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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]电子器件和半导体器件-CN202310328773.1在审
发明人：仮屋崎修一;及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本公开涉及一种电子器件和半导体器件。布线板具有与第一半导体器件重叠的第一区域，并且具有不与第一半导体器件和第二半导体器件中的每一者重叠的第二区域。布线板的第一信号布线具有在第一区域中的第一部分和在第二区域中的第二部分。在布线板的厚度方向上，第二部分在被提供有基准电位的两个接地图案之间，而第一部分具有不位于被提供有基准电位的两个接地图案之间的部分。第一部分具有第一宽部分，第一宽部分具有比第二部分的宽度大的宽度。
电子器件半导体器件

[发明专利]半导体装置-CN202110031716.8在审
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2021-01-11 - 公布日： 2021-07-27 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。该半导体装置包括两个存储器芯片、用于控制每个存储器芯片的一个控制芯片、信号传输路径，在控制芯片与每个存储器芯片之间的信号传输通过该信号传输路径来执行、以及耦合到信号传输路径上的电容。此外，电容(电容器元件)大于寄生在每个芯片上的每个寄生电容。因此，可以高速执行半导体装置的信号传输。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201610997847.0有效
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及一种半导体装置。本发明提供了一种实现功耗增大的抑制的半导体装置。一种半导体装置具有信号线、接收缓冲电路以及延迟元件，接收缓冲电路耦合到信号线的端部并且从信号线被供给信号，延迟元件线或耦合到信号线的端部并且使信号的波形在信号线的端部处成形。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201480081265.7有效
发明人： 及川隆一;落合俊彦;仮屋崎修一;萱岛祐治;木田刚 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-12-24 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/32 文献下载
摘要：半导体装置包括搭载在搭载于配线基板的中介部上且经由中介部而彼此电连接的第一及第二半导体部件。并且，中介部的多个配线层具有从作为基准的主面侧依次层叠的第一配线层、第二配线层及第三配线层。并且，在中介部的夹在第一半导体部件和第二半导体部件之间的第一区域中，第三配线层中的基准电位用配线的比例比第一配线层中的基准电位用配线的比例大。并且，在第一区域中，第一配线层中的信号用配线的比例比第三配线层中的信号用配线的比例大。
半导体装置

[发明专利]半导体器件-CN201610008571.9有效
发明人：仮屋崎修一;白井航;及川隆一;久保山贤一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2016-01-07 - 公布日： 2019-10-18 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。为了提高在半导体芯片之间耦合的内插板的信号传输可靠性。参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第一布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，参考电位布线和参考电位布线设置在内插板的第二布线层中设置的信号布线的两个相邻侧。而且，信号布线和信号布线在平面图中彼此交叉。第一布线层的参考电位布线以及第二布线层的参考电位布线在它们的交叉部的周边处彼此耦合。
半导体器件

[发明专利]半导体器件-CN201910035207.5在审
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2019-01-15 - 公布日： 2019-07-30 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本申请涉及半导体器件。在抑制了中介层中形成的布线之间的寄生电容的增加的同时，减少了中介层中形成的布线之间的串扰。半导体器件具有中介层，该中介层包括第一布线层、形成在第一布线层之上的第二布线层以及形成在第二布线层之上的第三布线层。在平面图中，形成在第一布线层中的第一信号布线和形成在第二布线层中的参考布线彼此远离。类似地，在平面图中，形成在第二布线层中的参考布线和形成在第三布线层中的第三信号布线彼此远离。
布线层布线中介层半导体器件寄生电容信号布线参考串扰申请

[发明专利]半导体装置-CN201810648794.0在审
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置。用于改善80GHz或更高的高频信号的信号传输特性。半导体装置包括布线板，布线板具有信号通孔结构和接地通孔结构在平面图中具有相互重叠的部分的结构。
半导体装置布线板信号传输特性高频信号接地通孔信号通孔

[发明专利]半导体器件-CN201510040725.8有效
发明人：仮屋崎修一;及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2015-01-27 - 公布日： 2018-11-27 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件。目的是提高半导体器件的噪声抗扰性。半导体器件的布线基板包括：形成传送信号的布线的第一布线层，和与第一布线层的上层或下层相邻地安装的第二布线层。第二布线层包括：其中在厚度方向上与布线(23)的一部分重叠的位置处形成开口部分的导体平面，和安装在导体平面的开口部分内的导体图案。导体图案包括：与导体平面隔离的主图案部即网格图案部，和耦合主图案部与导体平面的多个耦合部。
半导体器件

[发明专利]半导体器件以及互连基板-CN201410140385.1有效
发明人：仮屋崎修一;及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2014-04-09 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件以及互连基板。半导体基板包括半导体芯片以及互连基板。互连基板具有在第一主表面和第二主表面之间的互连区，第一主表面形成有连接到半导体芯片的多个顺序排列的第一和第二信号电极。互连区具有芯基板；形成在其两个表面上的互连层；多个第一通孔以及穿过第一主表面上的互连层的多个第一通路，用于形成阻抗匹配电容。各个第一通孔在与第一信号电极隔开第一互连长度的位置处连接到第一信号互连，并且各个第一通路在与第二信号电极隔开基本上与第一互连长度相等的第二互连长度的位置处连接到第二信号互连。
半导体器件以及互连

[发明专利]互连结构及其设计方法-CN201110033225.3无效
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供互连结构及其设计方法。互连结构包括：半导体芯片；其上安装半导体芯片的安装基板；以及用于连接半导体芯片和安装基板的一组键合线。一组键合线包括：第一信号键合线，其被包含在第一包络中并且用于传播信号；第一电源键合线，其被包含在第一包络中并且被施加有第一电源电压；以及第二电源键合线，其被包含在第二包络中并且被施加有第二电源电压。第一包络和第二包络中的一个被布置在第一包络和第二包络中的另一个与安装基板之间。第二电源键合线被布置在第二电源键合线和第一信号键合线之间的电磁耦合小于第二电源键合线和第一电源键合线之间的电磁耦合的位置中。
互连结构及其设计方法

[发明专利]互连结构-CN201110034181.6有效
发明人： 及川隆一 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2011-01-28 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明提供了一种互连结构。互连结构包括：被提供为传输差分信号的第一和第二差分信号互连；和被施加有预定的电压的第一和第二电压互连。第一电压互连、第一差分信号互连、第二差分信号互连以及第二电压互连被按顺序布置。第一和第二差分信号互连之间的间隔比第一电压互连和第一差分信号互连之间的间隔长并且比第二差分信号互连和第二电压互连之间的间隔长。当第一连接点和离第一连接点最近的第二连接点被提供在第一和第二差分信号互连以及第一和第二电压互连中的任何一个上时，第一连接点和第二连接点之间的距离处于差分信号的波长的1/16至其波长的1/8的范围内。
互连结构

[发明专利]用于半导体器件的封装基底、其制造方法以及半导体器件-CN200510096670.9有效
发明人：林映守;铃木克信;及川隆一;中越诚;瀬罗直子;村井唯;荻原千穗;片冈良平;近藤宏司;横地智宏 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司;株式会社电装
申请日： 2005-08-31 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：多个薄膜绝缘体被层叠在一起并共同地经受压力和热量，以形成为一个单元，薄膜绝缘体具有在表面上形成导电图形，在厚度方向穿过薄膜绝缘体的导电通孔。在因此形成的多层板的一个最外层上，多个连接端子暴露于外面，LSI芯片的连接凸块被固定到这些连接端子。在相对侧的最外层上，设置多个金属焊盘，以及在每个金属焊盘上固定焊球，以形成用于连接母板的球栅阵列(BGA)结构。
用于半导体器件封装基底制造方法以及

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