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[发明专利]能够显示辅助图案的液晶书写膜及辅助图案显示方法-CN202210334934.3在审
发明人：李清波;杨猛训 -专利权人：山东蓝贝思特教装集团股份有限公司
申请日： 2022-03-31 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： G09B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够显示辅助图案的液晶书写膜，包括第一导电层、液晶层和第二导电层，第一导电层被分割成多个相互绝缘的第一方向的导电区域，至少一个导电区域中，存在至少一段连续的两第一方向绝缘分割线的距离为设定值的第一辅助显示区域；第二导电层被分割成多个相互绝缘的第二方向的导电区域，至少一个导电区域中，存在至少一段连续的两第二方向绝缘分割线的距离为设定值的第二辅助显示区域；第一方向和第二方向垂直，设定值为辅助图案的线宽，至少一个第一辅助显示区域和至少一个第二辅助显示区域组合形成辅助图案显示区域；实现了辅助图案的自动显示，避免了张贴辅助线图案和临时绘制辅助线图案的繁琐过程，提高了教学时间的利用效率。
能够显示辅助图案液晶书写方法

[发明专利]能够显示辅助图案的液晶书写膜及辅助图案显示方法-CN202211212948.4在审
发明人：李清波;杨猛训;李泉堂;伊西锋 -专利权人：山东蓝贝思特教装集团股份有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-01-20 - 主分类号： G09B11/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种能够显示辅助图案的液晶书写膜及辅助图案显示方法，包括第一导电层、液晶层和第二导电层，第一导电层被分割成多个相互绝缘的第一方向的导电区域，至少一个导电区域中，存在至少一段连续的两第一方向绝缘分割线的距离为设定值的第一辅助显示区域；第二导电层被分割成多个相互绝缘的第二方向的导电区域，至少一个导电区域中，存在至少一段连续的两第二方向绝缘分割线的距离为设定值的第二辅助显示区域；第一方向和第二方向垂直，设定值为辅助图案的线宽，至少一个第一辅助显示区域和至少一个第二辅助显示区域组合形成辅助图案显示区域；实现了辅助图案的自动显示提高了教学时间的利用效率。
能够显示辅助图案液晶书写方法

[发明专利]修正辅助图案的方法-CN201310184909.2有效
发明人：吴宗晔;林金隆;范耀仁;简韦瀚;蔡佳君 -专利权人：联华电子股份有限公司
申请日： 2013-05-17 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明提供一种修正辅助图案的方法，包括下列步骤。首先，由一计算机系统接收一第一布局图案，并将第一布局图案分割为多个第一区域。接着，添加多个辅助图案于第一布局图案中以形成一第二布局图案，且定义相邻任一第一区域的任一边线的至少一辅助图案为一选取图案，随后，将第二布局图案分割为多个第二区域。最后，对具有选取图案的第二区域进行一检测步骤，且修正第二布局图案以形成一已修正的第二布局图案。
修正辅助图案方法

[发明专利]CMP辅助剥离制作微图案-CN200310116412.3无效
发明人：玛丽－克莱尔·西里尔;弗雷德里克·H·迪尔;黄成业（音译）;李觉龙（音译） -专利权人：国际商业机器公司
申请日： 2003-11-18 - 公布日： 2004-06-16 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种微电子器件的方法和结构，该微电子器件包括衬底上的第一薄膜、第一薄膜上的第一耐抛光层、第一耐抛光层上的第二薄膜、第二薄膜上的第二耐抛光层，其中第一个第二耐抛光层包含类金刚石碳。第一薄膜包括电阻材料，而第二薄膜包括低阻导电材料。第一薄膜为具体化为磁读传感器的电阻器。电阻材料对磁场敏感。此器件还包括第一与第二薄膜之间的通常垂直接合，和邻接电阻材料的介电薄膜。
cmp 辅助剥离制作图案

[发明专利]辅助图案工具的匹配方法-CN201110128102.8无效
发明人：傅国贵;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种辅助图案工具的匹配方法包括以下步骤：依据一特定测试布局(layout)以一第一辅助图案工具产生一目标辅助图案；依据该特定测试布局以一第二辅助图案工具产生一对比辅助图案；及比较该对比辅助图案与该目标辅助图案，以决定接受或拒绝该第二辅助图案工具。本发明辅助图案工具的匹配方法，用以评估新版本或新开发的辅助图案工具的操作是否友善。
辅助图案工具匹配方法

[发明专利]形成半导体器件的微图案的方法-CN200810007249.X无效
发明人：郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：形成半导体器件微图案的方法，包括：在衬底上形成蚀刻目标层，在蚀刻目标层上形成硬掩模层，在蚀刻目标层上形成第一辅助图案。第一辅助图案限定多个互相间隔开的结构。将硅注入第一辅助图案以形成硅烷化第一辅助图案。在硬掩模层和硅烷化第一辅助图案上形成限定两相邻硅烷化第一辅助图案之间间隔的绝缘层。在两个硅烷化第一辅助图案之间限定的间隔处的绝缘层上形成第二辅助图案。蚀刻绝缘层以移除在硅烷化第一辅助图案与第二辅助图案之间布置的绝缘层部分，同时不移除在第二辅助图案下方布置的绝缘层部分。利用硅烷化第一辅助图案与第二辅助图案作为蚀刻掩模，蚀刻硬掩模层以限定硬掩模图案。利用硬掩模图案蚀刻蚀刻目标层，以获得目标微图案。
形成半导体器件图案方法

[发明专利]产生掩模数据的方法、制造掩模的方法和曝光方法-CN201110333535.7有效
发明人：石井弘之;辻田好一郎 -专利权人：佳能株式会社
申请日： 2011-10-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：掩模包括用于解析将形成在衬底上的目标图案的主图案和不进行解析的辅助图案。设置主图案和辅助图案的参数的值。计算在通过投射光学系统投射由主图案和辅助图案的参数值确定的主图案和辅助图案的情况下形成的图像。基于通过修改主图案和辅助图案的参数值而执行的计算的结果，确定主图案和辅助图案的参数值，以产生包括所确定的主图案和辅助图案的掩模的数据。
产生数据方法制造曝光

[发明专利]形成精细图案的方法-CN201010558609.2无效
发明人：金大祐 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2010-11-25 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明涉及一种形成精细图案的方法，包括以下步骤：在基础层上形成具有酸扩散速率的第一辅助层；述第一辅助层上形成透光的第二辅助层，所述第二辅助层具有比第一辅助层更慢的酸扩散速率；将第一辅助层和第二辅助层曝光，以在第一辅助层和第二辅助层的曝光区域中产生酸；以使酸在第一辅助层中扩散得比在第二辅助层中更快的方式，使用烘焙工艺来使酸扩散；去除第一辅助层和第二辅助层中的酸扩散区域，以形成第一辅助图案和第二辅助图案，第二辅助图案的宽度比第一辅助图案更宽；使用硬掩模材料填充第一辅助层的去除区域；以及去除在第二辅助图案之间暴露的硬掩模材料，以在第一辅助图案的侧壁上形成硬掩模图案。
形成精细图案方法

[发明专利]一种形成半导体器件图案的方法-CN200810087565.2无效
发明人：郑宇荣 -专利权人：海力士半导体有限公司
申请日： 2008-04-11 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成半导体器件图案的方法，包括：在半导体衬底上形成第一蚀刻掩模图案；在所述第一蚀刻掩模图案上形成一定厚度的辅助膜，在该厚度下对应于第一蚀刻掩模图案的阶梯能够得以保持；在由相邻第一蚀刻掩模图案之间的辅助膜所限定的间隔中形成第二蚀刻掩模图案；通过除去在第一蚀刻掩模图案上形成的辅助膜来形成第一辅助膜图案，每一个第一辅助膜图案具有向上突出的相对末端；除去第一蚀刻掩模图案和第二蚀刻掩模图案；通过在第一辅助膜图案的末端之间蚀刻，使得所述第一辅助膜图案的相对末端彼此间隔开，从而形成第二辅助膜图案。
一种形成半导体器件图案方法

[发明专利]阵列基板及其制造方法-CN201410681835.8在审
发明人：金填洙;严星贞;郑镇型 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2014-11-24 - 公布日： 2015-06-03 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：根据一实施方式的阵列基板包括：在显示区域中并且彼此交叉以界定像素区域的栅极线和数据线；在非显示区域中的第一辅助图案和第二辅助图案；位于栅极线和数据线之间以及第一辅助图案和第二辅助图案之间的栅极绝缘层；在数据线和第二辅助图案上的钝化层，并且钝化层包括分别暴露第一辅助图案和第二辅助图案的第一接触孔和第二接触孔；在钝化层上的平坦化层，并且平坦化层包括分别对应于第一接触孔和第二接触孔的第一充填孔和第二充填孔；位于第一充填孔和第二充填孔之间并与第二辅助图案重叠的桥图案；在平坦化层上且在像素区域中的像素电极；和在桥图案上的连接图案，并且连接图案接触第一辅助图案和第二辅助图案。
阵列及其制造方法

[实用新型]蛋糕或面包图案手绘辅助仪-CN201620416469.8有效
发明人：张建富 -专利权人：张建富
申请日： 2016-05-10 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： A21C15/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及蛋糕或面包图案手绘辅助仪，包括机架，所述机架上安装有用于放置蛋糕或面包的工作台，所述机架上还安装有用于在工作台上投影蛋糕或面包图案的投影仪，投影仪与机架之间设置有用于调整投影仪位置的调节机构实用新型通过对投影仪位置的调整，配合工作台的旋转，使投影仪多角度、多方位的将图案投影到蛋糕或者面包上，使蛋糕的图案绘制更加方便，同时，颜料罐的设置便于蛋糕图案专业快速的绘制，提高蛋糕的制作效率。
蛋糕面包图案手绘辅助

[发明专利]光掩模及其制造方法-CN201710131022.5有效
发明人：赖义凯 -专利权人：力晶积成电子制造股份有限公司
申请日： 2017-03-07 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： G03F1/26 文献下载
摘要：本发明公开一种光掩模及其制造方法，光掩模包括基板、挡光主图案与多个次解析辅助图案。挡光主图案设置于基板上。次解析辅助图案设置于基板上，且位于挡光主图案的至少一侧。相邻两个次解析辅助图案的间距等于各个次解析辅助图案的宽度，且次解析辅助图案的透光率为100％。
光掩模及其制造方法

[发明专利]半导体存储器件及其制造方法-CN201310142777.7有效
发明人：金兑京;权贤律 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2013-04-23 - 公布日： 2018-06-26 - 主分类号： H01L27/11519 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体存储器件，所述半导体存储器件包括：多个辅助图案，所述多个辅助图案形成在半导体衬底之上；多个栅极线图案，所述多个栅极线图案彼此平行地布置在所述多个辅助图案之间的半导体衬底之上；以及气隙，所述气隙形成在所述多个栅极线图案之间、以及所述多个栅极线图案中的每个栅极线图案与所述多个辅助图案中的每个辅助图案之间。
栅极线图案辅助图案半导体存储器件衬底气隙半导体彼此平行制造

[发明专利]一种辅助图案填充方法和装置-CN201010022887.6有效
发明人：卑多慧 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-13 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种辅助图案填充方法和装置，其中，所述方法包括：根据预置参数将制作芯片的掩模板设计版图划分为多个区块；确定为每个区块填充的辅助图案密度和间隙值；所述间隙值为辅助图案与有效图案之间的间隔距离；使用所述间隙值和辅助图案密度对应的辅助图案单元填充各个区块中的空白区域；所述辅助图案由至少一个辅助图案单元平铺排列形成。通过将掩模板划分为多个区块，根据每个区块原始图案的分布密度和特征确定需填充的辅助图案密度和间隙值，以及使用可变的间隙值对每个区块的图案密度进行细微调节，使区块最后的图案密度尽可能接近预设密度值，使CMP
一种辅助图案填充方法装置

[发明专利]显示面板-CN201910633590.4在审
发明人：林国傧;黄信玮;洪敏翔;蔡承勋 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： G02F1/1345 文献下载
摘要：一种显示面板，包括第一基板、第二基板、框胶、多个扇出线以及多个辅助图案或位置定义图案的至少其中之一。第一基板具有彼此相连的第一区及第二区。第二基板和第一基板相对设置。框胶位于第一基板与第二基板之间。辅助图案位于第一基板的第二区上且与扇出线电性分离。辅助图案包括多个第一辅助图案及多个第二辅助图案。第一辅助图案具有第一延伸方向。第二辅助图案具有第二延伸方向。第一延伸方向不平行于第二延伸方向。框胶覆盖部分扇出线以及辅助图案或位置定义图案的至少其中之一。
辅助图案第一基板扇出线第二基板延伸框胶定义图案显示面板第一区电性分离相对设置不平行覆盖

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