“锗硫族化物”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果4833373个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]硫族化物材料和包括硫族化物的半导体存储器件-CN202211088815.0在审
发明人：林俊英;金亨根 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本公开涉及硫族化物材料及包括所述硫族化物材料的半导体存储器件。所述硫族化物材料包括具有第一原子百分比的锗(Ge)、具有至少是锗的第一原子百分比两倍的第二原子百分比的硒(Se)和具有小于锗的第一原子百分比的第三原子百分比的铟(In)。
硫族化物材料包括半导体存储器件

[发明专利]硫族化物材料、可变电阻存储器件和电子设备-CN202010711127.X在审
发明人：郑光先;潘尚炫;安俊九;李范锡;李泳昊;李禹太;李钟豪;张桓埈;赵性来;曹艺天;黄旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本申请提供一种硫族化物材料、可变电阻存储器件以及电子设备。硫族化物材料可以包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)和0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。可变电阻存储器件可以包括第一电极、第二电极以及介于第一电极与第二电极之间的硫族化物膜，并且硫族化物膜包括0.5at％至10at％的至少一种第13族元素。此外，电子设备可以包括半导体存储器。半导体存储器可以包括列线、与列线交叉的行线以及位于列线与行线之间的存储单元，其中存储单元包括硫族化物膜，所述硫族化物膜包括锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)以及0.5at％至10at％的至少一种第13族元素
硫族化物材料可变电阻存储器件电子设备

[发明专利]一种带隙可调的硫族锗化物单晶的制备方法-CN202211165728.0在审
发明人：程迎春;时健;罗小光;闫雨婷 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种带隙可调的硫族锗化物单晶的制备方法，属于硫族锗化物材料制备技术领域。本发明公开了一种带隙可调的硫族锗化物单晶的制备方法，基于要得到的硫族锗化物单晶，选择特定的S粉末和Se粉末之一与Ge粉末和I粉末混合，或者将Ge粉末、S粉末、Se粉末和I粉末混合，得到混合粉末，将混合粉末放置在加热设备的原料区中
一种可调硫族锗化物单晶制备方法

[发明专利]用以蚀刻半导体材料的方法-CN201710919315.X有效
发明人：珍·皮尔·柯林;卡罗司·迪亚兹;马克范达尔 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2017-09-30 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L21/3213 文献下载
摘要：本揭示叙述一种蚀刻半导体材料的方法，其可选择性地从硅锗/硅锗堆叠蚀刻硅，或可选择性地从硅锗/锗堆叠蚀刻硅锗，以形成富含锗的纳米线通道。举例而言，方法可以包括由具有富含硅材料与富含锗材料的交替层所形成的多层堆叠。薄的第一硫族化合物层同时形成于富含硅材料上，而厚的第二硫族化合物层形成于富含锗材料上。蚀刻第一硫族化合物层与第二硫族化合物层，直到从富含硅材料移除第一硫族化合物层。以不同的蚀刻速率蚀刻富含硅材料与第二硫族化合物层。
用以蚀刻半导体材料方法

[发明专利]硫族化物材料以及包括其的电子设备-CN201910688303.X在审
发明人：李禹太 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2020-02-28 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：提供一种硫族化物材料及包括其的电子设备。硫族化物材料可以包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲。电子设备可以包括：包含硫族化物材料的开关元件，该硫族化物材料包括1‑10原子百分比(at％)的硅、10‑20at％的锗、25‑35at％的砷、40‑50at％的硒和1‑10at％的碲；第一电极，其电耦接到开关元件
硫族化物材料以及包括电子设备

[发明专利]硫族化物存储器装置组件和组合物-CN201811426027.1在审
发明人：保罗·凡蒂尼;F·丹尼尔·吉利;恩里科·瓦雷西;斯瓦帕尼尔·A·朗加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2018-11-27 - 公布日： 2020-06-02 - 主分类号： G11C11/56 文献下载
摘要：本申请涉及硫族化物存储器装置组件和组合物。描述了与硫族化物存储器组件和组合物相关或使用硫族化物存储器组件和组合物的系统、装置和方法。一种存储器装置，例如选择器装置，能够由硫族化物材料组合物制成。硫族化物材料能够具有包含来自硼族的一或多个元素的组合物，例如硼、铝、镓、铟或铊。举例来说，选择器装置能够具有硒、砷与硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物。所述选择器装置还能够由锗或硅或这两者构成。举例来说，存储器组件能够具有包含硒、砷和锗、硅与硼、铝、镓、铟或铊的某一组合的组合物。
硫族化物存储器装置组件组合

[发明专利]硫族化物存储器装置组合物-CN202310136686.6在审
发明人： D·W·柯林斯;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;E·瓦雷西 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N70/20 文献下载
摘要：本申请案涉及硫族化物存储器装置组合物。存储器单元可使用具有如本文中所描述的组合物的硫族化物材料作为存储材料、选择器材料或作为自选存储材料。如本文中所描述的硫族化物材料可包含含硫组分，其可为完全硫(S)或可为硫与例如硒(Se)等一或多种其它元素的组合。除所述含硫组分之外，所述硫族化物材料可进一步包含一或多种其它元素，例如锗(Ge)、至少一种第III族元素或砷(As)。
硫族化物存储器装置组合

[发明专利]硫族化物存储器装置组件和组合物-CN201980077144.8在审
发明人： E·瓦雷西;P·凡蒂尼;L·弗拉汀;S·A·伦加德 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-11-22 - 公布日： 2021-07-23 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：描述了与硫族化物存储器组件和组合物相关或使用硫族化物存储器组件和组合物的系统、装置和方法。存储器单元的例如选择器装置、存储装置或自选存储器装置的组件可由硫族化物材料组合物制成。硫族化物材料可具有包含来自硼族的一或多种元素的组合物，所述硼族例如硼、铝、镓、铟或铊。举例来说，所述硫族化物材料可具有硒、锗以及硼、铝、镓、铟或铊中的至少一个的组合物。硫族化物材料在一些情况下，还可包含砷，但在一些情况下，可不具有砷。
硫族化物存储器装置组件组合

[发明专利]存储器材料及应用其的存储器装置-CN202010859994.8在审
发明人：郑怀瑜;郭奕廷;龙翔澜 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2020-08-24 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：存储器材料为碳原子掺杂的硫族化物。硫族化物包含砷原子、硒原子、锗原子及硅原子。
存储器材料及应用存储器装置

[发明专利]形成包括碲的相变材料层的方法和使用该相变材料层来制造相变存储器的方法-CN200810083078.9有效
发明人：金度亨;姜信在;朴仁善;林炫锡;吴圭焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-03-21 - 公布日： 2008-09-24 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供了形成相变材料层的方法，所述方法包括：在一温度下提供衬底和硫族化物目标，所述硫族化物目标包括锗(Ge)、锑(Sb)和碲(Te)，在所述温度，碲挥发，而锑不挥发；以及，执行溅射处理以在所述衬底上形成包括硫族化物材料的所述相变材料层
形成包括相变材料方法使用制造存储器

[发明专利]硫族化物材料以及包括其的电子设备-CN201910688949.8有效
发明人：李禹太;郑光先;金泰勋;潘尚炫;李范锡;黄旭 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-07-29 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H10N79/00 文献下载
摘要：提供一种硫族化物材料和电子设备。该硫族化物材料包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。该电子设备可以包括半导体存储器件，所述半导体存储器件包括第一存储单元，所述第一存储单元包括第一开关元件，其中所述第一开关元件可以包括硫族化物材料，其包括0.1‑5原子百分比(at％)的硅、15‑22at％的锗、30‑35at％的砷和40‑50at％的硒。
硫族化物材料以及包括电子设备

[发明专利]用于沉积包含锗硫族化物的层的系统、装置和方法-CN202111110091.0在审
发明人： M.E.吉文斯;朴容国;M.凯迈克斯;A.海德;R.德尔霍涅 -专利权人： ASM IP私人控股有限公司;IMEC公司
申请日： 2021-09-18 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/24 文献下载
摘要：公开了用于沉积包含锗硫族化物的材料的方法和系统。可将所述材料选择性地沉积到衬底的表面上。沉积工艺可以是循环沉积工艺。可并入有各层的示例性装置包括存储器装置。
用于沉积包含锗硫族化物系统装置方法

[发明专利]硫属化物材料、开关器件、和存储器件-CN202310376723.0在审
发明人：成河俊;康永宰;具本原;朴用永;安东浩;梁基延;梁祐荣;李昌承;崔旻雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2023-04-10 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C01B19/00 文献下载
摘要：本发明涉及硫属化物材料、开关器件、和存储器件。根据一种实施方式的硫属化物材料包括：锗(Ge)；砷(As)；硫(S)；硒(Se)，以及选自铟(In)、镓(Ga)和铝(Al)的至少一种III族金属，其中Ge的含量可大于约10原子％且小于或等于约30原子％，As的含量可大于约30原子％且小于或等于约50原子％，Se的含量大于约20原子％且小于或等于约60原子％，S的含量大于约0.5原子％且小于或等于约10原子％，且所述III族金属的含量可大于约0.5原子
硫属化物材料开关器件存储

[发明专利]校正透射近、中和远‑红外光谱的透镜的色差和热像差的玻璃-CN201380020943.4有效
发明人：内森·亚伦·卡莉 -专利权人：肖特公司
申请日： 2013-04-19 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C03C3/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于消除热效应和色差效应的透镜系统中的硫族化物玻璃组合物，以及由此提供了一种消色差和消热差的光学元件，其能在很宽的温度范围内有效保持消色差性能。所述玻璃组合物是基于锗、砷和/或镓的硫化物的，并可进一步包含(例如)银、锌或碱金属的卤化物。或者，所述玻璃组合物是基于镓以及优选锗的硒化物的，并且包含(例如)锌、铅或碱金属的氯化物或溴化物。
校正透射中和红外光谱透镜色差热像差玻璃

[发明专利]溶液淀积硫族化物薄膜-CN200410038606.0有效
发明人： D·B·米特兹 -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2004-04-27 - 公布日： 2005-02-09 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：淀积金属硫族化物膜的方法。该方法的第一种包括：将至少一种金属硫族化物，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物基前体溶液；将金属硫族化物基前体溶液施加到衬底上制成前体膜；将此前体膜退火，去除多余的肼和硫族化物盐，在衬底上制成金属硫族化物膜。第二种方法包括：将至少一种金属硫族化物和胺化合物的盐相接触，制备该金属硫族化物铵基前体；将金属硫族化物铵基前体，肼化合物，以及可选的硫族元素相接触，制备金属硫族化物在这种肼化合物中的基前体溶液；将金属硫族化物还提供使用金属硫族化物膜沟道层的薄膜场效应晶体管器件。
溶液淀积硫族化物薄膜

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条