专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]牙槽嵴保护的方法和材料-CN00807894.7无效
  • 张相健 - 张相健
  • 2000-02-21 - 2002-05-29 - A61C8/00
  • 本发明涉及牙槽嵴保护的方法和材料,通过将与自然齿根形状相似的钛体插入到拔牙后形成的空缺中,可保持牙槽嵴的自然齿根形状,通过将混有混合剂的钛粒子填入到拔牙后形成的空缺中以提高骨生长性,以及通过将钛线填入到拔牙后形成的空缺以形成自然齿根形状将包含有骨移植材料的钛网填入到拔牙所形成的空缺中以形成自然牙齿相似的齿根形状并保护牙槽嵴以在牙槽嵴骨中作为固态填充物。这省去了病人对移植体的骨移植操作恐惧的时间,保持较好的面部外观。
  • 牙槽嵴保护方法材料
  • [其他]自然自然-CN86103524无效
  • 马锡洪 - 马锡洪
  • 1986-05-20 - 1987-12-02 - E04H1/00
  • 本发明涉及到大地的生态平衡总规划以及达到这一目的的建筑结构、街道结构、河坝结构、绿化方法等。该发明还着重设想了多种的建筑结构,使建筑物省工省料,而规划大地的这种物是高压液体管道,用该高压液体(高浓度)管道(配合已有的绿化方法)可有效地防止水土流失和挽救目前已流失或正在流失的土地。
  • 自然
  • [发明专利]减小通孔接触电阻的方法-CN202110093825.2在审
  • 孙洪福;公茂江;姜国伟;王雷 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2021-01-22 - 2021-05-04 - H01L21/768
  • 本发明提供了一种减小通孔接触电阻的方法,包括:提供衬底,在所述衬底上形成介质层;刻蚀所述介质层以在所述介质层中形成贯穿的通孔;在所述通孔的内壁形成第一阻挡层;采用等离子反应气体与所述第一阻挡层的表面自然形成的氧化物发生还原反应,以去除所述第一阻挡层的表面自然形成的氧化物;在所述第一阻挡层上形成第二阻挡层;本发明通过等离子反应气体与第一阻挡层的表面自然形成的氧化物进行还原反应,以去除第一阻挡层的表面自然形成的氧化物,能够减小通孔接触电阻
  • 减小接触电阻方法
  • [发明专利]闪存器件的制作方法-CN202210433797.9在审
  • 陈宏 - 上海华虹宏力半导体制造有限公司
  • 2022-04-24 - 2022-11-29 - H01L27/11521
  • 本发明提供一种闪存器件的制作方法,包括:提供前端器件,前端器件包括在衬底上依次层叠的栅介质层、浮栅层、复合介质层、控制栅层和具有元胞区开口的掩模层;元胞区开口的侧壁形成有侧墙,侧墙暴露出部分控制栅层;暴露出的控制栅层表面被氧化形成自然氧化层;形成覆盖自然氧化层的牺牲氧化层;干法刻蚀牺牲氧化层和自然氧化层暴露出控制栅层。通过在自然氧化层表面形成牺牲氧化层,在暴露出控制栅层的工艺(BT工艺)中,待刻蚀去除的氧化层(包括牺牲氧化层和自然氧化层)厚度增加,延长了刻蚀时间,便于刻蚀机台点火时间控制;解决刻蚀时间太短刻蚀机台点火较难控制的问题,同时避免在仅有自然氧化层状态下刻蚀时间加长导致过刻蚀的情况。
  • 闪存器件制作方法
  • [实用新型]喂乳垫-CN201120033571.7无效
  • 简雯燕 - 简雯燕
  • 2011-01-31 - 2011-11-30 - A47D13/08
  • 一种喂乳垫 ,其主要包含有枕垫体,该枕垫体主体上方形成有一承载面,可用来承载婴儿,而该枕垫体的底部则形成有支持面,用来放置于该婴儿母亲腿上,从而得到支持。该承载面与支持面为软性记忆材质所制成,可自然下陷以形成稳定支持。因此,该枕垫体的承载面上用来躺卧婴儿,并因材料可自然凹陷以包覆在婴儿身体的周围,形成稳定的婴儿承载;而该支持面同样因材质而自然凹陷,使该枕垫体可稳定放置在母亲的腿上,让该婴儿头部可以自然靠近母亲胸前进行哺乳
  • 喂乳垫
  • [发明专利]深沟槽多晶硅形成方法-CN201010536583.1有效
  • 吴智勇 - 上海华虹NEC电子有限公司
  • 2010-11-09 - 2012-05-23 - H01L21/02
  • 本发明公开了一种深沟槽多晶硅形成方法,包括步骤:在形成深沟槽后,循环淀积多晶硅和离子注入形成多层多晶硅,直至多层多晶硅填满深沟槽;对多层多晶硅进行回刻,用以去除深沟槽外部区域的多晶硅。在多层多晶硅回刻工艺中采用多晶硅刻蚀和自然氧化层刻蚀循环重复刻蚀的方式,即当多晶硅刻蚀到含有自然氧化层的位置时,插入一步自然氧化层刻蚀工艺。本发明能够避免出现多晶硅刻蚀过程中形成自然氧化层的侧壁掩模,从而能够消除多晶硅尖刺的形成
  • 深沟多晶形成方法
  • [发明专利]去除接触窗底部自然氧化层的方法-CN201310323635.0在审
  • 林艺辉 - 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
  • 2013-07-30 - 2015-02-11 - H01L21/311
  • 本发明提供一种去除接触窗底部自然氧化层的方法,至少包括以下步骤:提供一Si衬底,所述Si衬底上形成有具有侧壁层的栅极;然后形成二氧化硅层间介质层,并在所述具有侧壁层的栅极两侧的源极和漏极上方的二氧化硅层间介质层中形成接触窗;采用Ar等离子体去除所述接触窗底部的部分自然氧化层,接着采用SiCoNi法去除所述接触窗底部剩余的自然氧化层。本发明采用Ar等离子与SiCoNi法相结合对接触窗底部的自然氧化层进行处理,处理时间都较短,不会对衬底形成损伤,且降低了接触窗侧壁的氧化物损失,同时有效去除了接触窗底部的自然氧化层,为下一步金属硅化物的形成提供了良好的铺垫,有利于形成均匀、接触性能良好的金属硅化物,提高了产品的合格率。
  • 去除接触底部自然氧化方法
  • [实用新型]一种风向可调的自然通风墙体-CN202221187767.6有效
  • 黄红霞;王亮;郑日成 - 西南科技大学
  • 2022-05-18 - 2022-11-15 - F24F7/00
  • 本实用新型涉及自然通风建筑通风换气领域,尤其是涉及一种加强自然通风效率风向可调的自然通风墙体,其包括了普通墙体、弧形墙体和房屋,还包括了设置在弧形墙体的进风口和设置在弧形墙对墙的出风口,所述弧形墙体上进风口不是固定的自然风通过叶片结构转动形成的进风口进入室内,经出风口流向室外,从而形成一个气流循环回路。这种自然通风建筑物可以增大建筑物自然风的进风口面积,使自然风不受风向的影响,增大引入室内自然风量,还可以调节室内风量。不仅可以提高室内环境热舒适度,还具有经济、节能、环保等优点。
  • 一种风向可调自然通风墙体

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