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[发明专利]快速稳定充电的锂电池充电电路-CN201410534708.5无效
发明人：任佳;袁祖斌 -专利权人：成都锐奕信息技术有限公司
申请日： 2014-10-13 - 公布日： 2015-01-07 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本发明公开了快速稳定充电的锂电池充电电路，包括充电指示电路、可调恒流电路、可调稳压电路，充电指示电路包括PNP型三极管Q2、电阻R2、电阻R1、电阻R4、发光二极管LED1，可调稳压电路包括NPN型三极管Q1、电阻R3、可变电阻R5、稳压二极管D1，可调恒流电路包括PNP型三极管Q3、电阻R7、可变电阻R6，由于电阻R2的分压作用，使得PNP型三极管Q2的E极和B极的电压不同，形成电压差，PNP型三极管Q2处于导通状态，随着充电时间的推进，随着被充电锂电池电压逐渐上升，充电电流将逐渐减小，待电池充满后电阻R2上的压降不断减小，最终使PNP型三极管Q2截至。
快速稳定充电锂电池电路

[发明专利]微波炉显示屏的亮度自动调节电路-CN200910228489.7无效
发明人：张文学 -专利权人：乐金电子(天津)电器有限公司
申请日： 2009-11-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： F24C7/08 文献下载
摘要：一种微波炉显示屏的亮度自动调节电路，由多个光电二极管各对应的设置在微波炉控制电路中的控制芯片的显示信号输出端与显示芯片的显示信号接收端之间。控制芯片显示信号输出端的脚5～脚12的每一个脚都分别通过一个电阻与显示芯片显示信号接收端的脚5～脚12相连接，所述的各光电二极管是分别设置在控制芯片的脚5～脚12与对应的电阻之间。光电二极管有发光二极管和与发光二极管对应设置并感应发光二极管的发光强度的二极管，发光二极管的正极连接5V电源，负极接地，二极管的正极接微波炉控制电路中的控制芯片的显示信号输出端，负极通过电阻接显示芯片的显示信号接收端本发明光电二极管控制显示屏电流的强弱，从而调节显示屏的亮度，提高显示效果。
微波炉显示屏亮度自动调节电路

[发明专利]LED串组电流均衡电路-CN200910224545.X无效
发明人：葛涤华 -专利权人：维熹科技股份有限公司
申请日： 2009-11-17 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种LED串组电流均衡电路，其包括一定电流源、一LED串组及一电流镜单元，该LED串组包括至少两LED串，每一所述LED串由多个LED串联而成，所述电流镜单元包括至少两个三端元件，该三端元件具有第一极、第二极和第三极，所述至少两个三端元件中的第一三端元件的第二极与第三极短路连接，所述至少两个三端元件中的第二三端元件的第一极、第二极与第三极分别和第一三端元件的第一极、第二极与第三极电性连接，该三端元件与所述
led 电流均衡电路

[发明专利]一种功率场效应晶体管及其布图方法-CN201010588544.6无效
发明人：游步东 -专利权人：杭州矽力杰半导体技术有限公司
申请日： 2010-12-03 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明涉及一种集成于一单片硅片上的功率场效应晶体管及其布图设计方法，所述功率场效应晶体管由多个单元晶格并行排列组成，每一单元晶格包括栅极区域、源极区域和漏极区域，其中，所述漏极区域和所述源极区域分别分布在所述栅极区域的两侧，其特征在于，所述栅极区域呈弯折形状，在第一端向漏极区域弯折，以在漏极区域形成第一凹入区域、第一弯折区域和第一接触区域；在第二端向源极区域弯折，以在源极区域形成第二凹入区域、第二弯折区域和第二接触区域；所述的呈弯折形状的栅极区域增加了有效沟道宽度，从而使得导通电阻RDSON减小；相应的漏极区域和源极区域不再是矩形形状，而是在不同的区域具有不同的形状，从而减小单元晶格的高度，进一步减小了导通电阻RDSON
一种功率场效应晶体管及其方法

[发明专利]一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法-CN201010589576.8无效
发明人：王汉华;项艺;杨新民;靳彩霞;董志江 -专利权人：武汉迪源光电科技有限公司
申请日： 2010-12-15 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有氧化物纳米阵列结构的发光二极管及其制备方法。所述发光二极管包括沉积在所述发光二极管表面的透明导电层，和覆盖于该透明导电层表面或者掩埋在其中的呈阵列分布的氧化物颗粒。该发光二极管的制备方法包括旋涂、压模、UV照射、脱模、RIE、沉积、和lift-off步骤，在RIE和沉积步骤之间还可有刻蚀步骤。本发明的发光二极管的呈阵列分布的氧化物颗粒结构能够造成光的散射，破坏原本应该被全内反射的光，而允许更多的光子逃逸出发光二极管，从而降低了发光二极管的全反射影响，提高发光二极管的出光率。该制备方法在提高发光二极管光提取效率的同时不涉及有源层和p型GaN的等离子体刻蚀，因而不会造成等离子损伤进而影响发光二极管的电性能。
一种具有氧化物纳米阵列结构发光二极管及其制备方法

[发明专利]发光二极管灯具-CN200910310946.7无效
发明人：莫赐锦;陈庆仲 -专利权人：富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司
申请日： 2009-12-04 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： F21V19/00 文献下载
摘要：一种发光二极管灯具，包括一基板、设于基板第一表面上的若干第一发光二极管、设于基板第二表面上的若干第二发光二极管，所述基板第二表面上形成有朝向基板外周方向倾斜的倾斜面，所述第二发光二极管贴置于所述倾斜面上与现有技术相比，本发明的发光二极管灯具的所述第一发光二极管发出的光向基板的第一表面朝向的区域照射，所述第二发光二极管贴置于基板第二表面上形成的朝向基板外周方向倾斜的倾斜面上，以朝向发光二极管灯具的外周区域照射，所述第一、第二发光二极管之间的协同工作使得本发明的发光二极管灯具在满足照度要求的情况下，又实现了大角度出光的目的。
发光二极管灯具

[发明专利]一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器-CN200910243741.1无效
发明人：刘新宇;程伟;金智;王显泰 -专利权人：中国科学院微电子研究所
申请日： 2009-12-23 - 公布日： 2011-06-29 - 主分类号： H03F1/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电阻进行耦合和匹配的单片低噪声放大器，采用异质结双极型晶体管作为有源器件，包括第一级放大电路和第二级放大电路，第一级放大电路采用共发射极放大器拓扑结构，其有源器件为第一异质结双极型晶体管，第一异质结双极型晶体管的基极是该放大器的信号输入端，第一异质结双极型晶体管的集电极是第一级放大电路的信号输出端；第二级放大电路采用达林顿对管结构，其有源器件为第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管，其中第二异质结双极型晶体管的基极是达林顿结构的输入端，第二异质结双极型晶体管和第三异质结双极型晶体管的集电极是达林顿结构的输出端。
一种利用电阻进行耦合匹配单片低噪声放大器

[发明专利]单片机加电启动时信号稳定性的电路-CN201310630000.5无效
发明人：刘佳 -专利权人：成都天奥信息科技有限公司
申请日： 2013-11-30 - 公布日： 2014-03-26 - 主分类号： G05B19/042 文献下载
摘要：本发明公开了单片机加电启动时信号稳定性的电路，包括VCC电源、MCU第一信号端、MCU第二信号端、输出设备、地信号GND、第一NPN三极管T1、第二NPN三极管T2、电阻R1，电阻R1的一端连接VCC电源，电阻R1的另一端与MCU第二信号端、第二NPN三极管T2的基极、第一NPN三极管T1的集电极相连，第一NPN三极管T1的基极连接MCU第一信号端，第一NPN三极管T1的发射极连接地信号GND，第二NPN三极管T2的发射极连接地信号GND，第二NPN三极管T2的集电极连接输出设备的信号控制端。
单片机启动信号稳定性电路

[发明专利]一个参考接地转换的电路-CN201310016497.1无效
发明人：林峰;华雷 -专利权人：常州隆辉照明科技有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2014-07-23 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供了一个参考接地转换的电路，包括：运算放大器、第一、第二晶体三极管、采样电阻、控制端电阻、第一、第二、第三和第四电阻，采样电阻一端连接运算放大器正极，采样电阻另一端通过第一电阻连接运算放大器负端，运算放大器负端通过第二电阻连接运算放大器输出端，运算放大器输出端与第一晶体三极管的发射级相连，第一晶体三极管的基级和第一晶体三极管的集电极连接，第一晶体三极管的集电极通过第三电阻接地，并与第二晶体三极管的基级连接，第二晶体三极管发射级通过第四电阻和运算放大器正极连接，第二晶体三极管集电级通过控制端电阻接地，第一、第二晶体三极管为同类型晶体三极管。
一个参考接地转换电路

[发明专利]具有保护通路的发光二极管驱动器-CN201210225634.8无效
发明人：曾维亮 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2012-07-03 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了具有保护通路的发光二极管驱动器，包括整流器及与整流器连接的发光二极管组，整流器包括整流单元、第一电容及整流二极管，整流单元设有两个输入端和两个输出端，整流单元的一个输入端上连接有第一电阻，整流单元的一个输出端串联整流二极管后与发光二极管组连接发光二极管组包括多个串联的发光二极管，发光二极管组中每个发光二极管上均并联有一个反接的稳压管。本发明采用上述结构，整体结构简单，便于实现，且本发明应用时并联在发光二极管上的稳压管的支路构成本发明的保护线路，从而能避免本发明发生断路。
具有保护通路发光二极管驱动器

[发明专利]具有增加光取出效率的交流发光装置及其制造方法-CN201310531580.2无效
发明人：潘锡明;黄国钦;冯辉庆;朱胤丞;丁逸圣 -专利权人：江苏璨扬光电有限公司
申请日： 2009-04-07 - 公布日： 2014-02-05 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有增加光取出效率的交流发光装置，在一基板设置一第一发光二极管与一第二发光二极管，所述基板具有复数凹槽，且第一发光二极管与第二发光二极管之间具有一分隔空间，使发光二极管之间绝缘，而第一发光二极管与第二发光二极管之间通过一导体相连接本发明可以籍由基板所具有的复数凹槽将光线反射至侧面，以解决发光层照射至基板的光线无法完全往发光二极管的侧面传播，降低其发光效率的问题，提高第一发光二极管与第二发光二极管的光取出效率，提高交流发光装置的发光效能
具有增加取出效率交流发光装置及其制造方法

[发明专利]单节电池高亮度发光二极管手电筒-CN201310364224.6无效
发明人：黄月华 -专利权人：黄月华
申请日： 2013-08-19 - 公布日： 2013-11-20 - 主分类号： H05B37/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单节电池高亮度发光二极管手电筒，其特征包括：所述的电感反馈型振荡电路中PNP型三极管VT1的基极接高频变压器B初级线圈L1的同名端，高频变压器B初级线圈L1的异名端通过电阻R1接电路地GND，PNP型三极管VT1的集电极接高频变压器B次级线圈L2的异名端，高频变压器B次级线圈L2的同名端接1.5V电池的负极，PNP型三极管VT1的发射极接电路地GND，1.5V电池的正极接电路地GND；所述的高频电压整流及滤波电路由肖特基二极管D1、电解电容C1组成；所述的发光二极管工作回路中发光二极管LED1～LED3的负极接肖特基二极管D1的正极，发光二极管LED1～LED3的正极接电路地GND。
节电亮度发光二极管手电筒

[发明专利]一种四端口差分放大电路-CN201310381543.8无效
发明人：刘雄 -专利权人：苏州苏尔达信息科技有限公司
申请日： 2013-08-29 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H03F3/45 文献下载
摘要：本发明公开了一种四端口差分放大电路，所述第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管的源极均连接直流电源VAA，第五PMOS管和第六PMOS管的源极连接输出电压VON、第七PMOS管和第八PMOS管的源极连接输出电压VOP；所述第一PMOS管和第三PMOS管的栅极分别连接输入信号VIN、VIP，第二PMOS管和第四PMOS管的栅极分别连接参考电压VRN、VRP，第五PMOS管的栅极和第六PMOS管的栅极连接，第七PMOS管的栅极和第八PMOS管的栅极连接，第五PMOS管和第八PMOS管的栅极且均连接直流电源VAA；所述第一PMOS管的漏极与第八PMOS管的漏极连接，第二PMOS管的漏极与第六PMOS管的漏极连接，第三PMOS管的漏极与第五PMOS管的漏极连接，第四PMOS管和第七PMOS管的漏极连接。
一种端口放大电路

[发明专利]具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法-CN201310379728.5无效
发明人：薛斌;谢海忠;卢鹏志;于飞;杨华;李璟;伊晓燕;王军喜;李晋闽 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2013-08-28 - 公布日： 2013-11-27 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：一种具有可调输出光色的发光二极管模组的制备方法，包括以下步骤：步骤1：取一外延片；步骤2：在外延片上制备发光二极管阵列；步骤3：在制作有发光二极管阵列的外延片上涂覆荧光粉；步骤4：对外延片进行减薄划裂，得到发光二极管单元；步骤5：取一基板，基板的一面制备有导电通孔、金属焊点和导电通道，基板的另一面制备有与导电通孔连接的金属电极，将电路导入基板的背面；步骤6：将发光二极管单元的电极与基板上对应的金属焊点连接，将发光二极管单元固定在基板上，将基板划裂切割开来，形成发光二极管模组，完成具有可调输出光色的发光二极管模组的制备。可以对发光二极管模组的尺寸和模组中发光二极管的间距进行精确控制。
具有可调输出发光二极管模组制备方法

[发明专利]一种用于电脑的限流保护调节电路-CN201310587407.4无效
发明人：黄友华 -专利权人：成都市宏山科技有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2014-04-23 - 主分类号： G06F21/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于电脑的限流保护调节电路，它包括第一端口和第二端口，所述的第一端口通过电阻R1连接在场效应管M1的漏极上，所述的第一端口还连接在场效应管M2的漏极上，所述的第二端口通过电阻R2同时与场效应管M1的栅极和三极管的集电极相连，所述的第二端口连接在场效应管M2的栅极上，所述的场效应管M1的源极接地，所述的场效应管M2的源极连接在三极管的发射极上，所述的三极管的基极通过电阻R3连接在集电极上，所述的三极管的发射极通过电阻
一种用于电脑限流保护调节电路