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[发明专利]半导体装置-CN202180050839.4在审
发明人：柳田秀彰;四户孝;安藤裕之;松原佑典;北角英人 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；多个电阻元件，与所述多个PN结二极管分别并联连接，并且相互被串联连接；以及肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN202180050849.8在审
发明人：柳田秀彰;四户孝;安藤裕之;松原佑典;北角英人 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：提供一种能够在谋求小型化及高密度化的同时提高对过电流的耐久性的半导体装置。本发明的半导体装置具有：多个PN结二极管，具备负温度特性而串联连接；肖特基势垒二极管，具备正温度特性而与所述多个PN结二极管并联连接；以及芯片焊盘，共同载置所述多个PN结二极管中的至少一个与所述肖特基势垒二极管。
半导体装置

[发明专利]功率转换电路以及功率转换系统-CN202180048967.5在审
发明人： 北角英人;松原佑典 -专利权人：株式会社FLOSFIA
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H02M3/155 文献下载
摘要：提供一种降低了辐射噪声的功率转换电路。功率转换电路至少具备：开关元件(5)，经由电抗器(4)对所输入的电压进行开闭；以及换向二极管(7)，通过至少包括在所述开关元件(5)关断时从所述电抗器(4)产生的电动势的电压，使沿所述电动势的方向流动的电流导通，所述换向二极管(7)包括氧化镓系肖特基势垒二极管。
功率转换电路以及系统

[发明专利]显示装置及其缺陷像素修复方法-CN201880090807.5在审
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2018-03-29 - 公布日： 2020-11-03 - 主分类号： H05B33/12 文献下载
摘要：显示装置具有其中分别包含驱动晶体管与电光学元件的多个像素。缺陷像素修复方法包括如下步骤：通过对形成于不同配线层且具有隔着绝缘膜在俯视时彼此重叠的部分的两条配线的重叠部分照射激光，使两条配线短路，从而将缺陷像素内的电光学元件的阳极电极与邻接的相同颜色的正常像素内的电光学元件的阳极电极电性连接的步骤；以及在缺陷像素中，将驱动晶体管与电光学元件电性切断的步骤。由此，能够容易地修复缺陷像素。
显示装置及其缺陷像素修复方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201480012341.9有效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2014-02-25 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：半导体装置(1001)包括由基板(1)支承的氧化物半导体层(7)和导电体层(13a、13b、13c、13s)，该半导体装置中，氧化物半导体层(7)包含第一金属元素，导电体层(13a、13b、13c、13s)具有层叠构造，该层叠构造包括：包含第一金属元素的第一金属氧化物层(m1)；配置在第一金属氧化物层上且包含第二金属元素的氧化物的第二金属氧化物层(m2)；和配置在第二金属氧化物层上且包含第二金属元素的金属层(M)，第一金属氧化物层(m1)和氧化物半导体层(7)由同一氧化物膜形成，在从基板的法线方向看时，第一金属氧化物层(m1)与所述氧化物半导体层(7)不重叠。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置-CN201280011119.8有效
发明人： 北角英人;加藤纯男 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-02-23 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供能够抑制制造成本并且大幅改善电流驱动力的薄膜晶体管。通过热处理，被钛电极（65）夺取氧的IGZO层（45）成为低电阻区域（40b），未被夺取氧的IGZO层（45）作为高电阻区域（40a）残留。在该状态下，当对栅极电极（20）施加栅极电压时，接近与高电阻区域（40a）的边界的低电阻区域（40b）的电子分别向钛电极（65）侧移动。其结果，低电阻区域（40b）的长度变短，相反地，高电阻区域（40a）的长度变长相应的量。但是，电沟道长度（Le）变得比作为曝光装置的分辨率极限的源极/漏极间空间（Lch）短，电流驱动力变大。
薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、以及显示装置-CN201280007709.3有效
发明人：加藤纯男;北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2013-10-09 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供能够减少在沟道层的沟道宽度方向的端部流动的截止电流的薄膜晶体管及其制造方法。源极电极（160a）和漏极电极（160b）的宽度比沟道层（140）的宽度窄。由此，在沟道层（140），以包围源极电极（160a）和漏极电极（160b）的方式分别形成低电阻区域（140b）。此外，不仅在被两个低电阻区域（140b）夹着的区域，而且在沟道宽度方向的端部也留有电阻值比低电阻区域（140b）高的高电阻区域（140a）。其结果是，在TFT（100），高电阻区域（140a）不仅扩展到被源极电极（160a）与漏极电极（160b）夹着的区域而且扩展到沟道宽度方向的端部。由此，在沟道宽度方向的端部流动的截止电流减少。
薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法、半导体装置及其制造方法以及显示装置-CN201080047785.8有效
发明人：富安一秀;北角英人;宫本忠芳 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-07-21 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供简化了开设接触孔的工序的薄膜晶体管的制造方法。由于预先除去了没有被TFT(100)的沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的栅极绝缘膜(115)，所以形成在没有被沟道层(120)覆盖的栅极电极(110)上的绝缘膜的膜厚，变得与形成在源极区域(120a)和漏极区域(120b)上的绝缘膜的膜厚相等。因此，能够同时开设到达栅极电极(110)的表面的接触孔(155)、到达源极区域(120a)的表面的接触孔(135a)、和到达漏极区域(120b)的表面的接触孔(135b)。
薄膜晶体管及其制造方法半导体装置以及显示装置

[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置-CN201080037468.8无效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供能与周围温度无关地实现漏电流的降低的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。在具有串联连接的多个薄膜晶体管的开关部(半导体装置)(18)中，具备：多个栅极电极(g1～g4)；沟道区域(30)和低浓度杂质区域(29)，其包含在设于多个栅极电极(g1～g4)的下方的硅层(半导体层)(SL)中，并且分别设于多个晶体管；以及底栅电极(21)，其设于硅层(SL)的下方。对底栅电极(21)提供与各栅极电极(g1～g4)同相位的电压。
半导体装置有源矩阵以及显示装置

[发明专利]半导体装置、有源矩阵基板以及显示装置-CN201080035843.5无效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2010-08-09 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：提供能防止结构复杂化和装置大型化并且能降低漏电流的制造简单的半导体装置、使用该半导体装置的有源矩阵基板以及显示装置。在具备具有顶栅电极(g1、g2)(主栅极电极)和底栅电极(21)(辅助栅极电极)的薄膜晶体管(Tr1、Tr2)的开关部(18)(半导体装置)中，具备：硅层(SL)(半导体层)，其设于顶栅电极(g1、g2)与底栅电极(21)之间；以及遮光膜，其对形成于该硅层的载流子生成区域进行遮光。并且，顶栅电极(g1、g2)的电位由通过信号配线提供的栅极信号进行控制，另一方面，底栅电极(21)的电位根据该底栅电极(21)和顶栅电极(g1、g2)的电容耦合来决定。
半导体装置有源矩阵以及显示装置

[发明专利]电容变化检测电路-CN200980141465.6无效
发明人： 北角英人;C·布朗 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2009-06-02 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： G06F3/044 文献下载
摘要：本发明公开了一种电容变化检测电路。按压液晶面板(1)的表面，可变电容(11)的电容值发生变化。可变电容(11)的一个电极连接到施加有公用电压Vcom的电压供给线，另一个电极连接到TFT(12)的栅极电极。TFT(12)输出与可变电容(11)的电容值相应的电压Vout。控制用电容(13)的一个电极连接到TFT(12)的栅极电极，另一个电极连接到施加有控制电压Vctrl的控制电压线。通过隔着控制用电容(13)向TFT(12)的栅极电极施加控制电压Vctrl，能够在降低控制电压线的负载容量并以高灵敏度检测电容变化的同时，根据用途和人等因素在使用时调整灵敏度。由此，提供一种能够以高灵敏度检测出电容变化，并能够控制使用时灵敏度的电容变化检测电路。
电容变化检测电路

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200880006486.2有效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2008-01-21 - 公布日： 2010-01-06 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明提供一种在同一基板上形成特性不同的薄膜晶体管并且具有高性能和高可靠性的半导体装置及其制造方法。本发明是在基板上层叠第一半导体层、第二半导体层、第一绝缘膜以及第二绝缘膜的半导体装置，上述第一半导体层具有第一沟道区域和包含第一接触部的第一源极/漏极区域，上述第二半导体层具有第二沟道区域和包含第二接触部的第二源极/漏极区域，上述第一绝缘膜形成在包含第二沟道区域并且除了第一沟道区域、第一接触部以及第二接触部之外的区域上，上述第二绝缘膜形成在第一沟道区域和第一绝缘膜的与第二沟道区域相对的区域上，并且与除了第一接触部之外的第一源极/漏极区域和除了第二接触部之外的第二源极/漏极区域相对而形成。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]显示装置用基板、显示装置以及配线基板-CN200780051942.0有效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-12-30 - 主分类号： G09F9/30 文献下载
摘要：本发明提供能够提高配线设计的自由度、抑制配线不良并且使配线配置面积狭小化的显示装置用基板、显示装置以及配线基板。本发明是具有将多层层间绝缘膜和三层以上的配线层交替层叠在基板的一方主面侧的结构的显示装置用基板，上述显示装置用基板具有数据配线，上述数据配线位于作为从基板侧起第三个配线层的第三配线层或者位于比上述第三配线层更上层的配线层。
显示装置用基板以及配线基板

[发明专利]半导体装置及其制造方法和电子装置-CN200780027041.8有效
发明人： 北角英人 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2007-06-04 - 公布日： 2009-07-22 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及半导体装置及其制造方法和电子装置。本发明提供一种半导体装置，该半导体装置包括电阻元件，在使用薄膜晶体管作为电阻元件的情况下，不增大元件面积也能抑制电阻值的偏差，并且制造工序简化。本发明的半导体装置在基板上包括作为电阻元件使用的第一薄膜晶体管和具备半导体层的第二薄膜晶体管，所述半导体层具有杂质浓度不同的低浓度漏极区域和高浓度漏极区域，其中，所述第一薄膜晶体管的半导体层的沟道区域的杂质浓度与第二薄膜晶体管的半导体层的低浓度漏极区域的杂质浓度相同。
半导体装置及其制造方法电子

[发明专利]半导体器件-CN200610101410.0有效
发明人：山崎舜平;北角英人;福永健司 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2000-04-15 - 公布日： 2006-12-20 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：根据本发明的一种半导体器件，包括：一p沟道TFT；一n沟道TFT，其中至少有一部分LDD区与栅极叠加，在LDD区和栅极之间夹有第二栅绝缘膜；一存储晶体管，其包括：一源区、一漏区、一沟道区、第一栅绝缘膜、一浮置栅极、第三栅绝缘膜、和一控制栅极，其中，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT和所述存储晶体管都设置在同一绝缘体之上，所述p沟道TFT和所述n沟道TFT都设置在一个CMOS电路中，并且，所述存储晶体管的所述漏区叠加在所述的浮置栅极。
半导体器件

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