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[发明专利]利用氧等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜-CN201010241301.5有效
发明人：李效民;何邕;高相东;冷雪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明提供一种利用氧等离子体辅助的脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜的方法，特征在于，通过在脉冲激光沉积方法制备钛铌镁酸铅薄膜过程中引入高活性的氧等离子体，改善其结晶性和形貌，从而获得高质量钛铌镁酸铅薄膜具体过程是将钛铌镁酸铅靶材和衬底一起置于真空室中；将真空室抽真空，并将衬底加热至一定温度；然后通入一定量高纯氧气，通过气体电离系统施加高压将氧气电离，形成高活性氧等离子体；氧等离子体位于钛铌镁酸铅靶材和衬底之间；利用高能脉冲激光轰击钛铌镁酸铅靶材，产生高能等离子体，在衬底上沉积得到钛铌镁酸铅薄膜。本发明制备的钛铌镁酸铅薄膜结晶质量良好、结构致密，介电和铁电性能优异。
利用等离子体辅助脉冲激光沉积法制备钛铌镁酸铅薄膜

[发明专利]一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法与应用-CN201910962768.X在审
发明人：鲁圣国;黄明峰;王世斌 -专利权人：广东工业大学;东莞华南设计创新院
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-03 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：本发明属于功能陶瓷技术领域，公开了一种铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷及其制备方法和应用。所述铌镁酸铅‑钛酸铅厚膜陶瓷的化学通式为Pb(Mg
厚膜陶瓷陶瓷粉体制备铌镁酸铅钛酸铅制备方法和应用比例称取原料二次球磨功能陶瓷化学通式介电常数流延工艺流延浆料强度稳定球磨混合制备厚膜重要意义烧结极化分散剂两步法增塑剂粘结剂烘干溶剂称取储能粉体滚磨过筛生坯预烧

[发明专利]压电功能膜、致动器以及喷墨头-CN201780071648.X有效
发明人：水原健介;张替贵圣 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-12-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H10N30/853 文献下载
摘要：压电体层包含添加铌的锆钛酸铅。基底层包含：添加铌的钛酸铅、或者添加(铌、镧)的钛酸铅、或者添加(铌、镧、镁)的钛酸铅的任意一种。
压电功能致动器以及喷墨

[发明专利]弛豫型铁电单晶原料的制备方法-CN201410851375.9在审
发明人：徐卓;车俊;李振荣;王富贵 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2014-12-31 - 公布日： 2015-04-01 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种弛豫型铁电单晶原料的制备方法，针对铌镁酸铅-钛酸铅(PMN-PT)、铌锌酸铅-钛酸铅(PZN-PT)、铌铟酸铅-钛酸铅(PIN-PT)、铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅(PIN-PMN-PT)及其掺杂改性的弛豫铁电单晶材料，采用含结晶水的碱式碳酸镁，金红石型二氧化钛、高纯五氧化二铌，高纯三氧化二铟，高纯氧化锌与高纯氧化铅为原料，采用分步烧结，最终合成为所需化学组成的单晶原料，并对合成好的单晶原料再采用二次球磨
弛豫型铁电单晶原料制备方法

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法-CN201010117930.7无效
发明人：樊慧庆;陈晋 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2010-03-04 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： C25D13/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种铌镁酸铅-钛酸铅厚膜的制备方法，用于解决现有技术制备方法制备的铌镁酸铅-钛酸铅厚膜表面致密性差的技术问题，其技术方案是按照(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3配料，制备出(1-x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-xPbTiO3粉体，所得粉体经电泳沉积厚膜后自然干燥，经甩胶法制备一层氧化铅表面溶胶凝胶膜，或经冷等静压处理后在高温下富铅气氛烧结，得到铌镁酸铅-钛酸铅厚膜由于采用电泳沉积法制备铌镁酸铅-钛酸铅厚膜，提高了Si3N4-SiO2复相陶瓷的表面致密性。
铌镁酸铅钛酸铅厚膜制备方法

[发明专利]一种大功率压电陶瓷材料-CN90108248.1无效
发明人：邝安祥;周桃生;何昌鑫;柴荔英;谢菊芳 -专利权人：湖北大学
申请日： 1990-10-29 - 公布日： 1994-08-17 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明是对铌镁锆钛酸铅和铌锰锆钛酸铅进行了最佳组合和改性，从而获得在大功率使用下性能优异的铌镁酸铅，铌锰酸铅，锆酸铅，钛酸铅(PMMN)四元系压电陶瓷材料。解决了大功率压电变压器材料问题。
一种大功率压电陶瓷材料

[发明专利]压电单晶、压电单晶元件及其制造方法-CN200480030194.4有效
发明人：松下三芳;岩崎洋介 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-10-14 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：通过在镁铌酸铅－钛酸铅(PMN－PT)单晶或锌铌酸－钛酸铅(PZN－PT或PZNT)单晶中添加特定的添加物，提供一种压电特性优良且价格低廉的复合钙钛矿结构的压电单晶元件等。具体而言，压电单晶具有复合钙钛矿结构，是一种含有35～98mol％的镁铌酸铅[Pb(Mg_1/3Nb_2/3)O₃]或锌铌酸铅[Pb(Zn_1/3Nb_2/3)O₃]、0.1～64.9mol％的钛酸铅[PbTiO₃]以及0.05～30mol％的铟铌酸铅[Pb(In_1/2Nb_1/2)O₃]的组成物，其特征在于：该组成物中的0.05～10mol％的铅被置换为钙。
压电元件及其制造方法

[发明专利]制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法-CN200910071931.X无效
发明人：冯明;周玉;王文;贾德昌 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2009-04-30 - 公布日： 2009-10-07 - 主分类号： C04B41/50 文献下载
摘要：制备织构可控的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的方法，它涉及一种铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜的制备方法。本发明解决了现有技术中制备铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构不可控和致密度低的问题。本发明的方法先将醋酸铅溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液A，再将乙酸镁和乙醇铌的混合物溶于冰乙酸和乙二醇甲醚的混合溶液得溶液B，再向溶液B中加入钛酸四丁酯得溶液C，最后把溶液A和C混合并加入稳定剂得到本发明得到的铌镁酸铅-钛酸铅铁电薄膜材料织构可控，致密度高。
制备可控铌镁酸铅铅铁薄膜方法

[发明专利]一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷的方法-CN201010128011.X有效
发明人：方必军;丁晨露 -专利权人：江苏工业学院
申请日： 2010-03-19 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷的方法，属于功能陶瓷材料制备技术领域。本发明以氧化铅、五氧化二铌、硝酸镁、二氧化钛等为原料，通过反应烧结法、不经过煅烧、预烧等工艺，直接烧结制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷。本发明利用同质量、同组成的原料混合物作为焙烧粉提供铅源、在密封的氧化铝坩埚中采用平行叠片式陶瓷毛坯堆放方式四周覆盖焙烧粉，在880-1270℃直接烧结制备铌镁酸铅钛酸铅陶瓷。通过反应烧结法能制备纯钙钛矿结构、具有较高的致密度，电学性能与铌铁矿预合成法制备的陶瓷相当的陶瓷制品。
一种制备铌镁酸铅钛酸铅弛豫铁电陶瓷方法

[发明专利]铌镁酸铅-钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法-CN201710046406.7有效
发明人：孙华君;郭庆虎;隋慧婷;史文轩 -专利权人：武汉理工大学;淄博高新技术产业开发区先进陶瓷研究院
申请日： 2017-01-22 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： C23C18/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法，铌镁酸铅‑钛酸铅和锆钛酸铅薄膜以不同的顺序组成多层异质结构薄膜。本发明降低了容温变化率，提高了介电峰的宽化，增大其应用领域。
铌镁酸铅钛酸铅锆钛酸铅异质结构薄膜及其制备方法

[发明专利]基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及制备方法-CN201710161580.6在审
发明人：朱本鹏;吴鹏飞;朱宇航;杨晓非;陈实;欧阳君;张悦 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2017-03-17 - 公布日： 2017-06-27 - 主分类号： B06B1/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于PIN‑PMN‑PT三元系压电单晶的一维超声相控阵探头及其制备方法,该相控探头包括从下至上依次层叠的下电极、1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列、上电极阵列和柔性电路板；上电极阵列的阵元与其压电单晶阵列的阵元一一对应，柔性电路板上的印刷电路通道与上电极阵列的阵元对应；其制备方法包括采用光刻、刻蚀法进行切槽以形成1‑3复合的铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列，并通过溅射工艺在铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅压电单晶阵列下底面的压电片上形成下电极，在该压电单晶阵列的上表面形成上电极，并采用柔性电路板为电极提供连接外部电路的引线；本发明提供的一维超声相控阵探头可承受更高的工作温度和电场。
基于 pin pmn pt 三元压电超声相控阵探头制备方法

[发明专利]一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用-CN202211336278.7在审
发明人：陈祖煌;邵俊达 -专利权人：哈尔滨工业大学（深圳）
申请日： 2022-10-28 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H10N30/081 文献下载
摘要：本发明提供了一种柔性可弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法和应用，该制备方法包括如下步骤：步骤S1，准备水溶性铝酸锶Sr3Al2O6、铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材和SrTiO3衬底；步骤S2，采用激光脉冲沉积的方式，将铝酸锶Sr3Al2O6靶材在衬底上进行第一次沉积处理，然后将铌镁酸铅‑钛酸铅固溶体靶材进行第二次沉积处理，得到生长在牺牲层上的铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜；步骤S3，将步骤S2的产物浸入水中，待牺牲层溶解后，将铌镁酸铅‑钛酸铅薄膜转移到柔性衬底上。
一种柔性弯曲压电氧化物薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法-CN201611206295.3有效
发明人：徐小科;李效民;高相东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2016-12-23 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明涉及一种在氮化镓衬底上外延生长高质量铌镁钛酸铅薄膜的方法，所述铌镁钛酸铅薄膜的复合化学式为(1‑x)Pb(Mg
铌镁钛酸铅衬底薄膜氮化镓沉积激光频率外延生长取向氮化镓薄膜激光能量氧气气压原位退火缓冲层靶材制备分段氧气陶瓷复合填补

[发明专利]具有高机电耦合系数的薄膜体声波谐振器及制备方法-CN202210254730.9在审
发明人：钟慧;胡杰;张小德;王华磊;刘湉隽;李天年;吴晓彬 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-03-15 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明提供了具有高机电耦合系数的薄膜体声波谐振器及制备方法，属于MEMS谐振器技术领域；包括衬底和形成在衬底上的多层式压电结构，所述多层式压电结构由下至上依次包括下电极、压电薄膜层和上电极，所述压电薄膜层包括单晶压电薄膜，所述单晶压电薄膜为铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅单晶，所述单晶压电薄膜采用晶体离子切片技术制备获得；本发明的机电耦合系数达到了28％以上，拓宽了铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅(PIMNT)材料在薄膜体声波滤波器领域的应用，满足了制备大带宽滤波器的要求
具有机电耦合系数薄膜声波谐振器制备方法

[发明专利]一种低半波电压铌铟酸铅-铌镁酸铅-钛酸铅电光调制器及制备方法-CN202211634627.3在审
发明人：廖慧敏;胡庆元;庄永勇;徐卓;魏晓勇 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G02F1/035 文献下载
摘要：本发明公开了一种低半波电压铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅电光调制器及制备方法，包括衬底、光学波导、二氧化硅薄膜和调制电极；其中，所述衬底采用铌铟酸铅‑铌镁酸铅‑钛酸铅单晶材料，所述光学波导由金属钛自衬底的上表面向所述衬底的内部扩散设置而成
一种低半波电压铌铟酸铅铌镁酸铅钛酸铅电光调制器制备方法

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