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[发明专利]柔性储能薄膜的制备方法-CN201811611926.9有效
发明人：冯雪;王志建;陈颖 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01G4/002 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性储能薄膜的制备方法。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；在所述柔性金属衬底上沉积形成钛酸锶薄膜预制层；对带有钛酸锶薄膜预制层的柔性金属衬底进行热处理得到钛酸锶层，从而得到柔性储能薄膜。该储能薄膜采用钛酸锶材料，通过该制备方法实现储能薄膜的柔性化。同时，制备得到的储能薄膜具有高介电常数、低介电损耗、高击穿场强和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
柔性薄膜制备方法

[发明专利]一种无铅反铁电体与聚合物共混的电介质材料制备方法-CN202010254663.1有效
发明人：汶飞;杨平安;李丽丽;吴薇;徐卓;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-04-02 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种无铅反铁电体与聚合物共混的电介质材料制备方法。本发明制备得到的电介质材料由聚合物和分散在聚合物中的无铅反铁电粒子——钛酸铋钠‑钛酸锶钡组成；所述的无铅反铁电粒子通过固相法合成。所述的无铅反铁电粒子通过加入偶联剂进行改性。采用流延法制备得到复合薄膜材料，其中无铅反铁电粒子的质量分数是1～50％，所得的薄膜厚度为5～30微米。本发明采用的反铁电粒子是无铅的，对环境和人体身体健康友好。本发明制备的复合薄膜材料击穿场强400MV/m，储能密度高达15.3J/cm3；是一种可用于电容器、大功率静电储能材料。
一种无铅反铁电体聚合物电介质材料制备方法

[发明专利]一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法-CN202010132560.8有效
发明人：李丽丽;胡永倩;周炳;吴薇;董林玺;王高峰 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2020-02-29 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种高介电高储能的二维片状钛酸锶复合材料及制备方法。介电复合材料制备中，高体积分数无机物粒子的加入，会导致聚合物的机械性能和击穿强度大幅度降低。所述的复合材料是由片状钛酸锶和PVDF基聚合物组成的；钛酸锶纳米片在复合材料中的质量分数为1～30％，钛酸锶纳米片的粉体片径为0.1～10μm，厚度为10～100nm；所述的PVDF基聚合物包含聚偏氟乙烯本发明使用二维片状钛酸锶作为无机添加粒子，可以有效降低添加物的含量，避免高含量无机粒子添加导致的机械性能和击穿强度的下降。
一种高介电高储能二维片状钛酸锶复合材料制备方法

[发明专利]一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法-CN201110340843.2有效
发明人：张约品;王实现;王冲;夏海平 -专利权人：宁波大学
申请日： 2011-11-02 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法，具体步骤为①按(1-y)Ba1-xSrxTiO3-yPbTiO3化学式比例将硝酸铅、硝酸钡、硝酸锶溶于去离子水中，再加入与金属离子摩尔比为1∶2的柠檬酸得到混合溶液；将钛酸丁酯溶于乙二醇中得到钛酸丁酯溶液；将上述的混合溶液与钛酸丁酯溶液混合搅拌，调节pH值，得到前驱液；将前驱液烘干成凝胶；②将凝胶放入马弗炉内煅烧，合成钛酸锶钡-钛酸铅粉体；③将钛酸锶钡-钛酸铅粉体压制成坯体，铅气氛保护烧结，制得钛酸锶钡-钛酸铅热释电陶瓷，优点在于在BST陶瓷基上掺入适量PT，制成得到性能更好的复合陶瓷铁电驰豫材料，所用方法可以将粉体钙钛矿相的合成温度大幅降低，粉体颗粒尺寸小一个数量级，颗粒分布均匀
一种钛酸锶钡钛酸铅热释电陶瓷及其制备方法

[发明专利]高压电常数锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷-CN201010223376.0无效
发明人：刘来君;吴枚霞;杨曌;方亮;胡长征 -专利权人：桂林理工大学
申请日： 2010-07-08 - 公布日： 2010-11-24 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压电常数锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷。本发明配方制备的锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷具有非常良好的介电特性、高压电常数，与纯的钛酸钡陶瓷相比，压电常数可以提高2至3倍，与传统铅基压电陶瓷相比具有明显的优点，成分无铅，适合环境保护要求，此类无铅压电陶瓷非常适合于中
高压电常数锡钛酸锶钡系无铅压电陶瓷

[发明专利]一种高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷及其制备方法-CN201510069795.6有效
发明人：沈宗洋;汪羽;李月明;王竹梅;骆雯琴;洪燕;宋福生 -专利权人：景德镇陶瓷大学
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷，以通式BaxSr1‑xTiO3+y熔块表示，其中x表示Ba组成元素的摩尔分数，0≤x≤0.5，y表示熔块对BaxSr1‑xTiO3的质量百分比，0＜y≤15此外，还公开了上述高温低损耗钛酸锶钡基储能陶瓷的制备方法。本发明不仅实现了低温烧结，使得储能陶瓷耐压强度显著提高，而且与此同时其高温条件下的介电损耗显著降低，从而大大拓展了钛酸锶钡基储能陶瓷在高温高压极端条件下作为固态储能介质材料领域的应用，有利于促进高储能密度陶瓷技术的应用和发展
一种高温损耗钛酸锶钡基储能陶瓷及其制备方法

[发明专利]铁电半导体/铁磁单晶薄膜异质结及制备方法和应用-CN202210100485.6在审
发明人：任召辉;陈嘉璐;林宸;田鹤;韩高荣 -专利权人：浙江大学
申请日： 2022-01-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：该异质结是以生长有单晶镧锶锰氧的钛酸锶单晶基板作为基底，并在镧锶锰氧层外延生长钛酸铅单晶薄膜而形成的钛酸铅/镧锶锰氧单晶薄膜异质结。该异质结具有金属‑绝缘体转变。该异质结中，外延钛酸铅单晶薄膜的表面平整，外延钛酸铅单晶薄膜的内部晶格排列整齐，钛酸铅/镧锶锰氧异质结界面呈原子级平整。本发明异质结通过水热方法制备得到，其具有优异的光伏性能，且在光照条件下电阻受磁场影响显著，可用作无源光电探测器或光控磁电探测设备。
半导体铁磁单晶薄膜异质结制备方法应用

[发明专利]一种具有高储能密度的钛酸锶基电介质陶瓷及其制备方法-CN201910964226.6在审
发明人：王晓飞;欧阳磊;胡秋波;周锋子;朱照飞;李立本 -专利权人：河南科技大学
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2019-12-20 - 主分类号： C04B35/47 文献下载
摘要：本发明开了一种具有高储能密度的钛酸锶基电介质陶瓷的制备方法，方法如下：先按照化学计量比SrTiO
陶瓷排塑致密电介质陶瓷随炉冷却烧结研磨粉体坯体素坯加热保温高温烧结过程一次压制成型添加物化学计量比电场二次压制钛酸锶基粘合剂低熔点高储能细粉体致密化烘干击穿称取储能粉料过筛坯料球磨折算制备成型破碎

[发明专利]一种钛酸锶基无铅耐高压储能陶瓷材料及其制备方法-CN201710773120.9有效
发明人：杨海波;闫非;林营 -专利权人：陕西科技大学
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2020-09-22 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：一种无铅高储能密度和储能效率陶瓷材料及其制备方法，按照化学式(1‑x)SrTiO3‑x(0.93Bi0.5Na3)进行配料并混合均匀，得到原料粉体，将有机溶剂和乳化剂混合均匀，然后加入原料粉体、粘结剂、分散剂和增塑剂，并混合均匀，进行流延成型，然后裁切和叠加、加压、排胶、烧结，得到钛酸锶基无铅耐高压储能陶瓷材料本发明的陶瓷材料制备工艺简单、技术成熟，适合工业化生产，其储能特性优良，基于电滞回线计算的储能密度在1.80～2.83J/cm3，储能效率在74～87％，电场强度在
一种钛酸锶基无铅耐高压陶瓷材料及其制备方法

[发明专利]一种钛酸钡基无铅高压陶瓷电容器材料-CN200910264549.0无效
发明人：钱云春 -专利权人：钱云春
申请日： 2009-12-28 - 公布日： 2010-06-30 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种钛酸钡基无铅高压陶瓷电容器材料，以钛酸钡、钛酸铋、钛酸锶及钛酸钙为原料。将上述材料混合后加入聚乙烯醇压制成型，然后在1220℃左右烧结得到耐高压的无铅陶瓷电容材料，采用本瓷料配方烧结的电容器材料，其耐压强度值提高到16.9kv/mm，介电常数εr＝2089，在1MHz的交流工作电流下
一种钛酸钡基无铅高压陶瓷电容器材料

[发明专利]一种钛酸锶铅薄膜的溶胶凝胶制备方法-CN201110395516.7有效
发明人：孙小华;李修能;周生刚;侯爽;罗志猛 -专利权人：三峡大学
申请日： 2011-12-03 - 公布日： 2012-06-27 - 主分类号： B32B9/00 文献下载
摘要：一种高调谐性钛酸锶铅薄膜的溶胶凝胶制备方法，以钛酸四丁酯，三水醋酸铅，醋酸锶为原料，乙二醇甲醚和醋酸为溶剂，制备出钛酸锶铅溶胶先驱体。采用旋涂法在基片上制备薄膜并退火处理,重复数次获得的钛酸锶铅铁电薄膜。本发明制备的钛酸锶铅薄膜致密、粒度均匀、质量较好、没有不明第二相，并且得到的钛酸锶铅薄膜具有较高的可调性，整套工艺简单，周期相对较短，节约了时间和成本，为制备高性能的钛酸锶铅薄膜提供了新方法，具有良好的市场应用前景
一种钛酸锶铅薄膜溶胶凝胶制备方法

[发明专利]柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器-CN201810829730.0有效
发明人：冯雪;王志建 -专利权人：浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请日： 2018-07-25 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： H01G13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种柔性储能薄膜及其制备方法、薄膜电容器。所述制备方法包括：提供一柔性金属衬底；以金属单质作为靶材，采用磁过滤多弧离子镀方法在柔性金属衬底上沉积形成金属薄膜；以钛酸锶作为靶材，采用磁控溅射方法在金属薄膜上沉积形成钛酸锶预制层；对沉积有金属薄膜和钛酸锶预制层的柔性金属衬底进行热处理，使金属薄膜中的金属原子向钛酸锶预制层扩散，得到陶瓷薄膜，陶瓷薄膜包括依次贴合于金属薄膜的金属原子掺杂钛酸锶的扩散固溶层和钛酸锶层。通过该制备方法实现了储能薄膜柔性化，同时还使储能薄膜具有高可靠性和高储能密度，可以用作薄膜电容器的电介质材料。
柔性薄膜及其制备方法电容器

[发明专利]一种高储能密度铌酸锶钠-钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法-CN202310285132.2有效
发明人：郑鹏;斯裴笑看;白王峰;郑梁;张阳 -专利权人：杭州电子科技大学
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C04B35/495 文献下载
摘要：本发明公开了一种高储能密度铌酸锶钠‑钛酸铋钾无铅储能陶瓷及制备方法，采用固相合成方法，以填充型钨青铜材料Sr2NaNb5O15为基础，掺入一定量钙钛矿材料(Bi0.5K0.5)TiO储能介质陶瓷材料，具有较高的可恢复储能密度Wrec＝4.54J/cm3，较高的储能效率η＝94.02％所述制备方法工艺流程简单，适合工业化生产，同时符合无铅环保的要求。
一种高储能密度铌酸锶钠钛酸铋钾无铅储能陶瓷制备方法

[发明专利]具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法-CN200710068448.7无效
发明人：杜丕一;李晓婷;翁文剑;韩高荣;赵高凌;沈鸽;徐刚;张溪文 -专利权人：浙江大学
申请日： 2007-04-30 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有镍酸锂缓冲层的外延钛酸锶铅薄膜及制备方法。在MgO基板的一面沉积一层缓冲层导电电极LNO薄膜，在缓冲层导电电极LNO薄膜上再沉积一层钙钛矿相PST薄膜。其步骤如下：首先以碳酸锂，氧化镍，碳酸铅，碳酸锶，氧化钛为原料，用固相烧结法分别制备镍酸锂靶材和钛酸锶铅靶材；其次将(001)MgO基板清洗后放入反应室，反应室抽真空，并加热基板，以氧气为保护气体，引入反应室中，脉冲激光溅射靶材，在基板上先后外延沉积镍酸锂缓冲层和钛酸锶铅薄膜。本发明制备方法简单，制得的钛酸锶铅薄膜外延性好，质量高，薄膜的介电可调性可达40％到70％。
具有镍酸锂缓冲外延钛酸锶铅薄膜制备方法

[发明专利]一种钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜及其制备方法和应用-CN201510211706.7有效
发明人：郝喜红;徐子盛;张利文;张奇伟;杨吉春;安胜利 -专利权人：内蒙古科技大学
申请日： 2015-04-29 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： C04B35/475 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜及其制备方法和应用，该钛酸铋钠基0‑3无铅复合铁电厚膜的化学成份复合化学通式为(0.95Na0.5Bi0.5TiO3‑0.05SrTiO3)‑x(K0.5Na0.5)NbO3，其中0≤x≤1.8，是由(K0.5Na0.5)NbO3)粉体和0.95(Na0.5Bi0.5)TiO3‑0.05SrTiO3胶体0‑3复合而成，与现有的技术相比，钛酸铋钠基0‑3复合铁电厚膜具有取向度高，致密度高，拥有较大的储能密度的同时具有较大的储能效率，可广泛用于储能元器件等方面的应用。
一种钛酸铋钠基复合铁电厚膜及其制备方法应用