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[发明专利]锁存器偏移抵消感测放大器-CN201580051582.9在审
发明人： S-O·郑;T·那;B·宋;J·P·金;S·H·康 -专利权人：高通股份有限公司;延世大学校产学协力团
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-08-18 - 主分类号： G11C11/16 文献下载
摘要：在感测电路阶段中，该电路被配置成确定跨位单元的数据电压与参考电压之间的第一差分电压。在感测放大器阶段中，该电路被配置成在锁存器中放大该经预放大的差分电压。该经预放大的差分电压的生成抵消了可能在锁存器中产生的偏移电压。在写阶段中，该电路被进一步配置成将写数据值写入MRAM位单元。
锁存器偏移抵消放大器

[发明专利]单粒子瞬态脉冲宽度测量电路、集成电路和电子设备-CN201610972269.5有效
发明人：宿晓慧;罗家俊;韩郑生;刘海南;郝乐 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2016-10-31 - 公布日： 2019-07-26 - 主分类号： G01R29/02 文献下载
摘要：本发明涉及电脉冲宽度测量技术领域，尤其涉及一种单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包括：第一锁存电路的置位端和各个第二锁存电路的第一置位端均与待测信号输入端连接；第一级第二锁存电路的第二置位端与第一锁存电路的输出端连接；当单粒子瞬态脉冲宽度测量电路包含二级以上的第二锁存电路时，从第二级第二锁存电路开始，每级第二锁存电路的第二置位端与前一级第二锁存电路的输出端连接；在待测信号输入端接入待测单粒子瞬态脉冲信号后，第一锁存电路发生翻转驱动至少一级第二锁存电路顺次发生翻转本发明由于仅由两种锁存电路构成，使得测量电路结构简单，同时通过增加第二锁存电路的数目，可扩大测量信号的范围。
锁存电路置位端单粒子瞬态脉冲宽度测量电路输出端连接待测信号单粒子瞬态脉冲信号输入端接入输入端连接测量电路测量信号电子设备翻转驱动宽度测量第一级电脉冲前一级翻转集成电路

[发明专利]半导体装置及连续读出方法-CN202010494007.9在审
发明人：妹尾真言;水藤克年;谷口务;冈部翔 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-06-03 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及连续读出方法，闪存等半导体装置的连续读出方法包括：在输出保持于页面缓冲器/感测电路的锁存器(L1)的高速缓存(C0)的数据之后，从存储单元阵列读出下一页的高速缓存(C0)的数据，并将所读出的高速缓存(C0)的数据保持于锁存器(L1)，且在输出保持于锁存器(L1)的高速缓存(C1)的数据之后，从存储单元阵列读出相同的下一页的高速缓存(C1)的数据，并将所读出的高速缓存(C1)的数据保持于锁存器
半导体装置连续读出方法

[发明专利]闪速存储器及相关方法-CN200780048999.5有效
发明人： D·埃尔姆赫尔斯特;G·桑廷;M·因卡纳蒂;V·莫夏诺;E·多里奥 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-12-21 - 公布日： 2009-11-04 - 主分类号： G11C16/02 文献下载
摘要：在一种操作方法中，闪速存储器单元经过编程，字线电压与闪速存储器单元耦合，以及在若干间隔上感测闪速存储器单元的状态，以便生成指明闪速存储器单元的状态的数据。在一种操作方法中，切断NAND闪速存储器的高速缓冲存储器中的锁存器，并且在锁存器被切断的同时来对锁存器进行初始化。读取电压与NAND闪速存储器中的所选闪速存储器单元的栅极耦合，其中所选闪速存储器单元与位线耦合，以及在位线上的电压改变的同时位线与锁存器的输入端耦合。
存储器相关方法

[实用新型]用于工业过程的现场设备、工业过程控制系统-CN201820955712.2有效
发明人：尼古拉斯·亚伦·威赫尔德;贾斯廷·泰·青斯海姆 -专利权人：罗斯蒙特公司
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2019-05-10 - 主分类号： G05B19/418 文献下载
摘要：一种工业过程现场设备包括有源组件、锁存继电器、控制器、继电器驱动器和复位电路。有源组件可以是被配置为感测过程参数的传感器，或者被配置为控制工业过程的过程的控制设备。控制器被配置为产生开关信号，并且继电器驱动器被配置为基于开关信号将锁存继电器设置为置位状态和复位状态之一。复位电路被配置成响应于到继电器驱动器的电力中断而将锁存继电器设置为复位状态。
继电器驱动器锁存继电器配置工业过程控制系统复位电路复位状态开关信号现场设备控制器源组件工业过程现场设备控制工业过程继电器电源电力中断工业过程过程参数控制设备置位状态传感器感测响应

[发明专利]基于锁存器的支持可测性设计的电路以及芯片测试方法-CN202210455904.8有效
发明人：范志军;薛可;田文博;刘建波;杨作兴 -专利权人：深圳比特微电子科技有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G01R31/3183 文献下载
摘要：本公开涉及基于锁存器的支持可测性设计的电路以及芯片测试方法。提供一种基于锁存器的支持可测性设计的电路，能够在工作模式或测试模式下工作，包括时钟模块，配置为在测试模式下提供测试时钟信号；以及计算单元，包括至少一个锁存器链，每个锁存器链包括：串联耦接的多个锁存器，其中：在测试模式下，多个锁存器被划分为串联耦接的若干个锁存器对，在每个锁存器对中，第一锁存器和第二锁存器分别基于测试时钟信号的彼此不同的第一信号电平和第二信号电平进行锁存，以及至少一个多路选择器，每个多路选择器的输出端耦接到相应的一个第一锁存器对的输入端，并且与该第一锁存器对共同构成电路的支持可测性设计的扫描链的至少一部分。
基于锁存器支持可测性设计电路以及芯片测试方法

[发明专利]MOS晶体管偏移消除差分电流锁存感测放大器-CN201780058407.1有效
发明人：那太辉;宋炳圭;郑成煜;金俊培;康相赫 -专利权人：高通科技公司;延世大学大学工业基金会
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： G11C7/06 文献下载
摘要：提供了用于感测差分电压的金属氧化物半导体(MOS)晶体管偏移消除(OC)零感测(ZS)死区电流锁存感测放大器(SA)(CLSA)(OCZS‑SA)。OCZS‑SA被配置为利用较小的感测放大器偏移电压来放大所接收的差分数据和参考输入电压，以在存储器位单元的不同存储状态之间提供较大的感测裕度。OCZS‑SA被配置为消除输入和补充输入晶体管的偏移电压，并且在感测阶段保持输入和补充输入晶体管处于其激活状态，使得当它们的栅极到源极电压(Vgs)低于它们各自的阈值电压时，不会在它们的“死区”中执行感测在其他方面，感测放大器电容器被配置为在电压捕获阶段期间直接存储输入和补充输入晶体管的栅极处的数据和参考输入电压，以避免否则将利用附加感测电容器电路消耗的附加布局面积。
mos 晶体管偏移消除电流锁存感测放大器

[发明专利]半导体存储装置-CN202010830929.2在审
发明人：前嶋洋 -专利权人：铠侠股份有限公司
申请日： 2020-08-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：电路部包含：第1及第2感测放大器；第1锁存电路；第1配线，连接于第1感测放大器、第2感测放大器及第1锁存电路；第3接合金属，相对于第1感测放大器位于第3方向上的另一侧，与第1感测放大器连接，且与第1接合金属对向接合；以及第4接合金属，相对于第2感测放大器位于第3方向上的另一侧，与第2感测放大器连接，且与第2接合金属对向接合。
半导体存储装置

[发明专利]半导体存储装置-CN200710127460.0有效
发明人：白川政信;常盤直哉 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2007-07-05 - 公布日： 2008-01-09 - 主分类号： G11C16/26 文献下载
摘要：半导体存储器装置，包括：可电擦写且其中设置有非易失性存储器单元的存储器单元阵列；行解码器，其配置为选择存储器单元阵列中的存储器单元，该行解码器包括标志锁存器，其中为存储器单元阵列中坏块设置坏块标志；感测放大器，其配置为感测存储器单元阵列中所选存储器单元的数据；和输出电路，其配置为输出感测放大器中的读出数据，所述输出电路包括输出数据固定电路，其配置为按照坏块标志将输出数据固定在逻辑电平。
半导体存储装置

[发明专利]非易失性存储装置及其操作方法-CN201810968801.5有效
发明人：郑凤吉 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-08-23 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：所述多个页面缓冲单元中的第一页面缓冲单元包括第一锁存器至第四锁存器，第一锁存器至第三锁存器通过使感测节点的电压电平演变分别在第一时间点至第三时间点锁存第一读取数据至第三读取数据，第四锁存器基于第二读取数据和第三读取数据生成第四读取数据
非易失性存储装置及其操作方法

[发明专利]高速低功率锁存器-CN200980116837.X有效
发明人：张昆;哈里什·穆塔利 -专利权人：高通股份有限公司
申请日： 2009-05-15 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H03K3/356 文献下载
摘要：本发明提供一种高速低功率锁存器，其包括三组晶体管。第一组晶体管基于具有非轨到轨或轨到轨电压摆动的时钟信号而为所述锁存器选择追踪模式或保持模式。在另一方面中，信号产生器包括至少一个锁存器及一控制电路。所述锁存器接收时钟信号且产生输出信号。所述控制电路感测从所述输出信号导出的反馈信号的工作循环，且产生控制信号来调整所述锁存器的操作以获得所述反馈信号的50％的工作循环。
高速功率锁存器

[发明专利]非易失性存储设备-CN201010105817.7有效
发明人：朴成济 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：依照本公开的非易失性存储设备的页面缓冲器包括：第一数据锁存部件，被配置为存储用于编程或禁止编程的数据；第二数据锁存部件，被配置为存储用于设置单元要被编程的阈值电压状态的数据；以及1位通过确定部件，被配置为通过响应于被设置到第一数据锁存部件的第一节点的数据和被施加到感测节点的数据而把第一验证信号输出端子接地或浮置
非易失性存储设备

[发明专利]具有纸张使用情况指示功能的打印机-CN201110179304.5无效
发明人：陈燕梅 -专利权人：鸿富锦精密工业（深圳）有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2011-06-29 - 公布日： 2013-01-02 - 主分类号： B41J29/42 文献下载
摘要：一种具有纸张使用情况指示功能的打印机，包括机壳和存纸盒，该存纸盒滑动收容于该机壳内，用于存放打印机使用的纸张。该打印机还包括纸张感测机构和指示结构，纸张感测机构转动连接于该机壳，一端抵触在存纸盒内纸张层的顶部，另一端与指示机构的一端固定相连，指示机构另一端伸出存纸盒外表面。当感测机构与纸张抵触的一端在纸张的推力或自身重力的作用下移动时，感测机构转动并带动与指示机构固定相连的一端转动，带动指示机构伸出存纸盒外表面的一端移动，指示存放的纸张数量变化。通过本发明的具有纸张使用情况指示功能的打印机，能够对存纸盒内存放的纸张进行指示，以方便用户在打印机正常工作的情况下检测存纸盒内存放的纸张。
具有纸张使用情况指示功能打印机

[发明专利]复位读取干扰缓解-CN202210087205.2在审
发明人： J·C·M·桑肯 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：另外，所述重试电路系统经配置以致使通过重新使用所述目标地址从所述先前读取操作中从所述感测放大器锁存器读取所述数据。具体来说，重新使用所述目标地址包含绕过针对当前读取操作将所述数据从所述存储器单元重新读取到所述感测放大器锁存器中。
复位读取干扰缓解

[发明专利]数据输出电路和包括该数据输出电路的图像传感器-CN201910509782.4有效
发明人：金泰逵 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2019-06-13 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H04N5/378 文献下载
摘要：该数据输出电路包括：线存储器，其被配置为锁存数字信号，并且响应于输出控制信号而将锁存的数字信号输出到一对列线；预充电电路，其被配置为响应于第一预充电信号而以第一预充电电压电平对一对列线预充电；充电电路，其被配置为利用电压对一对列线充电；充电控制器，其被配置为响应于第二预充电信号而以第二预充电电压电平对所述充电电路充电；以及感测放大器，其被配置为响应于感测使能信号而将所述充电电路的输出电压放大。
数据输出电路包括图像传感器

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