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[发明专利]一种金属氧化物/石墨烯复合膜的制备方法-CN201810736864.8有效
发明人：焦正波;徐秉辉;管香港;赵修松 -专利权人：青岛大学
申请日： 2018-07-06 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种金属氧化物/石墨烯复合膜的制备方法。本发明先制备得到氧化石墨烯，然后将得到的氧化石墨烯，与金属反应，得到金属氧化物/还原氧化石墨烯复合物；将基底置于烧杯中，加入蒸馏水，逐滴加入金属氧化物/还原氧化石墨烯溶液，在水面形成金属氧化物/还原氧化石墨烯膜，然后用吸管将多余的水缓慢的吸出，将基底干燥后即得到所述的金属氧化物/石墨烯复合膜。重复上述步骤，可以得到不同层数的金属氧化物/石墨烯复合膜。本方法将金属氧化物/还原氧化石墨烯直接自组装成膜，方法简单，条件温和，适用于多种基底金属氧化物/石墨烯复合膜的制备。
一种金属氧化物石墨复合制备方法

[发明专利]反向结构催化剂及其制备方法和应用-CN202310346633.7在审
发明人：张颖;兰晓孟;苏玉莹;汲宇;崔飞;刘丙顺;赵国锋;阎子峰 -专利权人：中国石油大学（华东）
申请日： 2023-04-03 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B01J23/83 文献下载
摘要：本发明提供了一种反向结构催化剂及其制备方法和应用，反向结构催化剂包括纳米金属氧化物和金属基底，纳米金属氧化物分散负载于金属基底上，纳米金属氧化物的粒径为2～10nm。该反向结构催化剂，纳米金属氧化物尺寸较小，其高度分散地负载于金属基底的表面，形成具有丰富界面位点的氧化物‑金属反向结构催化剂。该催化剂强化了氧化物与金属的界面相互作用，避免了金属的烧结，在二氧化碳加氢反应中表现出优异的催化性能。该催化剂的制备方法，利用非离子表面活性剂对纳米氧化物尺寸的有效控制及对纳米氧化物的保护作用，使纳米金属氧化物均匀地高度分散于金属基底的表面，形成具有丰富界面位点的氧化物‑金属反向结构催化剂。
反向结构催化剂及其制备方法应用

[发明专利]传输层为金属氧化物复合层的有机光电倍增探测器及制法-CN202310670031.7在审
发明人：石林林;李耀江;常铭茹;崔艳霞;李国辉;冀婷;王文艳;郝玉英 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2023-06-07 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H10K30/86 文献下载
摘要：本发明提供一种传输层为金属氧化物复合层的有机光电倍增探测器及其制法，所述有机光电倍增探测器依次包括：阳极层、金属氧化物复合层、活性层、阴极层，其中，所述金属氧化物复合层依次包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层；所述第一金属氧化物层为单层金属氧化物层且为氧化钼层，所述第二金属氧化物层为氧化铝层，所述氧化钼层的厚度为5±1.5nm，所述氧化铝层的厚度为0.8±0.15nm。
传输金属氧化物复合有机光电倍增探测器制法

[发明专利]一种柔性有机发光半导体器件阳极结构-CN202111406825.X在审
发明人：姚婷婷;马立云;沈洪雪;李刚;王天齐;彭塞奥;杨扬;金克武;徐佳馨;王金磊;王东;鲍田;苏文静;甘治平 -专利权人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司;玻璃新材料创新中心（安徽）有限公司
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本发明提供一种柔性有机发光半导体器件阳极结构，包括：柔性基底，柔性基底的上表面覆盖有第一金属氧化物层；合金层，合金层位于第一金属氧化物层上方并覆盖第一金属氧化物层的上表面；金属层，金属层位于合金层上方并覆盖合金层的上表面，通过合金层隔离金属和第一金属氧化物层并促进金属层连续成膜；第二金属氧化物层，第二金属氧化物层位于金属层上方并覆盖金属层的上表面，通过第二金属氧化物层隔离金属层与外部空气；柔性基底、第一金属氧化物层、合金层、金属层和第二金属氧化物层组成柔性有机发光半导体器件阳极。
一种柔性有机发光半导体器件阳极结构

[发明专利]解聚方法-CN201680009811.5有效
发明人：罗伯特·巴尔泰克;巴赫曼·雷加 -专利权人：克里斯能量有限公司
申请日： 2016-02-09 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C10G27/00 文献下载
摘要：该方法包括以下步骤：使碳质原料的混合物与包含处于第一较高氧化态的金属的金属氧化物反应，以通过从金属氧化物中释放至少一个氧原子将金属氧化物的金属还原成第二较低氧化态。从金属氧化物释放的氧被用于氧化碳质原料。然后，将至少一部分金属或含有处于第二较低氧化态的金属的金属氧化物氧化成含有处于第一较高氧化态的金属的金属氧化物，以在反应步骤中重新使用。
解聚方法

[发明专利]复合金属氧化物的制造方法-CN200780026894.X有效
发明人：竹岛伸一;小山晃生 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： C01B13/36 文献下载
摘要：本发明提供一种酸性金属氧化物与碱性金属氧化物的复合金属氧化物的制造方法，包括：(a)提供含有酸性金属氧化物的胶体粒子和碱性金属的盐的水溶液；(b)将水溶液的pH设为如下的pH，即，碱性金属的一部分溶解于水溶液中，碱性金属的剩余部分作为氢氧化物析出而具有正的Zeta电位，并且酸性金属氧化物的胶体粒子不溶解而具有负的表面电位，在规定时间内维持该pH，得到复合金属氧化物的前体；此后，(c)将得到的复合金属氧化物的前体干燥及煅烧
复合金属氧化物制造方法

[发明专利]改性介孔金属氧化物纳米颗粒及其制备方法和应用-CN201710534984.5有效
发明人：程陆玲;杨一行 -专利权人： TCL集团股份有限公司
申请日： 2017-07-03 - 公布日： 2020-04-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明提供了一种改性介孔金属氧化物纳米颗粒，所述改性介孔金属氧化物纳米颗粒由介孔金属氧化物和与所述介孔金属氧化物表面的O2‑共价结合的卤素分子组成，且所述介孔金属氧化物与所述卤素分子的比例为100mg:(0.01‑0.1)mol，所述介孔金属氧化物的介孔大小为1‑10nm，所述介孔金属氧化物的比表面积为150‑300m2/g。
改性金属氧化物纳米颗粒及其制备方法应用

[发明专利]基于异质结氧化物的忆阻元件-CN201180074219.0有效
发明人：杨建华;M·M·张;S·R·威廉姆斯 -专利权人：惠普发展公司;有限责任合伙企业
申请日： 2011-10-21 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：活性区包括第一金属氧化物的转换层和第二金属氧化物的导电层，其中第一金属氧化物的金属离子不同于第二氧化物的金属离子。忆阻元件基于在第一金属氧化物和第二金属氧化物之间的氧化物异质结而在低电阻状态下展示出非线性电流-电压特性。还提供了包括忆阻元件的多层结构。
基于异质结氧化物元件

[发明专利]半导体装置、半导体装置的制造方法、晶体管基板、发光装置及显示装置-CN200980121674.4无效
发明人：福原升;长谷川彰;松室智纪 -专利权人：住友化学株式会社
申请日： 2009-08-11 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种使活性层中使用金属氧化物的晶体管的阈值电压稳定的半导体装置，其包括第一金属氧化物层、薄膜电阻的值比所述第一金属氧化物大的第二金属氧化物层、与所述第一金属氧化物层电耦合的一对输入输出电极、和控制所述一对输入输出电极之间的阻抗的控制电极，并按照所述控制电极、所述第一金属氧化物层、所述第二金属氧化物层的顺序被配置。
半导体装置制造方法晶体管发光显示装置

[发明专利]金属复合氧化物的制造方法-CN200480015073.2有效
发明人：杉边英孝 -专利权人：杰富意矿物股份有限公司
申请日： 2004-05-28 - 公布日： 2006-07-05 - 主分类号： C01B13/18 文献下载
摘要：本发明公开了含有有价金属和碱(土)金属盐的复合氧化物的生产方法，其包含对有价金属氧化物和/或其前体或者含有有价金属氧化物和/或其前体的物质，与碱(土)金属盐的混合物共粉碎至有价金属氧化物或含有该氧化物的物质的粒径按中值粒径为10μm或更小，并将所述共粉碎产物加热至至少200℃的温度，从而诱发有价金属氧化物与碱(土)金属盐之间的固相反应。本方法改进了固相反应速率和有价金属复合氧化物的选择性，从而增加了复合氧化物的生产率。
金属复合氧化物制造方法

[发明专利]金属基底原位生长氢氧化物或氧化物的方法及电解水制氢应用-CN202210296457.6在审
发明人：邵明飞;张蕴齐;李洋;谢文富 -专利权人：北京化工大学
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： C25B11/075 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属基底原位生长氢氧化物或氧化物的方法及电解水制氢应用，制备方法包括：(Ⅰ)对金属基底进行表面清洁；(Ⅱ)将步骤(Ⅰ)清洁后的金属基底置于水蒸气与氧气混合气中反应一段时间，即在金属基底表面原位生成该金属的氢氧化物或氧化物等步骤本发明提供了一种金属基底原位生长氢氧化物或氧化物的方法，方法具有合成条件温和，实施步骤简单，不使用金属盐和碱源，没有废液和废固排放等优点；所制备的氢氧化物或氧化物可用于电解水制氢耦合有机物氧化反应等多种清洁能源转化与存储领域本发明方法可显著降低制备氢氧化物和氧化物工艺的复杂程度，制备的氢氧化物或氧化物具有高的电催化活性。
金属基底原位生长氢氧化物氧化物方法电解水应用

[发明专利]氧化物半导体薄膜晶体管-CN201310293622.3在审
发明人：黄金海;孙伯彰;黄思齐 -专利权人：福建华映显示科技有限公司;中华映管股份有限公司
申请日： 2013-07-12 - 公布日： 2013-12-25 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化物半导体薄膜晶体管，包括基板、闸极电极、氧化物半导体层、闸极介电层、氧化物源极电极、氧化物汲极电极与金属连接组件。闸极介电层系至少部分设置于闸极电极与氧化物半导体层之间。氧化物源极电极与氧化物汲极电极系分别至少部分设置于氧化物半导体层与基板之间。金属连接组件设置于基板上，且金属连接组件于垂直于基板之垂直投影方向上与氧化物源极电极重迭。金属连接组件于垂直投影方向上不与氧化物半导体层重迭，且金属连接组件在与氧化物源极电极互相重迭之区域直接与氧化物源极电极接触而形成电性连接。
氧化物半导体薄膜晶体管

[发明专利]一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管-CN201910678252.2有效
发明人：聂志文;刘文勇 -专利权人： TCL科技集团股份有限公司
申请日： 2019-07-25 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种改性金属氧化物及其制备方法与量子点发光二极管，其中，所述制备方法包括步骤：将初始金属氧化物分散在第一极性溶剂中，制得初始金属氧化物溶液；在第一温度条件下，向所述初始金属氧化物溶液中加入有机螯合物溶液并进行混合处理，以使有机螯合物与所述初始金属氧化物表面的金属阳离子发生螯合作用，制得所述改性金属氧化物。本发明采用有机螯合物与初始金属氧化物表面的金属阳离子发生螯合作用，从而使得有机螯合物能够有效地覆盖初始金属氧化物表面的缺陷态以及其表面存在的大量羟基、羧基等悬挂键，改善其对量子点发光层的不利影响；且由于有机螯合物在空间上具有相对较大位阻，其可以防止初始金属氧化物发生团聚。
一种改性金属氧化物及其制备方法量子发光二极管

[发明专利]用于将正丁烯氧化脱氢成丁二烯的壳型催化剂-CN201380063783.1在审
发明人： P·格鲁尼;C·K·杜布纳;C·施密特;W·鲁廷格尔;C·瓦尔斯多夫;F·罗索夫斯基 -专利权人：巴斯夫欧洲公司
申请日： 2013-12-06 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： B01J37/03 文献下载
摘要：本发明涉及壳催化剂，其包含(a)载体，(b)包含含有钼和至少一种其它金属的催化活性多金属氧化物的壳，其中壳由具有6-13μm的d₅₀的多金属氧化物颗粒构成，所述壳催化剂可通过以下步骤得到：(i)制备包含钼和至少一种其它金属的多金属氧化物前体组合物，(ii)由多金属氧化物前体组合物制备成型体，(iii)将由多金属氧化物前体组合物制得的成型体煅烧以产生多金属氧化物组合物，(iv)将由多金属氧化物组合物制得的成型体粉碎以形成具有6-13μm的d₅₀的多金属氧化物颗粒，(v)将载体用多金属氧化物颗粒涂覆，(vi)将涂覆的载体热处理。
用于丁烯氧化脱氢成丁催化剂

[发明专利]一种复合物以及含有该复合物的汽车尾气净化催化剂-CN200610170598.4有效
发明人：刘武略;欧玲;丁大勇;王胜杰 -专利权人：比亚迪股份有限公司
申请日： 2006-12-26 - 公布日： 2008-07-02 - 主分类号： B01J23/63 文献下载
摘要：一种复合物和含有该复合物的汽车尾气净化催化剂，该复合物含有贵金属氧化物和稀土金属氧化物，该复合物的特征XRD衍射峰与独立存在的贵金属氧化物和稀土元素氧化物的特征XRD衍射峰的位置相对应，并且该复合物的特征XRD衍射峰中贵金属氧化物的特征XRD衍射峰和稀土金属氧化物的特征XRD衍射峰分别偏离独立存在的贵金属氧化物和稀土元素氧化物特征XRD衍射峰。
一种复合物以及含有汽车尾气净化催化剂

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