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[发明专利]一种铪铝氧薄膜的制备方法及其应用-CN202010402797.3有效
发明人：陆旭兵;杨慧 -专利权人：肇庆市华师大光电产业研究院
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H01G4/005 文献下载
摘要：本发明属于射频/微波介质薄膜技术领域，具体涉及一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法及其在制备射频薄膜电容器中的应用，为研制高电容密度、低漏电流、高击穿电压以及较小的电压系数的射频/微波介质薄膜，本发明提供了一种电学性能优异的铪铝氧薄膜的制备方法，以一定铪铝掺杂比的四(二甲基酰胺)铪和三甲基铝为前驱体，通过臭氧利用原子层沉积技术于一定铪源加热温度以及生长温度下在重掺硅上生长铪铝氧薄膜,最后经高温退火处理后得到，应用于制备射频薄膜电容器领域，所制备得到的铪铝氧薄膜电容器具有较高的击穿电压、较小的漏电流、较大的介电常数和较低的介电损耗；同时，本发明的铪铝氧薄膜电容器结构简单，比较容易制备得到。
一种铪铝氧薄膜制备方法及其应用

[发明专利]一种基于铁电铪铝氧和氧化铝栅叠层的高耐久FeFET及其制备方法-CN202310189167.6在审
发明人：唐克超;周粤佳;梁中新;黄如 -专利权人：北京大学
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于铁电铪铝氧和氧化铝栅叠层的高耐久FeFET及其制备方法，属于微纳电子学领域。该FeFET器件包括一硅衬底，在硅衬底表面依次设有图形化的氧化铝中间层、铪铝氧铁电层、栅极金属电极和接触金属，硅衬底表面通过自对准离子掺杂形成源漏区域，源漏区域上方是源漏金属接触电极，所述铪铝氧铁电层是通过原子层淀积的方式生长，在原子层淀积循环过程中控制氧化铪和氧化铝的循环次数控制掺杂的原子比例，最后形成的铪铝氧铁电层中铪原子和铝原子的比例为24：1，所述铪铝氧铁电层的不同极化状态存储两种存储状态。
一种基于铁电铪铝氧氧化铝栅叠层耐久 fefet 及其制备方法

[发明专利]一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法-CN200910077623.8有效
发明人：许高博;徐秋霞 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-02-09 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的制备方法，该方法是在铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的上下表面处淀积氮化铝薄膜，再经高温退火形成铪硅铝氧氮高介电常数栅介质，该方法包括：清洗硅片；对清洗后的硅片进行淀积前氧化；在氧化后的硅片上淀积铪硅铝氧氮高介电常数栅介质；对淀积了铪硅铝氧氮高介电常数栅介质的硅片进行超声清洗；对清洗后的硅片进行淀积后退火；在退火后的硅片上形成金属栅；对形成金属栅的硅片进行淀积后退火；背面溅铝并进行合金处理利用本发明解决了随着小尺寸器件栅介质厚度的减薄而带来栅介质漏电急剧上升和功耗严重增大的问题，同时，由于铝元素的引入有利于P型金属氧化物半导体器件金属栅功函数的调整。
一种铪硅铝氧氮高介电常数介质制备方法

[发明专利]一种铪基铁电存储器及其制备方法-CN202110683895.3有效
发明人：朱颢;陈佩瑶;刘逸伦;曹园园;孙清清 -专利权人：复旦大学
申请日： 2021-06-21 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开一种铪基铁电存储器及其制备方法。该铪基铁电存储器包括多个铪基铁电存储器单元，所述铪基铁电存储器单元包括：衬底；底电极，形成在所述衬底上；铪基铁电体，其为经退火后的铪铝氧薄膜，形成在所述底电极上；顶电极，形成在所述铪铝氧薄膜上。基于高质量的铁电HAO薄膜形成非易失性铁电存储器单元，实现了长期保持，高耐用性和稳定的存储特性，以及高剩余极化强度，并利用多个铪基铁电存储器单元搭建逻辑电路，实现了存算一体的功能。
一种铪基铁电存储器及其制备方法

[发明专利]耐高温复合陶瓷前驱体及其制备方法-CN201910299213.1有效
发明人：马小民;王慧;崔吟雪;张德育;李富萍 -专利权人：国装新材料技术（江苏）有限公司
申请日： 2019-04-15 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： C04B35/10 文献下载
摘要：该陶瓷前驱体包括铝、有机硅氧烷、钽和铪，或根据下述方法制备得到：将铝源、有机硅氧烷、水、酸催化剂溶解在有机溶剂中，加热反应，得到第一溶液；向第一溶液加入钽源和铪源，搅拌均匀，形成第二溶液；以及向第二溶液加入碱催化剂
耐高温复合陶瓷前驱及其制备方法

[实用新型]一种表面耐候性好的新型法兰-CN202122027698.4有效
发明人：闫润 -专利权人：哈尔滨金易达机械制造有限公司
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： F16L23/032 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种表面耐候性好的新型法兰，包括法兰本体，法兰本体包括基底层，且基底层的外侧设置有第二防护层，同时，第二防护层包括环氧煤沥青防腐涂层和三氧化二铝涂层，第二防护层的外侧设置有第一防护层，且第一防护层包括碳化钨涂层和二氧化铪涂层本实用新型设置了包括碳化钨涂层和二氧化铪涂层的第一防护层，其中的碳化钨涂层可提高本法兰整体的耐磨性，二氧化铪涂层在碳化钨涂层损坏后可起到对本法兰进行耐火保护作用，设置了包括环氧煤沥青防腐涂层和三氧化二铝涂层的第二防护层，其中的环氧煤沥青防腐涂层可提高本法兰整体的耐腐蚀性，三氧化二铝涂层在环氧煤沥青防腐涂层损坏后可起到对本法兰进行抗氧化保护作用。
一种表面耐候性好新型法兰

[发明专利]掩模坯料、转印用掩模及半导体器件的制造方法-CN201980061305.4在审
发明人：大久保亮;前田仁;穐山圭司;野泽顺 -专利权人： HOYA株式会社
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F1/32 文献下载
摘要：所述掩模坯料具备在透光性基板上依次层叠有蚀刻停止膜和图案形成用的薄膜的结构，薄膜由含有硅的材料形成，蚀刻停止膜由含有铪、铝及氧的材料形成，在蚀刻停止膜中，铪的含量相对于铪及铝的合计含量的比率以原子％计为
坯料转印用掩模半导体器件制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201910521429.8在审
发明人：井上真雄;门岛胜;川嶋祥之;山川市朗 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-01-24 - 主分类号： H01L27/11568 文献下载
摘要：电荷存储层包括绝缘膜，其包含铪、硅和氧插入层，其形成在绝缘膜上并且包含铝，以及绝缘膜，其形成在插入层上并且包含铪、硅和氧。
绝缘膜栅极电介质膜电荷存储层插入层非易失性存储器单元存储器栅电极半导体器件存储器单元电荷制造

[发明专利]钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料及制备方法-CN200910010567.6无效
发明人：周延春;何灵峰;包亦望 -专利权人：中国科学院金属研究所
申请日： 2009-03-04 - 公布日： 2010-09-08 - 主分类号： C22C14/00 文献下载
摘要：本发明涉及陶瓷固溶体材料及制备方法，具体为钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料及其制备方法。采用元素粉原位合成钛铪硅铝碳(Ti1-xHfx)3(Si1-yAly)C2、钛铪铝碳(Ti1-xHfx)3AlC2、钛锆铝碳固溶体(Ti1-xZrx)3AlC2，其中x的取值范围为0＜x≤0.07，y的取值范围为首先，以钛粉、铪粉、锆粉、硅粉、铝粉和石墨粉为原料，经物理机械方法混合，装入石墨模具中冷压成型，在通有保护气氛的热压炉内烧结，获得钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料。本发明可以在较低的温度下、较短的时间内制备出具有高纯度、高致密度、高韧性、高硬度、力学性能好等综合性能优越的钛铪硅铝碳、钛铪铝碳和钛锆铝碳固溶体材料。
钛铪硅铝碳钛铪铝碳钛锆铝碳固溶体材料制备方法

[发明专利]一种铝铪合金制备方法-CN201510888441.4在审
发明人：包晓刚;叶旦旺;马成贵;吕荣荣;张先贵 -专利权人：三祥新材股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-01-27 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝铪合金的制备方法，采用铝钙合金为复合还原剂，高纯二氧化铪为原料，冰晶石、六氟铪酸钾、氯化钠和氯化铪为覆盖剂，通过原料成分控制和高温还原工艺，可以制备出杂质元素含量低、铪含量高且铪在合金中分布均匀的铝铪中间合金经检测，本发明制备得到的铝铪合金的铪含量可达0.8-2.5wt％，Al+Hf≥99wt％，且铪在合金中部分以小尺寸Al₃Hf化合物形式存在，可以抑制变形加工再结晶行为，控制晶粒大小和形状，从而提高铝铪合金的淬透性、断裂韧性和抗应力腐蚀性能。整个制备过程无污染，成本低，覆盖剂和二氧化铪可重复利用，工艺简单易行。
一种合金制备方法

[发明专利]一种高温稳定性火花塞电极涂层及其制备方法-CN201210246193.X无效
发明人：陈照峰;吴王平 -专利权人：南京航空航天大学
申请日： 2012-07-16 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： C23C14/16 文献下载
摘要：该方法特征在于电极涂层由铂族金属及其合金组成，涂层为铱基材料，其中合金元素为锆、铪、钽、钇、铝、钨中的一种或多种组成。涂层中的合金以单质形式存在或与铂形成金属间化合物；铱基涂层中含有少量的氧元素，构成铱-锆/铪/钽/钇/铝/钨-氧复合涂层，其中铱含量为75at.％～98at.％，氧元素含量为0.5at.％～10at.％。高温稳定性电极涂层由纳米级或微米级晶粒组成，涂层的厚度为10-100um。
一种高温稳定性火花塞电极涂层及其制备方法

[发明专利]用于铪系金属茂组分的活化剂-CN200580035829.4有效
发明人：文森佐·布西科;罗伯塔·西普罗;罗伯塔·佩莱恰;阿巴斯·拉扎维 -专利权人：托塔尔石油化学产品研究弗吕公司
申请日： 2005-10-20 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： C08F110/06 文献下载
摘要：本发明公开了采用铪系金属茂催化剂体系和包括铝氧烷和位阻路易斯碱的活化剂制备的活性金属茂催化剂体系。
用于金属组分活化剂

[发明专利]一种铝铪合金的制备方法-CN201510888911.7在审
发明人：包晓刚;叶旦旺;陈康宁;朱忠雄 -专利权人：三祥新材股份有限公司
申请日： 2015-12-07 - 公布日： 2016-03-23 - 主分类号： C22C1/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种铝铪合金的制备方法，采用铝锶合金为复合还原剂，高纯二氧化铪为原料，冰晶石、六氟铪酸钾和氯化钠为覆盖剂，通过原料成分控制和高温还原工艺，可以制备出杂质元素含量低、铪含量高且铪在合金中分布均匀的铝铪中间合金经检测，本发明制备得到的铝铪合金的铪含量可达0.8-2.5wt％，Al+Hf≥99wt％，且铪在合金中部分以小尺寸Al₃Hf化合物形式存在，可以抑制变形加工再结晶行为，控制晶粒大小和形状，从而提高铝铪合金的淬透性、断裂韧性和抗应力腐蚀性能。整个制备过程无污染，成本低，覆盖剂和二氧化铪可重复利用，工艺简单易行。
一种合金制备方法

[发明专利]基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法-CN201611032861.3在审
发明人：刘红侠;汪星;赵璐;冯兴尧;费晨曦;王永特 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-05-31 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Ge衬底的铪基铝酸盐高K金属栅结构及制备方法。主要解决传统氧化铪高K金属栅结构栅氧化层结晶温度低、栅氧化层/衬底界面层厚度大，及栅极金属离子向栅氧化层扩散的问题。该高K金属栅结构自下而上包含Ge衬底(1)、厚度为4‑10nm的铪基铝酸盐高k栅介质薄膜(2)、厚度为2‑3nm的TiN阻挡层(3)、厚度为4‑6nm的Ti氧元素吸附层(4)以及厚度为100‑150nm重金属Pt栅电极(5)，其中，铪基铝酸盐高k栅介质薄膜采用HfAlO3或HfO2/Al2O3叠层结构；本发明的结晶温度高、电学特性和栅氧化层/衬底界面特性好，可用于制造高介电性能的金属氧化物半导体场效应晶体管
基于 ge 衬底铪基铝酸盐高金属结构制备方法

[发明专利]晶体管的集成偶极流-CN202080040979.9在审
发明人：林永景;卡拉·M·伯纳尔·拉莫斯;李路平;陈世忠;杰奎琳·S·阮奇;杨逸雄;史蒂文·C.H·洪;斯里尼瓦斯·甘迪科塔;吉田尚美;董琳 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-05-19 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：偶极层包括以下的一者或多者：氮化钛镧(TiLaN)、氮化钛钇(TiYN)、氮化钛锶(TiSrN)、氮化钛镁(TiMgN)、氮化钛铝(TiAlN)、氮化钛钽(TiTaN)、碳化铪(HfC)、氮化铪(HfN)、氮氧化铪(HfON)、碳氧化铪(HfOC)、碳化铪铝(HfCAl)、氮化铪铝(HfAlN)、或氮碳化铪(HfCN)。
晶体管集成偶极流

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