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[发明专利]一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法-CN201811484894.0在审
发明人：徐亚军;马小红;努力古·依明;张博;刘江滨 -专利权人：新疆众和股份有限公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明为一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法。一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料的制备方法，包括：(1)将超纯铝与高纯硅真空熔融，配置成硅含量为7‑13wt％的中间合金熔体；(2)将中间合金熔体铸造成中间合金；(3)将超纯铝与中间合金真空熔融，配置成硅含量为0.9‑1.1wt％的高纯铝硅合金熔体；(4)将高纯铝硅合金熔体在线精炼，得精炼后的高纯铝硅合金熔体；(5)将精炼后的高纯铝硅合金熔体在线过滤，得铝液；(6)将铝液进行棒材坯料铸造，得所述的高纯铝硅合金溅射靶材坯料本发明所述的一种高纯铝硅合金溅射靶材坯料及其制备方法，采用真空熔炼炉自配高纯铝硅中间合金后配制AL‑1wt％Si合金，通过铸造参数控制制备高纯净度、成分均匀且表面质量优异的铝硅合金靶材坯料。
高纯铝硅合金熔体溅射靶材中间合金坯料制备真空熔融超纯铝铝液精炼铸造真空熔炼炉靶材坯料棒材坯料参数控制高纯净度铝硅合金在线过滤在线精炼高纯硅配置合金配制

[发明专利]利用高硅含铝资源生产金属铝和多晶硅的方法-CN202110514374.5在审
发明人：赵中伟 -专利权人：郑州大学
申请日： 2021-05-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C25C3/06 文献下载
摘要：本发明属于铝冶金技术领域，具体涉及利用高硅含铝资源生产金属铝和多晶硅的方法。首先利用高硅含铝资源原料通过预处理工艺得到铝硅氧化料，然后在双室电解槽中通过熔盐电解法生产金属铝产物和富集了硅的铜铝硅合金，铜铝硅合金在单室电解槽中通过熔盐电解法生产铝硅合金或/和多晶硅，铝硅合金进一步通过物理法分离得到多晶硅本发明具有生产成本低、电解操作连续、产物品质高、清洁环保等特点。
利用高硅含铝资源生产金属多晶方法

[发明专利]间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺及其设备-CN201910768723.9在审
发明人：董秀奇;钟国平 -专利权人：惠州市华顺祥实业有限公司
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： C22C21/02 文献下载
摘要：本发明提供用硅粉间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的工艺，以铝液和硅粉为原料，其中硅粉占总量的22‑70％，间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料，将铝液和硅粉充分混合形成液态高硅铝合金或者将其冷却形成高硅铝合金半固态浆料其用硅粉间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料的设备，用于间断制备液态高硅铝合金或者高硅铝合金半固态浆料，包括进料组件、制浆机、保温炉、保温炉盖、输出管以及冷却装置，所述制浆机穿过保温炉盖伸入保温炉内，所述输出管一端伸入温炉内，所述冷却装置设置于保温炉底部，进料组件包括硅粉进料装置以及铝水进料装置，硅粉进料装置与铝水进料装置分别将硅粉与铝液加入保温炉内。
高硅铝合金硅粉半固态浆料制备进料装置保温炉铝液保温炉盖进料组件冷却装置输出管制浆机铝水伸入工艺及其设备充分混合炉内冷却穿过

[发明专利]一种非晶高硅铝镁材料及制备方法-CN202310322341.X在审
发明人：李自刚;李志强;彭从华;李安刚;李晓卫 -专利权人：河南竹林庆州耐火材料有限公司
申请日： 2023-03-29 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： C22C45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种非晶高硅铝镁材料及制备方法。所述非晶高硅铝镁材料包括：非晶高硅铝镁材料，所述非晶高硅铝镁材料由Mg、Cu、Ag、Gd、氧化镁细粉、氧化铝细粉和碳化硅颗粒加工构成；所述Mg、Cu、Ag、Gd的纯度均为99.99wt％的高纯度块状金属本发明提供的非晶高硅铝镁材料及制备方法通过引入碳化硅颗粒，可以大大提高非晶高硅铝镁材料的压缩应变和断裂强度，进而扩大了非晶高硅铝镁材料的应用性的优点。
一种非晶高硅铝镁材料制备方法

[发明专利]利用金属铝回收晶体硅切割废料制备高硅铝硅合金的方法-CN201910554254.0在审
发明人：伍继君;张雪峰;马文会;陈正杰;魏奎先;颜恒维;雷云;李绍元 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2019-06-25 - 公布日： 2019-09-24 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用金属铝回收晶体硅切割废料生产高硅铝硅合金的方法，将金属铝粒、晶体硅切割废料和助熔剂按一定比例混合，装入石墨坩埚并置于感应炉中进行高温熔炼，保温一段时间后以一定的冷却速度冷却至室温，将样品表面的渣从凝固后的合金样品中分离后，即可得到高硅铝硅合金，由于使用的原料是晶体硅切割废料和金属铝粒，制备的高硅铝硅合金中Fe、Cu、Mn、Ni等杂质含量远远低于硅铝合金杂质标准要求；本发明方法不仅成本低廉、高效且环境友好，解决了当前硅废料的综合回收难题，也能够利用硅废物直接生产高硅铝硅合金产品，为含硅废料的经济利用提供新途径。
高硅铝硅合金晶体硅切割废料金属铝回收金属铝粒硅废料制备高温熔炼硅铝合金合金样品环境友好经济利用石墨坩埚速度冷却样品表面杂质标准综合回收感应炉新途径助熔剂装入保温废物冷却凝固生产

[发明专利]高硅铝比CHA结构磷酸硅铝分子筛及其合成方法-CN201310129909.2有效
发明人：乔健;肖景娴;汪哲明;滕加伟;杨为民 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2013-04-16 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： C01B39/54 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅铝比CHA结构磷酸硅铝分子筛及其合成方法，主要解决CHA结构磷酸硅铝分子筛硅铝比低、用于甲醇制低碳烯烃反应活性较差、结焦速率快的问题，本发明通过一种高硅铝比CHA结构磷酸硅铝分子筛，其特征是CHA结构磷酸硅铝分子筛的硅铝原子比范围在10~25的技术方案，较好地解决了该问题，可用于甲醇制低碳烯烃的工业生产中。
高硅铝 cha 结构磷酸分子筛及其合成方法

[发明专利]一种渗铝硅料浆及制备涡轮叶片表面铝硅渗层的方法-CN201310574372.0有效
发明人：李廷辉;刘红斌;宋本县;黄辉;王文军;古宏博;单建红;杜艳 -专利权人：西安航空动力股份有限公司
申请日： 2013-11-15 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： C23C10/30 文献下载
摘要：本发明属于化学气相沉积技术，涉及一种渗铝硅料浆及制备涡轮叶片表面铝硅渗层的方法。本发明的高硅含量渗铝硅料浆由渗剂和粘结剂组成，渗剂为纯铝粉和金属硅粉，粘结剂为丙酮、乙酰丙酮和硝化纤维素。本发明制备涡轮叶片表面铝硅渗层的步骤是：配制渗铝硅料浆；涡轮叶片表面清理；涂覆渗铝硅料浆；渗铝硅料浆干燥；形成铝硅渗层；清理涡轮叶片；铝硅渗层扩散。本发明提出了一种高硅含量渗铝硅料浆及制备涡轮叶片表面铝硅渗层的方法，满足航空发动机研制的需要。
一种渗铝硅料浆制备涡轮叶片表面铝硅渗层方法

[发明专利]高铝硅玻璃管配方及高铝硅玻璃管的制作方法-CN202111485707.2在审
发明人：林杨;林源;胡旭峰 -专利权人：中氢国储（杭州）精密制造有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： C03C3/085 文献下载
摘要：本发明公开了一种高铝硅玻璃管配方及高铝硅玻璃管的制作方法，其中，所述高铝硅玻璃管配方包括：二氧化硅65‑70％，氧化铝16‑20％，氧化钠6‑8％，氧化钾2‑5％，氧化镁3‑7％。所述高铝硅玻璃管的制作方法，是指采用本发明高铝硅玻璃管原料配方，搅拌均匀后，经电熔炉1650度高温熔融，将所获得的玻璃溶液拉制成高铝硅玻璃管。本发明填补了国内玻璃制品市场高铝硅玻璃管的空白，破解了其它玻璃管硬度低，韧性差，抗高压能力弱，使用局限大，并且加工机械强度不高的难点和痛点问题。
高铝硅玻璃管配方制作方法

[发明专利]一种含钛高硅铝比丝光沸石的制备方法-CN201911078184.2有效
发明人：庄大为;张媛;项天宇 -专利权人：中国天辰工程有限公司
申请日： 2019-11-06 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： C01B39/26 文献下载
摘要：本发明提供了一种含钛高硅铝比丝光沸石的制备方法，本发明提供了一种含钛高硅铝比丝光沸石的制备方法，将氢型丝光沸石进行改性，获得含钛的、高硅铝比的丝光沸石。本发明通过改性将钛引入丝光沸石分子筛骨架中的同时提高分子筛的硅铝比，所得的含钛高硅铝比丝光沸石结晶度和纯度高，便于大规模工业生产。
一种含钛高硅铝丝光制备方法

[发明专利]一种后补铝合成高硅MWW分子筛的方法-CN200310115620.1无效
发明人：程谟杰;柳林;刘宪春;包信和 -专利权人：中国科学院大连化学物理研究所
申请日： 2003-11-10 - 公布日： 2005-05-18 - 主分类号： C01B39/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种后补铝合成高硅MWW结构分子筛的方法，首先通过对合成得到的MWW结构的硼硅分子筛在强酸条件下脱硼得到全硅MWW结构分子筛，然后对MWW结构的全硅分子筛进行后处理开层并且在开层的同时进行补铝得到任意高硅铝比的本合成方法突破了原有的直接合成的方法合成所能得到MCM－22分子筛的硅铝比范围较窄(Si/Al为10－15)的限制，可以得到超出原有合成方法限制的任意高硅铝比的高硅MWW分子筛。与其它合成高硅MWW分子筛的体系相比，本合成方法体系简单，合成的高硅MWW分子筛的硅铝比可以调节。
一种后补铝合成 mww 分子筛方法

[发明专利]真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法-CN200910094007.3无效
发明人：马文会;伍继君;周阳;杨斌;戴永年;余文轴;刘大春;秦博;魏奎先;梅向阳;汪竞福 -专利权人：昆明理工大学
申请日： 2009-01-05 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： C01B33/025 文献下载
摘要：本发明涉及一种真空碳热还原制备高纯硅及铝硅合金的方法，采用含二氧化硅和三氧化二铝物料为原料，各种不同的碳为还原剂。在真空炉内碳热还原得到金属铝、硅和二氧化硅的混合物，将所生成的金属铝、硅和二氧化硅的混合物与造渣剂进行混合，加热到1500℃以上，二氧化硅造渣去除，并得到熔融态的富含硅的铝硅合金，然后经过定向冷凝，得到高纯硅和铝硅合金获得的高纯硅纯度大于99.99wt％，铝硅合金中铝和硅的含量总和大于80wt％。工艺流程短、成本低、经济效益高。
真空还原制备高纯合金方法

[发明专利]一种原位自生铝硅梯度复合材料及其制备方法-CN201910842534.1有效
发明人：李发国;施东明;胡孝愿 -专利权人：湘潭大学
申请日： 2019-09-06 - 公布日： 2021-09-24 - 主分类号： C22C21/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种原位自生铝硅梯度复合材料及其制备方法。本发明所述的原位自生铝硅梯度复合材料是：硅含量自表面到芯部逐渐减少而形成的由外层过共晶高硅组织层逐渐过渡到内部共晶铝硅组织层或由外层过共晶高硅组织层过渡到共晶铝硅组织层再过渡到亚共晶铝硅组织层或由外层过共晶高硅组织层过渡到共晶铝硅组织层再过渡到亚共晶铝硅组织层最后芯部为纯铝层的梯度复合材料针对铝硅梯度复合材料中存在块状初晶硅及针状共晶硅的问题。本发明先在纯铝液中加入镧或铈变质剂，再与二氧化硅反应得到铝硅梯度复合材料，从而改善初晶硅及共晶硅形貌，最终得到圆头短棒状或圆头粒状的初晶硅及共晶硅。
一种原位自生梯度复合材料及其制备方法

[发明专利]一种分离硅及铝硅合金的方法-CN201510318445.9有效
发明人：余文轴;郑忠;田茂洪;陈红生;高小强 -专利权人：重庆大学
申请日： 2015-06-11 - 公布日： 2017-08-25 - 主分类号： C22B9/05 文献下载
摘要：本发明公开一种分离硅及铝硅合金的方法，将过共晶铝硅合金加热至熔化，然后对熔体采用从上到下的吹氩气或氮气搅拌处理，同时对熔体进行向下定向凝固处理，使熔体下部粘度高，上部粘度低，逐渐析出的固相硅颗粒在气流搅拌力的作用下，从上部粘度低的区域运动至下部粘度高的区域，在熔体下部逐渐富集成硅团，得到高纯硅，而上部保留的液相铝硅熔体通过冷却成形，得到铝硅合金锭。本发明方法工艺流程短、能耗低、生产成本低廉；采用本发明方法获得的铝硅合金中硅的含量在11.8%～12.6%之间，铁的含量小于0.5%，余量为铝，铝硅合金成分符合国家牌号标准；获得的高纯硅纯度高于99.999%
一种分离合金方法

[发明专利]一种高硅铝比Y分子筛的直接合成方法-CN202011091113.9有效
发明人：杨贺勤;井萌萌;高焕新 -专利权人：中国石油化工股份有限公司;中国石油化工股份有限公司上海石油化工研究院
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： C01B39/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种高硅铝比Y分子筛的直接合成方法。该方法包括：a)将、碱源R2、水、铝源、碱处理的硅源以及任选的添加剂R1混合，搅拌均匀后老化，得到硅铝氧化物溶胶；b)将步骤a)所得硅铝氧化物溶胶进行晶化，得到高硅铝比Y分子筛。该方法可以直接合成高硅铝比的Y分子筛，不需要有机模板剂，减少了对环境的污染，且该方法简单，产品的硅铝比易调控。
一种高硅铝分子筛直接合成方法

[发明专利]一种利用气相沉积生产铝硅中间合金的方法-CN202310450542.8在审
发明人：王志军;朱嘉琪;唐建民;王巍;刘强;孟旭;刘志彬;李晓冉;王东华;关淑平 -专利权人：承德天大钒业有限责任公司
申请日： 2023-04-24 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C22C1/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用气相沉积生产铝硅中间合金的方法。该方法通过加热蒸发铝液，并使铝蒸汽附着于晶体硅粉末表面，利用铝薄膜中硅元素扩散快的特性，使硅元素与铝初步合金化。处理后的晶体硅粉末再进行压制成型处理，并烧结制备铝硅中间合金。与熔炼法相比，该方法能够有效避免硅元素析出所导致的局部团聚偏析，也能够简化铝硅中间合金破碎加工流程，从而使制备的铝硅中间合金具有高纯净性、高均匀性和易加工的优点。
一种利用沉积生产中间合金方法

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