“傅国贵”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果13个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]光刻量测机及其操作方法-CN202111187259.8在审
发明人： 傅国贵 -专利权人：鸿海精密工业股份有限公司
申请日： 2021-10-12 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种光刻量测机的操作方法包括：在旋转基座上放置第一、第二、第三以及第四光罩，其中第一、第二、第三以及第四光罩的每一者具有第一、第二、第三以及第四曝光单元；重叠第一、第二、第三以及第四光罩，使第一光罩的第一曝光单元、第二光罩的第二曝光单元、第三光罩的第三曝光单元以及第四光罩的第四曝光单元相邻排列以形成曝光区；利用图像模拟单元根据曝光区模拟第一坐标信息；利用扫描电子显微镜扫描曝光区，以获得第二坐标信息；以及使用处理器比对第一坐标信息与第二坐标信息。光刻量测机可借由比对第一坐标信息与第二坐标信息以确认第一、第二、第三以及第四光罩是否位于要求位置。
光刻量测机及其操作方法

[发明专利]光罩图案分析装置及光罩图案分析方法-CN201310234762.3有效
发明人： 傅国贵 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2013-06-13 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩图案分析装置及光罩图案分析方法，该方法包含以下步骤：群组一电路布局中多个多角形而形成多个多角形群；根据该电路布局的一虚像，找出任一多角形群的潜在缺陷区域；决定该任一多角形群潜在缺陷区域的代表点；决定该任一多角形群中多个多角形的代表点；以及比较该任一多角形群中多个多角形的代表点与该任一多角形群潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系以及另一多角形群中多个多角形的代表点与该另一多角形群潜在缺陷区域的代表点之间的相对分布关系。以上步骤皆由一电脑系统中的一处理器执行。
图案分析装置方法

[发明专利]检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片-CN201110190395.2有效
发明人： 傅国贵;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种检验图案、图案缝合检验方法及半导体晶片，该双重图案技术中的检验图案包括多个图案线段，所述多个图案线段包括至少一线型端线段及至少一非线型端线段，其中每一图案线段具有一缝合关键尺寸。本发明另提供一种半导体晶片，该半导体晶片具有至少一相应该检验图案的目标图案。本发明另提供一种利用该检验图案于双重图案技术中检验图案缝合的方法，通过比对该目标图案及该检验图案相应的缝合关键尺寸，以检查图案缝合区域中的图案线段位移及增加集成电路布局的可靠度及可印制性。
检验图案缝合方法半导体晶片

[发明专利]定义光阻图案倒线规则的模型、掩膜布局、半导体基板及方法-CN201110190411.8无效
发明人： 傅国贵;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种定义光阻图案倒线规则的模型、防止光阻图案倒线的掩膜布局、半导体基板及光阻图案倒线的定义方法。定义光阻图案倒线规则的模型，应用于光学近接修正，包括两第一尺寸、一第二尺寸、一第三尺寸及一第四尺寸，该第一尺寸及该第二尺寸相对应一掩膜布局的两第一线型图案的两第一宽度b及一第二线型图案的一第二宽度c，该第二线型图案位于所述第一线型图案之间且实质上平行所述第一线型图案，该第三尺寸及该第四尺寸相对应该第二线型图案与所述第一线型图案间的一第一距离a及一第二距离d；其中，若d≥5a且c≥1.5b，或5a＞d≥3a且c≥1.2b，定义相对应该第二线型图案的该光阻图案的一部分为非倒线。
定义图案线规模型布局半导体方法

[发明专利]辅助图案工具的匹配方法-CN201110128102.8无效
发明人： 傅国贵;陈逸男;刘献文 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2011-05-18 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：一种辅助图案工具的匹配方法包括以下步骤：依据一特定测试布局(layout)以一第一辅助图案工具产生一目标辅助图案；依据该特定测试布局以一第二辅助图案工具产生一对比辅助图案；及比较该对比辅助图案与该目标辅助图案，以决定接受或拒绝该第二辅助图案工具。本发明辅助图案工具的匹配方法，用以评估新版本或新开发的辅助图案工具的操作是否友善。
辅助图案工具匹配方法

[发明专利]相位移掩模及其形成图案的方法-CN200810001934.1有效
发明人： 傅国贵;吴元薰;王雅志 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-01-03 - 公布日： 2009-07-08 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种相位移掩模以及使用此相位移掩模形成图案的方法。此相位移掩模包含玻璃基板与位于玻璃基板表面的图案、第一相位移区、第二相位移区以及第三相位移区。第一相位移区与第二相位移区彼此平行交互排列且第三相位移区位于第一相位移区的末端。
相位移掩模及其形成图案方法

[发明专利]感光型聚酰亚胺薄膜是否偏移的叠对标志及其检测方法-CN200480013947.0有效
发明人：郑铭仁;傅国贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2006-06-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种感光型聚酰亚胺薄膜是否偏移的叠对标志及其检测方法，它是在一金属层上形成一多个以同一中心点而不同内径比所形成的正八边形对准图案叠对标志，再对沉积在金属层上方的感光型聚酰亚胺薄膜进行曝光、显影以形成一与对准图案叠对标志同中心点的正八边形图案，通过正八边形对准图案与叠对标志的叠对情况，以获知该感光型聚酰亚胺薄膜偏移的情况。
感光聚酰亚胺薄膜是否偏移标志及其检测方法

[发明专利]感光型聚酰亚胺薄膜是否偏移的叠对标志及其检测方法-CN200410089395.3无效
发明人：郑铭仁;傅国贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-12-10 - 公布日： 2006-06-14 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种感光型聚酰亚胺薄膜是否偏移的叠对标志及其检测方法，它是在一金属层上形成一多个以同一中心点而不同内径比所形成的正八边形对准图案叠对标志，再对沉积在金属层上方的感光型聚酰亚胺薄膜进行曝光、显影以形成一与对准图案叠对标志同中心点的正八边形图案，通过正八边形对准图案与叠对标志的叠对情况，以获知该感光型聚酰亚胺薄膜偏移的情况。
感光聚酰亚胺薄膜是否偏移标志及其检测方法

[发明专利]使用T型光刻胶图案来形成缩小导线图形的方法-CN200410054374.8无效
发明人：周孟兴;傅国贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-09-08 - 公布日： 2006-03-15 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种使用T型光刻胶图案来形成缩小导线图形的方法，它利用了化学增强型光刻胶层在图案化时，其组成成分的氢氧基必须参与反应才能显现曝光图案的原理，在一个半导体衬底上形成一个化学增强型光刻胶层，再通过一种含氨的气体使化学增强型光刻胶顶端的氢离子被氨离子捕捉，从而使得化学增强型光刻胶层在图案化时顶端的部分无法参与反应，因此呈现T型光刻胶图案，进而在半导体衬底上进行导线图案沉积时，能得到一个尺寸较已知工艺所得的导线图案小的导线图形。
使用光刻图案形成缩小导线图形方法

[发明专利]使用T型图案来形成较小接触孔的方法-CN200410054230.2无效
发明人： 傅国贵;周孟兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-09-02 - 公布日： 2006-03-08 - 主分类号： H01L21/30 文献下载
摘要：本发明提供一种使用T型图案来形成较小接触孔的方法，在一个半导体衬底上形成一个氧化层、一个硬掩膜层，及一个化学增强型光刻胶层，利用一种含氨的气氛使化学增强型光刻胶顶端的氢离子被氨离子捕捉，从而使得化学增强型光刻胶层在图案化后，呈现T型图案，进而使得在对氧化层进行接触孔刻蚀时，能得到一个尺寸较已知工艺小的接触孔。
使用图案形成较小接触方法

[发明专利]多重曝光的方法-CN200410018456.7无效
发明人：郑铭仁;傅国贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2004-05-19 - 公布日： 2005-11-23 - 主分类号： G03F7/22 文献下载
摘要：本发明提供一种多重曝光的方法，它是在一次曝光后，再通过改变照明系统或旋转原曝光时的照明系统来改变原曝光时的曝光量与焦聚后，再进行一次曝光，以修正单次曝光所可能引起的转移至半导体基底的图形曝光不良的缺点。
多重曝光方法

[发明专利]具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法-CN200310108190.0无效
发明人： 傅国贵 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： G03F9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有微影光阻检测图案的光刻及其检测方法，其利用形成于光刻上的四个检测图案来对第一层光阻的曝光情况进行光刻置放判断，其克服了传统程中需要完成第一层与第二层微影光阻图案化后才能对第一光刻置放进行校对的缺陷，进而避免制程成本上的浪费，且根据检测图案的图形的扭曲位置可提供工程师获得更多制程失效的相关信息。
具有微影光阻检测图案光刻及其方法

[发明专利]非临界层的临界尺寸的覆盖标记-CN200310108193.4无效
发明人： 傅国贵;周孟兴 -专利权人：上海宏力半导体制造有限公司
申请日： 2003-10-27 - 公布日： 2005-05-04 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：一种覆盖标记，用于监测非临界层的临界尺寸(critical dimension)，包含四条彼此分离的第一条状物(bar)。此四条第一条状物定义一矩形，且每一第一条状物对应并平行矩形的每一边长。四条彼此分离的第二条状物位于矩形中，其中每一第二条状物对应并平行每一边长且由多条彼此平行的第三条状物所组成。
临界尺寸覆盖标记

1
共 13 条