[发明专利]石榴石基质彩色宝石及其生长方法在审
| 申请号： | 201610496467.9 | 申请日： | 2016-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN107541780A | 公开（公告）日： | 2018-01-05 |
| 发明（设计）人： | 董永军 | 申请（专利权）人： | 安徽中科镭泰激光科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/28 | 分类号： | C30B29/28;C30B28/02;C30B15/00 |
| 代理公司： | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙)44280 | 代理人： | 何青瓦 |
| 地址： | 241200 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种石榴石基质彩色宝石，所述石榴石基质彩色宝石的组分包括单晶钇铝石榴石Y3Al5O12和掺杂物质X元素和RE元素，所述X元素为过渡金属元素中的一种以上元素，所述RE为锰、钬、铥中的一种以上元素，所述X元素部分取代Y离子的位置，所述RE元素部分取代Y离子或Al离子的位置。本发明还提供石榴石基质彩色宝石的生长方法。通过上述方式，本发明提供的石榴石基质彩色宝石采用单晶钇铝石榴石作为基质，单晶钇铝石榴石的晶体结构为立方晶体，均质高且硬度高。另外，通过掺入铬、铈、锰等离子使得单晶钇铝石榴石具有不同的颜色，并通过不同的浓度配比来改变生长的宝石的颜色深度，如此，易于满足消费者们对宝石色彩的需求。 | ||
| 搜索关键词： | 石榴石 基质 彩色 宝石 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
一种石榴石基质彩色宝石，其特征在于，所述石榴石基质彩色宝石的组分包括单晶钇铝石榴石Y3Al5O12和掺杂物质X元素和RE元素，所述X元素为过渡金属元素中的一种以上元素，所述RE为锰、钬、铥中的一种以上元素，所述X元素部分取代Y离子的位置，所述RE元素部分取代Y离子或Al离子的位置。
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- 杨青慧;郝俊祥;张怀武;马博;饶毅恒;田晓洁;贾利军 - 电子科技大学
- 2016-05-31 - 2018-06-19 - C30B29/28
- 一种单晶石榴石厚膜的间歇式液相外延生长方法，本发明涉及石榴石厚膜的制备方法，具体提供一种石榴石单晶厚膜的液相外延间歇式生长方法，首先制备熔体、清洗基片，并进行薄膜试生长，得到生长速率随生长温度变化的模拟曲线E和薄膜晶格常数随生长速率变化的模拟曲线F；然后进行厚膜初次生长，得到具有一定厚度的单晶石榴石薄膜，对初次生长得到的薄膜进行晶格失配测试，依据模拟曲线E、F调节薄膜生长温度进行再次生长；多次重复直到晶格匹配，在晶格匹配下生长得到预设厚度。本发明通过间歇式生长方式得到了单晶石榴石厚膜，该膜与基底之间的晶格匹配度良好，为单晶态；薄膜的结构致密、表面平整，厚度可达100μm以上，是一种可应用于微波及磁光器件中的良好材料。
- 掺镱镥钇钆铝石榴石晶体及其制备方法-201711416893.8
- 张学建 - 吉林建筑大学
- 2017-12-25 - 2018-05-29 - C30B29/28
- 本发明涉及光电子材料技术领域，具体涉及一种掺镱镥钇钆铝石榴石晶体及其制备方法，该掺镱镥钇钆铝石榴石晶体的分子式为YbxY2LuyGd(1‑x‑y)Al5O12，晶体基质为钇钆铝石榴石，其中，x的取值范围为：0.05≤x≤0.5，y的取值范围为：0.05≤y≤0.4。其制备过程包括：将按照分子式YbxY2LuyGd(1‑x‑y)Al5O12的化学计量比进行配料的Yb2O3、Lu2O3、Y2O3、Gd2O3和Al2O3制备得到多晶料。将多晶料采用提拉法生长得到分子式为YbxY2LuyGd(1‑x‑y)Al5O12的掺镱镥钇钆铝石榴石晶体，其掺杂浓度高，掺杂均匀性好，能够获得较大功率的激光输出。
- 钙镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法-201610407716.2
- 陈建玉;侯晴;齐红基;韩和同;宋朝辉;张侃 - 中国科学院上海光学精密机械研究所
- 2016-06-12 - 2018-03-20 - C30B29/28
- 一种钙镱离子共掺YAG超快闪烁晶体及其制备方法，钙和镱离子共掺YAG晶体的化学式为Ca3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12，式中x＝0.0001～0.01，y＝0.05～0.3，x为Ca离子的掺杂量，y为基质Yb离子的掺杂量，Ca离子和Yb离子进入晶体取代Y离子格位。本发明制备的Ca3xYb3yY3(1‑x‑y)Al5O12超快闪烁晶体具有光产额高、抗辐照损伤强等优点，可应用于超快脉冲辐射探测、惯性约束核聚变、空间辐射探测、核反应动力学研究等领域。
- 一种YAG单晶粉体的制备方法-201610323396.2
- 戚凭;孙玉峰 - 青岛大学
- 2016-05-16 - 2018-03-16 - C30B29/28
- 本发明属于新材料制备技术领域，涉及一种经济实用的制备YAG单晶粉体的方法，解决现有水热法制备过程中需要高温高压的苛刻条件且产量低的问题，包括配料与压块、块体熔融、产品析出、熔块破碎、粉体分离和粉体纯化六个工艺步骤；采用常规的硅碳棒箱式炉替代现有高温高压的高压釜，实现常压下制备YAG单晶粉体，其制备的粉体中的粉粒是发育良好的无团聚的单晶体，整个过程是在空气中常压下进行；其整体工艺简单，制备条件易得，制备成本低，产品性能好，应用范围广，实现工业化生产的环境友好。
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