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[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜及其制备方法、应用-CN201610553010.7有效
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜，包括钇铝石榴石衬底和GaN薄膜；所述GaN薄膜外延生长在所述钇铝石榴石衬底上；所述钇铝石榴石衬底以(111)面偏(100)面0.5‑1°为外延面，所述钇铝石榴石衬底和所述GaN薄膜的取向关系为：GaN薄膜的(0001)面平行于钇铝石榴石衬底的(111)面。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。另外，本发明还把所述生长在钇铝石榴石衬底上的GaN薄膜应用于LED器件、光电探测器、太阳能电池器件中。
生长石榴石衬底 gan 薄膜及其制备方法应用

[发明专利]一种从赤泥中提取钇铁石榴石、钇铝石榴石和钇镓石榴石的方法-CN201910312455.X有效
发明人：李尉卿;罗春祥;范金周;朱丽娟 -专利权人：河南省冶金研究所有限责任公司
申请日： 2019-04-18 - 公布日： 2021-05-04 - 主分类号： C01G49/00 文献下载
摘要：本发明属于工业废渣治理及资源化综合利用环境保护领域，公开了一种从赤泥中提取钇铁石榴石、钇铝石榴石和钇镓石榴石的方法。该方法采用X‑射线衍射仪、ICP‑AES、扫描电镜磁选机和摇床从赤泥中提取钇铁石榴石（YIG）、钇铝石榴石（YAG）和钇镓石榴石（YGG）。提取后的钇铁石榴石（YIG）得率10%，钇铝石榴石（YAG）得率4%，钇镓石榴石（YGG）得率5%。实现了资源的综合利用，减少了废水、废物的对外排放，为赤泥的减量化、资源化提供了一个新的应用方向。
一种赤泥中提取铁石石榴石方法

[发明专利]提升钇铝石榴石陶瓷粉体的均匀性和流动性的方法-CN202210918229.8在审
发明人：吴倩颖;周进;袁厚呈;刘章;杨洋 -专利权人：江苏铁锚玻璃股份有限公司
申请日： 2022-08-01 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C04B35/626 文献下载
摘要：本申请涉及一种提升钇铝石榴石陶瓷粉体的均匀性和流动性的方法，包括以下步骤：制备钇铝石榴石陶瓷粉体；去除钇铝石榴石陶瓷粉体中的分散介质，然后碾碎钇铝石榴石陶瓷粉体，并用网筛过筛，得到第一次提纯的钇铝石榴石陶瓷粉体；将上述提纯的钇铝石榴石陶瓷粉体放入罐体中，然后将罐体放入物料匀混仪中固定；物料匀混仪带动罐体高速摆转一定时间后，再次使用网筛过筛，得到第二次提纯的钇铝石榴石陶瓷粉体。提升钇铝石榴石陶瓷粉体的均匀性和流动性的方法，其所制得的钇铝石榴石陶瓷粉体休止角约39°，小于40°的分界线，松装密度达到1.03g/ml，流动性能优异，能够确保干压成型密度相对均匀，不易开裂和分层，且成本较低
提升石榴石陶瓷均匀流动性方法

[发明专利]一种钇铝石榴石单晶的制备方法-CN201110394948.6有效
发明人：王海丽;沈德忠;黄存新;陈建荣;张书峰;王震 -专利权人：北京中材人工晶体研究院有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C30B1/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种钇铝石榴石单晶的制备方法，包括以下步骤：1)在钇铝石榴石粉料中加入正硅酸乙酯和/或氧化镁，再加入无水乙醇，混合后，再依次进行干燥、煅烧、真空热压处理，得到钇铝石榴石陶瓷；2）将步骤1）中得到的钇铝石榴石陶瓷进行单面抛光，得到单面抛光的钇铝石榴石陶瓷，然后与单面抛光的钇铝石榴石单晶进行光胶处理，然后再进行热等静压处理，即得到所述钇铝石榴石单晶。
一种石榴石制备方法

[发明专利]氧化锆-钇铝石榴石复合陶瓷及由其制备的骨植入假体-CN202110503694.0在审
发明人：曹小刚;张琳 -专利权人：苏州宸泰医疗器械有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： C04B35/48 文献下载
摘要：本发明涉及氧化锆‑钇铝石榴石复合陶瓷，含有60～90wt％的Y‑TZ氧化锆和10～40wt％的钇铝石榴石。本发明进一步涉及制备氧化锆‑钇铝石榴石的方法以及由氧化锆‑钇铝石榴石复合陶瓷制备的骨植入假体。
氧化锆石榴石复合陶瓷制备植入

[发明专利]一种规模化生产连续钇铝石榴石长丝的方法-CN202210735404.X在审
发明人：斯阳;贾煜;丁彬;俞建勇;王学利 -专利权人：东华大学
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及一种规模化生产连续钇铝石榴石长丝的方法，包括制备钇铝石榴石前驱体溶胶和氧化锆前驱体溶胶，且将其两者按一定比例混合，充分搅拌后加入高分子纺丝助剂，并进行加热搅拌和冷凝回流，获得透明的复合溶胶；进行减压蒸馏处理，获得可纺性钇铝石榴石前驱体溶胶。经过干法纺丝成型制备杂化连续长丝，然后杂化连续长丝进行干燥和高温煅烧处理，获得连续钇铝石榴石长丝。与现有技术相比，本发明制备的可纺性钇铝石榴石前驱体溶胶，具有良好的成纤性能，且获得连续钇铝石榴石长丝纯度高、表面光滑、柔韧性好、直径为10～40um、长度可达千米。
一种规模化生产连续石榴石长丝方法

[发明专利]一种钇铝石榴石晶体镜片及其加工方法-CN201810008155.8在审
发明人：屈菁菁;丁雨憧;付昌禄 -专利权人：中国电子科技集团公司第二十六研究所
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-06-01 - 主分类号： G02B1/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种钇铝石榴石晶体镜片及其加工方法，该镜片由钇铝石榴石晶体制成；所述加工方法，包括如下步骤：1）在坩埚中加入钇铝石榴石晶体原料，然后加热熔化；2）进行提拉引晶生长，形成钇铝石榴石毛坯晶体；3）将钇铝石榴石毛坯晶体进行套帮、研磨、滚圆或偏心滚圆后形成晶棒；4）再对晶棒进行多线切割并倒边角、双面研磨、抛光制成所需尺寸的镜片。
镜片钇铝石榴石晶体钇铝石榴石毛坯晶棒加工偏心多线切割加工效率加热熔化双面研磨研磨成品率倒边角抛光刮花提拉引晶坩埚生长

[发明专利]一种用于白光LED的钇铝石榴石发光陶瓷体的制备方法-CN201010564147.5无效
发明人：王达健;王鹏;蔡毅;徐所成;郑玺;仇坤;田华;陆启飞;费沁妮;毛智勇;吕天帅;于文惠 -专利权人：天津理工大学
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：一种用于白光LED的钇铝石榴石发光陶瓷体的制备方法，步骤为：1)将钇铝石榴石和稀土掺入物的粉料与无水乙醇混合；2)将混合物超声振荡、烘箱干燥后得到陶瓷粉；3)将陶瓷粉用模型压制成陶瓷坯；4)将陶瓷坯在空气气氛中烧结，随炉冷却后即可制得钇铝石榴石发光陶瓷。本发明的优点是：只需在1400摄氏度条件下和在空气中烧结钇铝石榴石发光陶瓷，工艺简单、烧结条件温和。因为钇铝石榴石与掺入的二氧化硅形成了共熔体，降低了烧结温度，所以很好的抑制了杂相，而且不需要热处理来析出晶体相，因此低耗低。该钇铝石榴石发光陶瓷的热稳定性好、热传导率高、光导出率高、硬度高和柔韧性好，使钇铝石榴石发光陶瓷直接白光LED封装成为现实。
一种用于白光 led 石榴石发光陶瓷制备方法

[发明专利]溶胶－凝胶法制备钇铝石榴石基连续纤维的工艺-CN201010509820.5有效
发明人：谭宏斌;郭从盛;傅明星 -专利权人：陕西理工学院
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-04-13 - 主分类号： D01F9/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种溶胶-凝胶法制备钇铝石榴石基连续纤维的工艺，以钇铝石榴石为主要成分，通过加入第二组分作为晶粒抑制剂。在蒸馏水中加入无机铝盐、氧化钇、晶粒抑止剂、醋酸和金属铝，混合物溶液在一定温度、连续搅拌和冷凝回流条件下反应得到含晶粒抑止剂的钇铝石榴石溶胶。采用干法或湿法纺丝得到含有有机物的钇铝石榴石基连续纤维原丝。将原丝干燥、烧结得到钇铝石榴石基纤维。本发明制备的钇铝石榴石基连续纤维可用于复合材料中的增强体，提高材料强度、韧性及耐热性能，在航空航天、汽车等领域得到广泛的应用。
溶胶凝胶法制备钇铝石榴石连续纤维工艺

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱及制备方法-CN201610555803.2在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开了生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱，包括钇铝石榴石衬底、GaN缓冲层和InGaN/GaN量子阱，所述钇铝石榴石衬底上依次生长所述GaN缓冲层和所述InGaN/GaN量子阱。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的InGaN/GaN多量子阱的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。
生长石榴石衬底 ingan gan 多量制备方法

[发明专利]生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片及制备方法-CN201610557495.7在审
发明人：李国强 -专利权人：河源市众拓光电科技有限公司
申请日： 2016-07-12 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片，包括钇铝石榴石衬底，在所述钇铝石榴石衬底上依次生长GaN缓冲层、非掺杂GaN层、n型掺杂GaN薄膜、InGaN/GaN量子阱和p型掺杂GaN薄膜。本发明还公开了所述生长在钇铝石榴石衬底上的LED外延片的制备方法，该制备方法工艺简单，制备成本低廉。
生长石榴石衬底 led 外延制备方法

[发明专利]石榴石基质彩色宝石及其生长方法-CN201610496467.9在审
发明人：董永军 -专利权人：安徽中科镭泰激光科技有限公司
申请日： 2016-06-29 - 公布日： 2018-01-05 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种石榴石基质彩色宝石，所述石榴石基质彩色宝石的组分包括单晶钇铝石榴石Y3Al5O12和掺杂物质X元素和RE元素，所述X元素为过渡金属元素中的一种以上元素，所述RE为锰、钬、铥中的一种以上元素本发明还提供石榴石基质彩色宝石的生长方法。通过上述方式，本发明提供的石榴石基质彩色宝石采用单晶钇铝石榴石作为基质，单晶钇铝石榴石的晶体结构为立方晶体，均质高且硬度高。另外，通过掺入铬、铈、锰等离子使得单晶钇铝石榴石具有不同的颜色，并通过不同的浓度配比来改变生长的宝石的颜色深度，如此，易于满足消费者们对宝石色彩的需求。
石榴石基质彩色宝石及其生长方法

[发明专利]一种具有择优取向的多晶钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法-CN201110327486.6有效
发明人：刘婷婷 -专利权人：上海亚明灯泡厂有限公司
申请日： 2011-10-25 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有择优取向的多晶钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法。本发明的具有择优取向的多晶钇铝石榴石透明陶瓷的制备方法为，将均匀且分散性良好的浆料体系置于强磁场中成型，因微小颗粒表面带有电荷，发生定向移动，最终得到具有择优取向分布的多晶钇铝石榴石透明陶瓷素坯；制备好的素坯经过优化的烧结工艺，最终得到具有择优取向的多晶钇铝石榴石透明陶瓷。本发明所制备的多晶钇铝石榴石透明陶瓷局部或者全部晶粒的生长具有择优取向，即沿着某一方向排列，从而减弱了入射光在晶界处发生的散射及折射现象，最终直线透过率得到大幅度的提高。
一种具有择优取向多晶石榴石透明陶瓷制备方法

[发明专利]掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及生长方法和装置-CN201711212015.4有效
发明人：李洪峰;李兴旺;莫小刚;王永国;王军杰;杨国利;杜秀红;韩剑锋;毕海 -专利权人：北京雷生强式科技有限责任公司
申请日： 2017-11-28 - 公布日： 2019-10-25 - 主分类号： C30B29/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺杂钇铝石榴石激光晶体、键合晶体及其生长方法和装置，属于激光材料领域。该掺杂钇铝石榴石激光晶体掺杂有钐离子，以及用于使所述掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收峰蓝移的掺杂离子。通过向其中掺杂钐离子和掺杂离子，来使其吸收峰蓝移，即使其吸收光谱发生蓝移，如此可提高该掺杂钇铝石榴石激光晶体的吸收光谱与Nd:YAG激光晶体的发射光谱的重合度，使得掺杂钇铝石榴石激光晶体对Nd
掺杂石榴石激光晶体生长方法装置

[发明专利]铬镱共掺钇铝石榴石晶体的可调谐激光器-CN200610025645.6无效
发明人：徐晓东;徐军;赵志伟 -专利权人：中国科学院上海光学精密机械研究所
申请日： 2006-04-12 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： H01S3/00 文献下载
摘要：一种铬镱共掺钇铝石榴石晶体的可调谐激光器，由单色激光光源、输出腔镜、凹面镜、一铬镱共掺钇铝石榴石晶体薄片和微通道热沉组成，在所述的铬镱共掺钇铝石榴石晶体薄片和凹面镜之间形成聚光器，所述的铬镱共掺钇铝石榴石晶体薄片紧贴在所述的微通道热沉上，由所述的输出腔镜和铬镱共掺钇铝石榴石晶体薄片组成激光谐振腔，所述的单色光源为泵浦光源，本发明激光器用940nm的光源作为泵浦源，可以产生中心波长为1.35μm并可在1.1－1.6μm波长范围内调谐。
铬镱共掺钇铝石榴石晶体调谐激光器

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