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[发明专利]钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法-CN201810019438.2有效
发明人：李效民;黎冠杰;徐小科;高相东;毕志杰;陈永博 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2018-01-09 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： H01L41/187 文献下载
摘要：本发明涉及钛铌镁酸铅铁电薄膜氮化镓基外延集成及其制备方法，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜是由通过脉冲激光沉积技术依次形成在氮化镓半导体衬底上的TiO₂缓冲层、钴酸锶镧缓冲层以及钛铌镁酸铅铁电薄膜构成；所述氮化镓半导体衬底的取向包括（0002）面，所述钛铌镁酸铅铁电薄膜的外延取向为（111）面，所述钴酸锶镧缓冲层的外延取向为（111）面，所述TiO₂缓冲层为金红石相、外延取向为
电薄膜钛铌缓冲层外延取向氮化镓半导体氮化镓基外延钴酸锶镧衬底制备脉冲激光沉积技术金红石相取向

[发明专利]一种柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构的制备方法-CN201410207459.9有效
发明人：韩高荣;姜姗;郑雪飞;王玮琦;任召辉;徐刚;肖珍;刘振亚;翁文剑;杜丕一;沈鸽;赵高凌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2014-09-10 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开的柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构的制备方法，步骤包括：采用水热法制得粉末状一维柱状结构钛酸铅单晶纳米纤维，加无水乙醇超声波振荡成悬浮液滴至硅片上，经干燥、退火，得到四方相钛酸铅单晶纳米纤维，将其从硅片上刮下并加入无水乙醇，滴至柔性基底上，在柔性基底上形成钛酸铅单晶纳米纤维膜；然后以醋酸锌为氧化锌种子溶液，硝酸锌水溶液、六次甲基四胺水溶液及柠檬酸钠水溶液的混合液为氧化锌生长液，在具有钛酸铅单晶纳米纤维膜的柔性基底上生长氧化锌，得到柔性基底上钛酸铅/氧化锌复合纳米结构。柔性基底上制得的钛酸铅/氧化锌复合纳米结构纯度高，分散性好。
一种柔性基底上钛酸铅氧化锌复合纳米结构制备方法

[发明专利]一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法-CN200810239628.1无效
发明人：李敬锋;王轲 -专利权人：清华大学
申请日： 2008-12-12 - 公布日： 2009-05-13 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了属于功能陶瓷材料技术领域的一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法。铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，通式为：(1-x)(Na_0.52+yK_0.48)NbO_3+y/2-xLiNbO₃，0.058方法为，称取配料，将原料加入到球磨罐中球磨，烘干后得到混合料粉，将混合料粉在空气中预烧，随炉冷却，合成碱金属铌酸盐；将碱金属铌酸盐粉球磨粉碎，冷压成型后，冷等静压，得到碱金属铌酸盐预烧坯体，将冷等静压后的预烧坯体在空气中无压烧结，随炉冷却，得到铌酸钾钠基无铅压电陶瓷。制备的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷化学成分波动较小，性能稳定，压电性能优异，致密度非常高。
一种铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其低温烧结制备方法

[发明专利]一种低温合成镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及制备方法-CN200710118907.8无效
发明人：张波萍;徐婕慧;赵培 -专利权人：北京科技大学
申请日： 2007-06-14 - 公布日： 2007-11-07 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：一种低温合成的镁掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷，属于功能陶瓷环境友好型材料领域。本发明的优点在于：通过以MgO、MgCO₃或碱式碳酸镁为添加原料有效地降低了铌酸钾钠体系无铅压电陶瓷的烧结温度，在800－1040℃的低温范围内合成了性能优良的陶瓷样品。
一种低温合成掺杂铌酸钾钠基无铅压电陶瓷制备方法

[发明专利]一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法-CN202310024541.7在审
发明人：潘淼;谢清来;苏子生;王锋;周伯萌;苏建志 -专利权人：泉州师范学院
申请日： 2023-01-09 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电常数锆钛酸铅薄膜的制备方法，包括如下步骤：1)将PbO、TiO2和ZrO2按一定质量比混合，混匀后再添加聚乙烯醇(PVA)水溶液，充分研磨，压制成靶，再进行一次烧结；2)将步骤1)烧结后的物质进行球磨粉碎后，再往其内加入过渡金属氧化物，充分研磨，压制成靶，再进行二次烧结，烧结后制成掺杂锆钛酸铅靶材；3)用磁控溅射方法对烧结后制成的掺杂锆钛酸铅靶材进行锆钛酸铅薄膜沉积，并在一定功率密度下进行溅射；4)将锆钛酸铅薄膜进行快速热处理，得到高介电常数锆钛酸铅薄膜。
一种介电常数锆钛酸铅薄膜制备方法

[实用新型]微小型光电马达-CN200520079319.4无效
发明人：樊慧庆;唐波;刘来君;柯善明 -专利权人：西北工业大学
申请日： 2005-08-29 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： H02N1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种微小型光电马达，包括上定子(2)、转子(3)、下定子(4)、上定子电极(5)、转子电极(6)、下定子电极(7)以及转轴(8)，其特征在于：还包括锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)，锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)与下定子(4)固连，上定子电极(5)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的正极电连接，下定子电极(7)分别与锆钛酸镧铅压电陶瓷(1)的负极电连接。由于本实用新型将锆钛酸镧铅压电陶瓷材料与现有的微小型马达集成在一起，利用锆钛酸镧铅压电陶瓷材料的光生伏特效应产生的电压驱动微小型光电马达，将微小型马达的驱动方式由现有技术的电源驱动转变为光驱动。
微小光电马达

[发明专利]一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法-CN202011024601.8在审
发明人：庞东方;赵化愚 -专利权人：江西理工大学
申请日： 2020-09-25 - 公布日： 2021-01-01 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，化学通式为[N‑(1‑x)(Na0.5Bi0.5)TiO钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的制备方法，包括以下步骤：采用传统固相法制备钛酸铋钠基无铅压电陶瓷；将制备的钛酸铋钠基无铅压电陶瓷置于氨气氛中，并在低温下进行保温处理，制得氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷，氨气或脲提供氮源制得的氮掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷的电致应变为0.52‑1.1％，矫顽场为25.54‑48.47kv/cm，适合于制造大应变无铅压电致动器。
一种掺杂钛酸铋钠基无铅压电陶瓷及其制备方法

[发明专利]一种相变制备的介孔单晶钛酸铅材料的方法及介孔单晶钛酸铅材料-CN202211406510.X在审
发明人：周迪逵;施钧辉;张瑞安;任召辉;韩高荣 -专利权人：之江实验室;浙江大学
申请日： 2022-11-10 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C30B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种相变制备的介孔单晶钛酸铅材料的方法及介孔单晶钛酸铅材料。本发明将钛酸铅材料制成单晶纳米纤维后，利用在居里温度点附近的相变特性，通过热处理结合快速水冷，得到钛酸铅介孔单晶材料。本发明得到的钛酸铅介孔单晶材料内部存在大量分布均匀、刻面规则的六面体介孔，研磨后暴露的介孔表面展现较强的自发极化效应，对铁电材料的应用和介孔材料的设计指导具有重要意义。
一种相变制备介孔单晶钛酸铅材料方法

[发明专利]一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法-CN201310351426.7无效
发明人：霍晓青;郑立梅;王军军;张锐;王锐;桑士晶;曹文武;杨彬 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2013-12-11 - 主分类号： C30B29/30 文献下载
摘要：一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种铌酸钾钠基无铅压电单晶的制备方法。本发明要解决现有的铌酸钾钠基无铅压电单晶生长困难、单晶尺寸小和机电耦合系数低的问题。一种高机电耦合性能的钽掺杂铌酸钾钠无铅压电单晶的化学式为(K1-xNax)(Nb1-yTay)O3，其中0.4铌酸钾钠单晶尺寸大，质量良好；三、具有高的机电耦合性能。本发明可获得高机电耦合性能的压电晶体材料。
一种机电耦合性能掺杂铌酸钾钠无铅压电制备方法

[发明专利]铌酸钾钠基无铅压电单晶的生长方法-CN201310178562.0无效
发明人：刘莹;许桂生;刘锦峰;杨丹凤 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-05-14 - 公布日： 2014-11-19 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长铌酸钾钠(KxNa1-x)1-yLiyNbO3基无铅压电单晶的方法，包括：称取原料粉末；称取助熔剂，并与原料粉末混合；将起始料放入坩埚中，将坩埚置于炉中；坩埚在400～900℃保温2～20h，然后升高温度至700～1000℃，保温2～20h使起始料全部熔化，炉内温度以1～200℃/h的速度冷却到室温得到铌酸钾钠基无铅压电单晶。本发明采用低温制备技术生长的铌酸钾钠基无铅压电单晶为纯的钙钛矿结构，无杂相产生。
铌酸钾钠基无铅压电生长方法

[发明专利]一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷-CN201811619612.3有效
发明人：常云飞;杨彬;吴丰民;吴杰;曹文武 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2018-12-27 - 公布日： 2019-12-31 - 主分类号： C04B35/499 文献下载
摘要：一种低温织构高电学性能三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷，涉及一种三元系钛酸铅基弛豫铁电织构材料及其制备方法和应用。解决三元系钛酸铅基弛豫铁电普通陶瓷电学性能低，而高质量铅基织构陶瓷难以制备且烧结温度高的问题。三元系钛酸铅基弛豫铁电取向陶瓷的化学通式为xPb(A,Nb)O
钛酸铅基三元系弛豫铁电制备陶瓷取向制备方法和应用电学性能织构多层压电器件高电场区化学通式基体粉体片状微晶生长助剂陶瓷素坯织构材料织构陶瓷烧结宽温区膜片铅基细晶应用

[发明专利]一种锰掺杂的钛镁酸铋-钛酸铅压电单晶及其制备方法-CN201511026067.3有效
发明人：田彦锋;许桂生;刘锦峰;朱秀 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2015-12-30 - 公布日： 2019-03-19 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶及其制备方法，所述锰掺杂的钛镁酸铋‑钛酸铅压电单晶具有ABO₃型复合钙钛矿结构，其化学组成为(1‑x)Bi(Mg_1/2
压电单晶锰掺杂钛酸铅酸铋钛镁制备预烧处理化料复合钙钛矿结构掺杂改性掺杂离子高温应用化学组成介电损耗压电性能漏电流锰离子摩尔比助溶剂极化单晶式中掺杂

[发明专利]一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法-CN201210514211.8无效
发明人：董显林;王军霞;陈学锋;王根水;聂恒昌 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2012-12-04 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： C04B35/491 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镁改性的锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法，所述热释电陶瓷材料是以掺铌的锆钛酸铅Pb0.99(ZrxTi1-x)0.98Nb0.02O3为基体，采用氧化镁进行改性的陶瓷材料；具有如下组成通式本发明的MgO改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料的FRL-FRH相变温度降低至10～55℃,甚至能够移到室温（20～33℃）；在室温下介电常数和损耗变化小，而且具有较高的热释电性能，可以满足制作高性能单元热释电探测器的性能要求
一种氧化镁改性锆钛酸铅热释电陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种可调谐铁磁共振复合薄膜及其制备方法-CN202210324408.9在审
发明人：陈水源;李赫;苏超;霍冠忠;王可;张裕详 -专利权人：福建师范大学
申请日： 2022-03-29 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： C23C14/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种可调谐铁磁共振复合薄膜及其制备方法，所述复合薄膜包括采用脉冲激光沉积法依次沉积于铁电衬底上的缓冲层Ta层薄膜、FeGaB薄膜、防氧化层Ta层薄膜，所述铁电衬底为铌酸铅镁钛酸铅PMN‑PT
一种调谐磁共振复合薄膜及其制备方法

[发明专利]一种铌镁酸铅－钛酸铅热释电单晶材料及其应用-CN200410089072.4无效
发明人：罗豪甦;赵祥永;唐艳学;徐海清;贺天厚;林迪 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2004-12-03 - 公布日： 2006-09-27 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种铌镁酸铅－钛酸铅(PMNT)热释电单晶材料及其应用，属于热释电单晶领域。
一种铌镁酸铅钛酸铅热释电单晶材料及其应用