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[发明专利]一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用-CN202210370642.5有效
发明人：田蒙奎;蒋晓欢 -专利权人：贵州大学
申请日： 2022-04-10 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B01J27/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种红磷/钛酸锶异质结光催化剂及制备方法及应用。所述红磷/钛酸锶异质结光催化剂采用红磷和钛酸锶制备，具体是红磷均匀附着在钛酸锶的(110)及(100)晶面上，形成红磷/钛酸锶异质结结构。本发明具有制备方法工艺简单，制备时间短，条件温和，成本低廉，可实现规模性生产，且本发明制备的红磷/钛酸锶异质结光催化剂通过形成异质结结构的方式增强了光生载流子的分离和传输效率，光谱响应拓宽至425nm‑780nm，红磷/钛酸锶异质结光催化剂的光催化水解产氢活性有了大幅度提高，循环稳定性好，异质结的形成，克服了红磷光生电子和光生空穴复合快的缺点，拓宽了钛酸锶的可见光响应范围，提高了光催化活性的有益效果。
一种红磷钛酸锶异质结光催化剂制备方法应用

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明公开了铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用。该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。本发明异质结在铁电半导体存储器、磁电存储和电光开关等领域也具有广泛的潜在应用前景。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂及其制备方法和应用-CN202010595319.9在审
发明人：楚英豪;宋欣橙;方宁杰;刘勇军;邓一格;岑望来 -专利权人：四川大学
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： B01J27/232 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂及其制备方法和应用，本发明将SrCO3加入到C16H36base:Sub>3)2为原料的SrTiO3前驱体溶液中，通过条件温和、步骤简单的一步水热法原位合成钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂。制得的钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂可用于光催化水解产氢，相较于纯的钛酸锶或纯的碳酸锶，钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂的光催化水解产氢活性有了大幅度提高。同时本发明制备的钛酸锶/碳酸锶异质结光催化剂结晶良好，且通过形成异质结结构的方式增强了光生载流子的分离和传输效率，从而得以增强产氢速率。
一种钛酸锶碳酸锶异质结光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]一种钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂及其制备方法和应用-CN202110861232.6在审
发明人：陶然;李东珂;韩宇;范晓星 -专利权人：辽宁大学
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明属于光催化材料技术领域，具体涉及一种钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维的光催化剂及其制备方法和应用。制备方法，包括如下步骤：1)在DMF和硝酸混合液中加入碳酸锶和钛酸四正丁酯，之后在搅拌时加入PVP，得到前驱体，利用静电纺丝法得到碳酸锶/钛酸四正丁酯/PVP纳米纤维；2)将碳酸锶/钛酸四正丁酯/PVP纳米纤维在空气条件下煅烧，自然冷却，得到钛酸锶纳米纤维；3)将五水硝酸铋和钼酸钠溶解到乙醇和乙二醇的混合溶液中，再加入钛酸锶纳米纤维，利用水热法在钛酸锶纳米纤维表面生长钼酸铋纳米片得到钛酸锶/钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂异质结的形成可以大幅度提高钛酸锶的光催化活性。
一种钛酸锶钼酸铋异质结纳米纤维光催化剂及其制备方法应用

[发明专利]多孔薄壁二氧化钛/硫酸锶异质结空心纳米立方体及其制备方法-CN201910073920.9在审
发明人：张翠玲;胡陈果;王曌;王雪 -专利权人：重庆工商大学;重庆大学
申请日： 2019-01-25 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： B01J23/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔薄壁二氧化钛/硫酸锶异质结空心纳米立方体，由SrSO₄和TiO₂两种纳米颗粒或纯的TiO₂纳米颗粒堆砌形成边长为300～550nm、壁厚为40～55nm空心纳米立方体结构的异质结，该异质结的壁上分布有孔径为6～20nm的介孔；其制备方法：a制备立方体钛酸锶：通过原料质量比为1:1碳酸锶和二氧化钛、水、碱性物质通过复合碱和水热的方法得到立方体钛酸锶；b加热反应：将硫酸和立方体钛酸锶反应；c洗涤干燥得到空心纳米立方体结构的异质结。
空心纳米异质结制备二氧化钛钛酸锶立方体结构多孔薄壁纳米颗粒硫酸锶空穴光电转换效率分离效率光电性能光生电子加热反应碱性物质洗涤干燥复合碱碳酸锶质量比边长壁厚光解介孔水热堆砌硫酸水产

[发明专利]一种磁电异质结薄膜及其制备方法-CN202310813291.5在审
发明人：邱兆国;余相锋;郑志刚;曾德长 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-07-04 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： H10N50/85 文献下载
摘要：本发明公开了一种磁电异质结薄膜及其制备方法，包括依次层叠的钛酸锶基底层、钌酸锶电极层、铁酸铋铁电材料层和SmCo基铁磁材料层。该磁电异质结薄膜同时具有多铁层室温磁电耦合效应和铁磁层优异的磁性能，通过界面处较强的交换偏置效应，可以增强异质结薄膜的磁电耦合效应。
一种磁电异质结薄膜及其制备方法

[发明专利]利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器-CN200410069100.6无效
发明人：吕惠宾;黄延红;何萌;刘立峰;周岳亮;金奎娟;陈正豪;程波林;杨国桢 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2004-07-20 - 公布日： 2006-01-25 - 主分类号： G01J1/42 文献下载
摘要：本发明涉及利用氧化物异质结材料制作的快响应宽频段激光探测器，包括：一掺铌钛酸锶衬底上，和在其上外延生长的掺杂锰酸镧薄膜层，形成掺铌钛酸锶—掺杂锰酸镧氧化物异质结；或者在掺铌钛酸锶单晶衬底上外延生长一绝缘层，掺杂锰酸镧薄膜外延生长在绝缘层上，形成掺铌钛酸锶—绝缘层—掺杂锰酸镧氧化物异质结；第一电极设在掺杂锰酸镧薄膜上，第二电极设在底上，两根电极引线的一端分别与第一电极和第二电极连接，电极引线的另一端是信号输出端
利用氧化物异质结材料制作响应宽频激光探测器

[发明专利]一种BN负载TiO2-CN202110562748.0在审
发明人：陈根华 -专利权人：杭州点解新型材料有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： B01J27/24 文献下载
摘要：本发明涉及光催化降解技术领域，且公开了一种BN负载TiO2‑SrTiO3异质结光催化降解材料，通过水热法使晶核自组装得到枫叶状纳米二氧化钛，钬掺杂引起晶格缺陷，提高了二氧化钛的光响应频段，钛酸锶晶核被聚乙烯醇分子保护并逐渐聚集，形成钛酸锶纳米花，二氧化钛和钛酸锶形成异质结结构，在受到光辐射时，二氧化钛和钛酸锶产生光生电子‑空穴，异质结的存在能抑制光生电子
一种 bn 负载 tio base sub

[发明专利]基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法-CN202110333309.2在审
发明人：赵瑜;费维栋;李泽;李伟力;王黎东;盛捷 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-07-09 - 主分类号： G01K7/22 文献下载
摘要：基于石墨烯/钛酸锶钡异质结的高灵敏度温度传感器的制备方法，本发明属于温度传感器领域，它为了解决现有温度传感器的灵敏度和响应速度较低的问题。制备方法：一、采用固相烧结法制备钛酸锶钡陶瓷；二、裁剪负载于铜片上的石墨烯，在石墨烯上旋涂聚甲基丙烯酸甲酯；三、将旋涂后的石墨烯放入铜刻蚀液中，从铜刻蚀液中捞取石墨烯；四、将石墨烯转移至钛酸锶钡陶瓷的抛光面上，烘干处理；五、将烘干后的钛酸锶钡陶瓷放入丙酮中溶解聚甲基丙烯酸甲酯；六、将石墨烯‑钛酸锶钡异质结放入烘箱中烘干。当温度升高至钛酸锶钡的相变温度附近，电流相比室温而言分别上升速率较高，在较窄的相变温区内具有很高的电流变化率，从而具有较高的探测灵敏度。
基于石墨钛酸锶钡异质结灵敏度温度传感器制备方法

[发明专利]基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器及制备方法-CN201610490292.0在审
发明人：兰建龙 -专利权人：兰建龙
申请日： 2016-06-28 - 公布日： 2016-10-26 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：本发明公开了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器，紫外光探测器从下到上依次包括超薄硅片衬底、采用溶胶凝胶法在硅片衬底上生长的纳米SrTiO₃薄膜与纳米ZnO薄膜构成的ZnO/SrTiO₃异质结有源层、在ZnO/SrTiO₃异质结有源层上用磁控溅射法制备的Au叉指电极；待探测的紫外光从金属叉指电极的上方入射。相应地，本发明还提供了基于二氧化钛/钛酸锶异质结的紫外光探测器的制备方法。本发明制备的ZnO/SrTiO₃异质结金属‑半导体‑金属紫外光探测器具有制备方法简单，成本低廉，有望大规模生产的特点，对波长250nm‑350nm的紫外线具有良好的检测性能。
基于氧化钛酸锶异质结紫外光探测器制备方法

[发明专利]一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法-CN201910022200.X有效
发明人：陈明敬;宁兴坤;方立德;孟庆刚;王江龙;王淑芳;李小亭 -专利权人：河北大学
申请日： 2019-01-10 - 公布日： 2020-12-29 - 主分类号： C23C14/28 文献下载
摘要：本发明提供了一种钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法，所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的厚度为30~60 nm，其包括钌酸锶薄膜和镧锶锰氧薄膜，所述镧锶锰氧薄膜中各成分的摩尔比La∶Sr∶Mn∶O=1‑x∶x∶1∶3，0≤x≤1；所述钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结是采用脉冲激光沉积法制得的。本发明钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的制备工艺简单，生产成本低，通过改变镧锶锰氧薄膜中Sr元素的掺杂含量可精确有效调控钌酸锶/镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结的横向、纵向交换偏置方向和数值，应用前景广阔
一种钌酸锶镧锶锰氧过渡金属氧化物异质结及其制备方法

[发明专利]基于稀土镍酸盐-铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用-CN201711099351.2有效
发明人：王先杰;周倩;胡昌;隋郁;宋波 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： H01L31/109 文献下载
摘要：基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料及其传感器制备方法和应用，本发明属于传感器领域，它为了解决现有紫外光电探测器的响应速度较慢，未有同时兼具自驱动紫外光电传感器和位敏传感器材料器件的问题。该基于稀土镍酸盐‑铌掺杂钛酸锶的异质结材料具有p‑n结结构，在n型铌掺杂钛酸锶基片上采用激光脉冲沉积有厚度为5～20nm的p型镍酸盐氧化物层，其中的镍酸盐氧化物为镍酸钕、镍酸钐或镍酸钆。在该异质结表面镀有金电极制备传感器，此传感器能够应用于自驱动紫外光电探测器和位敏传感器中。
基于稀土镍酸盐掺杂钛酸锶异质结材料及其传感器制备方法应用

[发明专利]基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器及其制备方法-CN202010472254.9有效
发明人：陈敦军;董燕;谢自力 -专利权人：南京大学
申请日： 2020-05-29 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于钛酸锶/铝酸镧异质结的pH传感器，其结构包括：钛酸锶/铝酸镧异质结，以及蒸镀在LaAlO3层上的两块接触电极，接触电极下方的LaAlO异质结器件应用于溶液的pH值检测，器件采用无栅极单感测区设计，测试结果表明，器件对溶液pH值表现出良好的感测性能，且制备工艺简单，体积小，将在多领域具有广泛应用。
基于钛酸锶铝酸镧异质结 ph 传感器及其制备方法

[发明专利]钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法-CN200710121834.8无效
发明人：符汪洋;周岳亮;曹玲柱;汪宏 -专利权人：中国科学院物理研究所;西安交通大学
申请日： 2007-09-14 - 公布日： 2009-03-18 - 主分类号： H01B3/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料，包括至少一层钛酸锶钡层和至少一层铌酸锌铋层，其中，所述钛酸锶钡层为锰掺杂的钛酸锶钡层。本发明的钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料有机地结合了钛酸锶钡材料的高介电可调性与铌酸锌铋材料的低介电损耗特性，通过使用锰掺杂钛酸锶钡层，以及有目的地调控锰掺杂钛酸锶钡和铌酸锌铋层各自的厚度和生长条件，得到了一种同时具有高介电可调率和低介电损耗特性的锰掺杂钛酸锶钡/铌酸锌铋异质结构材料。
钛酸锶钡铌酸锌铋异质结构材料及其制备方法

[发明专利]基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法-CN202111006739.X在审
发明人：姜昱丞;龚帅楠;高炬 -专利权人：苏州科技大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/267 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于二维碲烯/二维电子气异质结的二极管及其制备方法，属于半导体技术领域。本发明将二维碲烯转移至钛酸锶衬底表面，再通过氩离子束轰击在钛酸锶衬底表面诱导出二维电子气，与二维碲烯接触形成范德华异质结。本发明所述的二维碲烯纳米线/二维电子气异质结、二维碲烯纳米片/二维电子气异质结的正向电流比反向电流分别高出103和107异质结二极管结构简单、制备简单、性能优良，可广泛运用于电子芯片、智能器件等领域。
基于二维电子气异质结二极管及其制备方法

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