远大于CMOS有源区的设计尺寸，对Bipolar有源区进行规则式光学临近修正本发明能够节省Bipolar-CMOS工艺中有源区光学临近修正的运算时间和运行成本。
用于 bipolar cmos 工艺有源光学临近修正方法

[发明专利]BiCMOS高速低功耗2分频器-CN200510030477.5无效
发明人：许永生;李勇;钱惠富;赖宗声 -专利权人：华东师范大学;上海惠丹高科技发展有限公司
申请日： 2005-10-13 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： H03K23/42 文献下载
摘要：一种BiCMOS高速低功耗2分频器，属于集成电路设计及信号处理的技术领域，由第一锁存器L1和第二锁存器L2组成，两锁存器是Bipolar器件和CMOS器件相结合的电路，两锁存器的Bipolar器件，即晶体管的有源负载是PMOS管，锁存器的Bipolar器件，即晶体管的恒流源是NMOS管，两锁存器的交叉耦合对是小偏置电流的偏置电路，旨在提高锁存器的工作速度，兼有Bipolar器件和CMOS器件的优点：工作频率高、功耗低和制备集成电路时占用的芯片面积小
bicmos 高速功耗分频器

[发明专利]BiCMOS对数放大器-CN200510026886.8无效
发明人：许永生;陶永刚;赖宗声;石春琦;金玮;俞惠;洪亮;李勇 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2005-06-17 - 公布日： 2006-02-01 - 主分类号： H03F3/00 文献下载
摘要：该放大器具有与已有的CMOS或Bipolar对数放大器相同的电路结构：由直流电平反馈电路、单端－差分转换电路、电流相加电路和电流－电压转换电路与五个单级限幅检波单元级联的模块组成，其特征在于，所述的单级限幅检波单元是由Bipolar电路与CMOS电路组成的单级限幅检波单元。该放大器结合了Bipolar电路和CMOS电路的特点，有结构简单，线性度好，功耗低，芯片占用面积少，RSSI的动态范围可调的优点。
bicmos 对数放大器

[发明专利]Bipolar电路的多层复合钝化层结构及其生成工艺方法-CN200910155108.7有效
发明人：刘琛;李小锋;吕艳欣;陈元金 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2009-12-01 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜结构包括淀积在硅基底表面的底层氧化硅薄膜层和淀积在该氧化硅薄膜层上的氮化硅薄膜层，所述的氧化硅薄膜层中掺有一定比例的磷烷，氧化硅薄膜层依次为不掺杂的二氧化硅层同时本发明还提供了Bipolar电路的多层复合钝化膜生成工艺方法，利用本发明实现的Bipolar电路的多层复合钝化膜结构具有抗划伤、抗潮湿、高致密度、低膜应力、较高的吸杂能力、较好的台阶覆盖能力，优良的光电性能
bipolar 电路多层复合钝化结构及其生成工艺方法

[发明专利]Bipolar电路的一种引线孔结构及制造方法-CN201110052595.1有效
发明人：李小锋;陈元金;杨彦涛;张佼佼 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司
申请日： 2011-03-02 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：Bipolar电路的引线孔结构制造方法为：(1)在设有极区的硅基底上形成底层氧化硅薄膜层；(2)在底层氧化硅薄膜层上淀积形成顶层氧化硅薄膜层；(3)在顶层氧化硅薄膜层上淀积氮化硅薄膜层；(4)对氮化硅薄膜的预刻蚀区域进行光刻本发明在1.5um工艺平台设备组基础上，制造出满足1.0～1.2um工艺平台的Bipolar电路的引线孔结构，且有效解决临近亚微米级工艺平台引线孔台阶金属覆盖问题。
bipolar 电路一种引线结构制造方法

[发明专利]高输入阻抗单端、低供电电压磁阻前置放大器电路-CN98123992.7无效
发明人：保罗·温欣·春;史蒂芬·阿兰·乔夫 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 1998-11-11 - 公布日： 1999-08-04 - 主分类号： H03F9/00 文献下载
摘要：使用以往的前置放大器,几乎所有都是低阻抗型的(使用BiCMOS或BiPolar技术),或差动的(使用BiPolar技术)。
输入阻抗供电电压磁阻前置放大器电路

[实用新型]采用Bipolar低压工艺实现的器件-CN201220184951.5有效
发明人：李小锋;韩健;张佼佼;王铎 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本实用新型提供一种采用Bipolar低压工艺实现的器件，通过在耐高压器件区域中形成轻掺杂区，轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度，地极引线朝向所述集电区的一侧超出所述轻掺杂区一定宽度，避免了器件在高压工作中大量电荷聚集于上隔离区顶角位置
采用 bipolar 低压工艺实现器件

[实用新型]Bipolar低压工艺中耐高压器件-CN201220184671.4有效
发明人：李小锋;韩健;张佼佼;王铎 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-10-31 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本实用新型提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，所述轻掺杂区朝向所述集电区的一侧超出所述上隔离区一定宽度
bipolar 低压工艺高压器件

[发明专利]Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法-CN201210127424.5有效
发明人：李小锋;韩健;张佼佼;王铎 -专利权人：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
申请日： 2012-04-26 - 公布日： 2012-08-01 - 主分类号： H01L29/70 文献下载
摘要：本发明提供一种Bipolar低压工艺中耐高压器件及其制造方法，通过在Bipolar低压工艺中耐高压器件中，在环绕所述集电区的上隔离区上形成掺杂浓度低的轻掺杂区，所述地极引线的宽度大于所述轻掺杂区的宽度，
bipolar 低压工艺高压器件及其制造方法

[发明专利]0.8微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺-CN200410053723.4有效
发明人：乔琼华;邵凯;龚大卫 -专利权人：上海先进半导体制造有限公司
申请日： 2004-08-13 - 公布日： 2006-02-15 - 主分类号： H01L21/8249 文献下载
摘要：再使用离子注入形成DP阱；采用LOCOS工艺形成多个隔离区域并形成有源区，隔离区域与形成的阱的位置相符；制作栅氧化层和电容器元件；其中，高压器件和低压器件的栅氧化层在同一次氧化步骤中完成；制作CMOS器件和Bipolar器件；其中，在具有DP阱的N阱上形成隔离NMOS器件和Bipolar NPN器件；制作金属层间连线和钝化层。
0.8 微米硅双极互补金属氧化物半导体集成电路制造工艺

[发明专利]一种全差分E类功率放大器-CN200910197849.1无效
发明人：陈磊;田亮;赖宗声;马和良;周进;黄爱波;王超;顾彬;阮颖;崔建明 -专利权人：华东师范大学
申请日： 2009-10-29 - 公布日： 2010-04-21 - 主分类号： H03F3/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种全差分E类功率放大器，该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路，即差分输入对是Bipolar器件，交叉耦合对是NMOS管，采用两级结构，第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行预处理
一种全差分功率放大器

[发明专利]与精神分裂症相关的电压门控离子通道基因及蛋白质-CN01822499.7无效
发明人： D·科恩;I·丘马科弗;A·－M·西蒙;H·阿布德雷希姆 -专利权人：塞罗诺遗传研究所股份有限公司
申请日： 2001-12-04 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： C12N15/12 文献下载
摘要：所述CanIon基因可用作治疗和诊断精神分裂症、双极情感障碍(bipolar disorder)和其它疾病和症状的生物靶标。
精神分裂症相关电压门控离子通道基因蛋白质

[外观设计]电机驱动模块-CN202030349309.8有效
发明人：张垚磊;庞荣桦;杨胜松 -专利权人：比亚迪半导体有限公司
申请日： 2020-07-01 - 公布日： 2021-02-26 - 主分类号： 14-99 文献下载
摘要：2.本外观设计产品的用途：车用IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管）模块，用于车辆电机驱动。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。
电机驱动模块

[发明专利]一种Bipolar工业基准电源芯片、电路以及电子设备-CN202310491760.6在审
发明人：张顺琳;池继富 -专利权人：上海芯稳微电子有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一种Bipolar工业基准电源芯片，通过将第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管、第九晶体、第十晶体管、第十一晶体管、第十二晶体管、第十三晶体管第二电阻、第三电阻、第四电阻、第五电阻、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第十电阻、第一电容以及第二电容巧妙设计为一种三端可调分流调节器，创造性地实现了：当第一晶体管的基极用于输入第一基准电压时，Bipolar
一种 bipolar 工业基准电源芯片电路以及电子设备

[发明专利]高压电平移位模块及栅极驱动电路-CN202111494764.7在审
发明人：沈超;陈冠峰;陈继辉;卜慧琴;单志清 -专利权人：华润微集成电路（无锡）有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H03K17/16 文献下载
摘要：采用了本发明的该高压电平移位模块及其相应的栅极驱动电路，充分利用bipolar制备工艺器件的特点和优势，在电路的功能实现上更为简洁，尤其是在高压电平移位部分的结构实现上，无需复杂的窄脉冲时序变换过程即可实现高压电平移位功能，电路整体所需器件个数显著减少，使得电路整体的可靠性，抗冲击、抗干扰特性更好，同时采用bipolar制备工艺，电路的芯片制备成本更低，具有良好的市场竞争力及广阔的市场前景。
高压电平移位模块栅极驱动电路

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