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[发明专利]一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法-CN202211512462.2在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;周文洪 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明属于一种半导体材料加工制备的技术领域，具体为一种碲镉汞外延材料的P型热处理方法。本发明在碲镉汞外延材料P型热处理的过程中同时提供碲蒸气、镉蒸气和汞蒸气，克服了现有技术碲镉汞外延材料P型热处理过程中不进行镉气氛保护导致的碲镉汞外延材料内外组分不均匀的技术缺陷，解决了传统碲镉汞外延材料热处理方式造成的碲镉汞材料表面原子层组分低的问题，在调整碲镉汞P型材料电学参数的同时，也能对碲镉汞材料表面提供碲蒸气和镉气氛保护。碲镉汞P型材料在液氮温度下的载流子浓度能得到有效地控制，可提高碲镉汞光伏器件的性能和制备良率，有利于降低生产成本，实现工业化批量生产。
一种碲镉汞外延材料热处理方法

[发明专利]一种碲镉汞材料的钝化方法-CN201810884274.X在审
发明人：王经纬 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-08-06 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明提供了一种碲镉汞材料的钝化方法，包括以下步骤：在分子束外延设备中得到碲镉汞材料之后，关闭除汞源以外的碲镉汞材料生长需要的源，升高碲镉汞材料的温度；当碲镉汞材料升高至碲化镉的单晶生长温度之后，打开碲化镉源，关闭汞源，在碲镉汞材料上生长碲化镉钝化膜层。本发明在碲镉汞生长完成后直接在生长碲镉汞的分子束外延设备中进行钝化，避免了由于材料表面沾污引起的表面漏电，进而提升了探测器的性能，同时，本方法获得的碲化镉钝化膜层为质量更好的单晶材料，可以与碲镉汞吸收层形成更好的互扩散层
碲镉汞材料碲化镉碲镉汞钝化分子束外延设备生长漏电钝化膜层升高红外探测器单晶材料单晶生长扩散层吸收层探测器除汞汞源减小沾污

[发明专利]一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法-CN201110355312.0有效
发明人：仇光寅;魏彦锋;陈倩男;孙权志;孙瑞赟 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2011-11-10 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01R31/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除碲镉汞界面层的霍尔样品制备方法。其方法是：使用特定腐蚀剂，对碲镉汞外延层下方的碲锌镉衬底进行腐蚀，过程中不损伤碲镉汞外延层材料，然后对去除碲锌镉衬底的碲镉汞材料进行腐蚀，以消除可能的界面层。通过此样品后续的霍尔测试，可以正确标定碲镉汞外延材料的电学性质，排除碲镉汞界面层对碲镉汞外延材料电学性质的影响。本方法操作方便，仪器要求简单，能够有效的去除碲镉汞界面层。解决了长久以来，难以排除界面层对碲镉汞材料影响，正确标定碲镉汞电学参数的问题。这对研究碲镉汞外延材料特性有着重要意义。
一种去除碲镉汞界面霍尔样品制备方法

[发明专利]一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备方法-CN202310174151.8在审
发明人：黄晟;黄立;杨朝臣;张冰洁;刘永锋;汪鑫 -专利权人：武汉高芯科技有限公司
申请日： 2023-02-28 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： C30B23/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料加工制备技术领域，具体提供了一种碲镉汞材料霍尔测试样品的制备工艺。本发明的碲镉汞外延材料霍尔测试样品的制备工艺，通过对碲镉汞外延材料正面进行表面处理并沉积介质膜进行保护，同时将碲镉汞外延材料背面的衬底和过渡层材料进行去除，避免了碲镉汞外延材料表面电荷的堆积，以及失配位错缺陷对碲镉汞外延材料霍尔测量的影响，提高了碲镉汞外延材料电学测量的准确度。
一种碲镉汞外延材料霍尔测试样品制备方法

[发明专利]氢氧化镉多孔材料、制备方法及包含该材料的阴极和电池-CN201911240058.2有效
发明人：吴昊;张阳阳;李江宇 -专利权人：中国科学院深圳先进技术研究院
申请日： 2019-12-03 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： C01G11/00 文献下载
摘要：本发明涉及氢氧化镉多孔材料、制备方法及包含该材料的阴极和电池。氢氧化镉多孔材料孔直径大于等于0.2μm，光学带隙大于等于3.2eV。制备方法包括如下步骤：制备极性碱性溶液；制备非极性镉源溶液；非极性镉源溶液包含非极性溶剂和溶解于非极性溶剂中的有机镉盐，有机镉盐具有4～30的碳链长度；混合并搅拌极性碱性溶液和非极性镉源溶液，极性碱性溶液与非极性镉源溶液的混合体积比为n:1，n=0.1～100；持续搅拌所得混合物使所述非极性镉源溶液维持分散于极性碱性溶液中，生成氢氧化镉材料沉淀物；对得到的混合物进行固液分离和洗涤，制得氢氧化镉多孔材料。多孔状的氢氧化镉作为电池的阴极材料具有更大潜力。
氢氧化多孔材料制备方法包含阴极电池

[发明专利]一种金掺杂液相外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法-CN202011156074.6有效
发明人：孔金丞;宋林伟;吴军;李东升;黄元晋;王文金;王志斌;陈姗;黄蓓;陶丽明;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种金掺杂碲镉汞外延材料电学性能稳定性控制方法。本发明针对金掺杂液相外延碲镉汞材料热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体中扩散导致金掺杂碲镉汞外延材料电学参数不受控的问题，其方法包括：在金掺杂碲镉汞材料液相外延生长前，对碲锌镉衬底进行镉饱和退火，消除碲锌镉衬底中的镉空位，控制碲镉汞热处理时金掺杂原子向碲锌镉衬底中的扩散富集。本方法达到了消除碲锌镉晶体中的镉空位的效果，从而控制金掺杂碲镉汞薄膜热处理时金掺杂原子向碲锌镉晶体的扩散，提高了液相外延金掺杂碲镉汞薄膜电学性能稳定性及重复性控制。
一种掺杂外延碲镉汞材料电学性能稳定性控制方法

[发明专利]一种低成本磷化镉量子点材料的制备方法-CN201110156288.8有效
发明人：苗世顶;史蒂芬.黑格;亚历山大.阿基米勒 -专利权人：合肥工业大学
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-12-07 - 主分类号： C09K11/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种低成本磷化镉量子点材料的制备方法，是以氧化镉、醋酸镉或乙酰丙酮镉等廉价镉化合物为原料，将镉化合物和长链脂肪酸在高温下溶解于十八烯中，制备镉的长链脂肪酸盐；或者将乙酰丙酮镉溶解于有机胺中，然后以磷化氢作为磷源，通过气液反应的方法，制备高质量的磷化镉量子点发光材料。本发明为磷化镉量子点材料提供了一种廉价、可连续操作的合成方法，为该材料生产的工业化提供了坚实的基础。通过控制反应温度、时间等因素，可以实现该材料从可见光(460nm)到红外(1500nm)这一宽的区域内发光。
一种低成本磷化量子材料制备方法

[发明专利]计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备-CN202110891080.4有效
发明人：申晨;周朋;杨海燕 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2021-08-04 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：本发明公开了一种计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法及设备。计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，包括：获取多个温度下碲锌镉基碲镉汞材料件的光致发光信号谱图；通过分析多个光致发光信号谱图，获取三种能级跃迁随温度变化直线；基于三种能级跃迁随温度变化直线，根据波束与能量对应关系，确定能带间距随温度变化情况和不同温度下主导的能级跃迁情况，从而得到碲锌镉基碲镉汞材料件在不同温度的能级结构及变化情况。采用本发明，在不损伤样品的情况下，能够快速计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级的方法，且测试结果较精确。
计算碲锌镉基碲镉汞材料杂质能级方法设备

[发明专利]一种红外探测器表面处理的方法-CN201811554876.5在审
发明人：祁娇娇;宁提;李春领 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2018-12-19 - 公布日： 2019-04-16 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红外探测器表面处理的方法，涉及红外探测器器件技术领域，该方法包含如下步骤：对碲镉汞材料进行湿法清洗；对湿法清洗后的碲镉汞材料进行表面腐蚀；将表面腐蚀后的碲镉汞材料吹干并固定到样品盘；对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗；在干法清洗后的碲镉汞材料的表面进行镀膜处理。本发明方法通过对固定后的碲镉汞材料进行干法清洗，解决了现有的碲镉汞材料在装片的过程中生成自生氧化层的问题，提高了器件芯片的性能。
碲镉汞材料红外探测器干法清洗表面腐蚀湿法清洗器件技术领域自生氧化层镀膜处理器件芯片样品盘吹干装片

[发明专利]从银氧化镉材料中提取银镉合金的方法-CN88105571.9无效
发明人：丁炎星 -专利权人：上海六一四厂
申请日： 1988-09-07 - 公布日： 1992-03-18 - 主分类号： C22C5/10 文献下载
摘要：本发明系一种从银氧化镉材料中提取银镉合金的方法，它是以银氧化镉为原材料，注入氢气，加热一段时间；形成银镉合金。这种方法能从银氧化镉材料，全部回收银、镉，且工艺简单、操作方便，周期短，无工业三废污染，即有社会效益，又有经济效益。
氧化材料提取合金方法

[发明专利]一种弱P型碲镉汞材料的退火方法-CN202210123432.6有效
发明人：魏彦锋;孙权志;李珣;林春;丁瑞军;何力 -专利权人：中国科学院上海技术物理研究所
申请日： 2022-02-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种弱P型碲镉汞外延材料的退火方法。采用双温区退火装置，汞源和碲镉汞材料封装在石英管中，使汞源和碲镉汞样品分别处在双温区退火炉的低温段和高温段，根据所要求的碲镉汞空穴载流子的浓度，分别设置汞源和碲镉汞材料的退火温度，在退火结束后的冷却阶段分别设置汞源和碲镉汞材料的降温速率，使得在整个退火过程中汞蒸气的压力满足碲镉汞材料中汞空位浓度稳定性的要求，从而提高碲镉汞外延材料电学参数的稳定性和退火工艺的重复性。
一种型碲镉汞材料退火方法

[发明专利]一种铌酸镉纳米材料及其制备方法与应用-CN202211008406.5有效
发明人：梁诗景;于茂青;潘晓阳;翁波 -专利权人：福州大学
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明属于纳米材料制备领域，具体涉及一种铌酸镉纳米材料及其制备方法与应用，通过将五氧化二铌溶解在氢氟酸中，搅拌，在反应釜反应后洗涤，得到白色固体，再加入氯化镉，搅拌，在反应釜反应后洗涤，烘干得到铌酸镉纳米材料；通过本发明制得的铌酸镉纳米材料展现出高度的结晶性，将铌酸镉纳米材料用于在超声产氢，具有较好的产氢性能，且本发明工艺简单，重现性好，适合铌酸镉纳米材料的大规模生产。
一种铌酸镉纳米材料及其制备方法应用

[发明专利]一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法-CN202210304045.2在审
发明人：赵文;孔金丞;姜军;李沛;俞见云;李俊;陈少璠;庹梦寒;王静宇;陈姗;姬荣斌 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-03-25 - 公布日： 2022-07-12 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面的方法，该方法将碲锌镉晶体采用镉饱和气氛退火处理，实现镉原子热扩散消除碲锌镉晶体中导电类型转变界面、改善碲锌镉晶锭的均匀性和一致性。该方法提升了材料的光学性能、电学性能及组分均匀性和一致性，消除了碲锌镉晶锭表面的颜色转变区域。本方法具有消除碲锌镉晶体材料中的镉空位的效果，提升了碲锌镉晶体材料的红外光谱透过率，使碲锌镉基碲镉汞红外焦平面探测器组件响应图的均匀性和一致性得到显著改善。
一种消除碲锌镉晶体导电类型转变界面方法

[发明专利]用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料及制备方法-CN200810119518.1无效
发明人：周立庆;刘兴新 -专利权人：中国电子科技集团公司第十一研究所
申请日： 2008-09-02 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：一种用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料，其在常规衬底材料上，再生长一层与碲镉汞晶格常数完全匹配的碲锌镉单晶薄膜；本发明制备出的用于液相外延方法生长碲镉汞材料的衬底材料具有外延膜晶格质量高，组分可针对短波、中波、长波碲镉汞材料晶格常数灵活调整的优点，同时碲锌镉薄膜组分均匀；该方法借鉴成熟工艺，工艺设备较简单，工艺周期短，成本低；可为红外焦平面探测器提供大面积、高质量、高组分均匀性的衬底材料。
用于外延方法生长碲镉汞材料衬底制备

[发明专利]生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法-CN201110365464.9有效
发明人：吴召平;高绪彬;徐悟生;江浩川;张明龙 -专利权人：通用电气公司
申请日： 2011-11-17 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产碲化镉或碲锌镉单晶体的方法，该方法包括：形成一个包括晶体生长区域和原位退火区域的整体温度场；将一个装有富碲材料和碲化镉或碲锌镉多晶材料的坩埚从所述晶体生长区域中通过，在该过程中，坩埚内的富碲材料熔化形成熔区，碲化镉或碲锌镉多晶材料逐渐溶解到所述熔区中，然后冷却析出碲化镉或碲锌镉单晶体；以及，将所述坩埚从所述原位退火区域中通过，在该过程中对所述晶体生长区域中生成的碲化镉或碲锌镉单晶体进行退火，以降低所述单晶体中的碲夹杂含量
生产碲化镉碲锌镉单晶体方法

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