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[发明专利]减振装置和车辆-CN200980117185.1有效
发明人：守屋英朗;佐藤雄志;伊藤丈生;中野克好;村岸恭次 -专利权人：翔风技术有限公司
申请日： 2009-05-13 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： F16F15/02 文献下载
摘要：该减振装置预先决定目标振动能级，将在减振对象的位置处产生的振动保持在目标振动能级以下。该减振装置具有：频率检测单元，其用于检测由振动产生源引起的振动的频率；振动检测单元，其用于检测与由需减振位置处的频率检测单元检测出的、由振动产生源引起的振动的频率相等的频率的振动；振动能级转换单元，其用于将检测出的振动转换为振动能级；励振单元，其设置在与需减振位置不同的位置处，产生使需减振位置励振的减振力；比较单元，其比较振动能级与预定的目标振动能级；励振命令产生单元，其根据比较单元的比较结果，在振动能级大于目标振动能级时产生使振动减小的励振命令，使得振动能级成为目标振动能级，并向励振单元输出产生的励振命令。
装置车辆

[发明专利]量子级联激光器元件-CN202110490126.1在审
发明人：藤田和上;日高正洋;杉山厚志;柴田公督 -专利权人：浜松光子学株式会社
申请日： 2021-05-06 - 公布日： 2021-11-09 - 主分类号： H01S5/34 文献下载
摘要：活性层中含有的各单位层叠体在其子带能级结构中具有第一发光上位能级、第二发光上位能级、和至少一个发光下位能级。活性层被构成为，在各单位层叠体中，由发光层中的第一发光上位能级、第二发光上位能级、及至少一个发光下位能级中的至少两个能级间的电子跃迁生成中心波长为10μm以上的光。
量子级联激光器元件

[发明专利]一种扫描方法、装置、存储介质及电子设备-CN202111122526.3在审
发明人：袁超 -专利权人：东软医疗系统股份有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： A61B6/03 文献下载
摘要：本申请公开了一种扫描方法、装置、存储介质及电子设备，其中方法包括：设定扫描设备的能级切换时间，所述能级切换时间大于最小单位的采样间隔；基于所述能级切换时间、各扫描次数以及预设的建像条件，确定各扫描次数对应的扫描持续时间；基于所述能级切换时间、扫描次数以及各扫描次数对应的扫描持续时间，以不同能级交替切换的方式进行。本申请通过设定的能级切换时间并结合预设建像条件，来确定各扫描次数对应的扫描持续时间，为后续进行能级切换扫描奠定了基础，保证了即使在扫描设备的硬件器材较为低级时，也能使获得的不同能级的扫描图像在时间上具有良好一致性的
一种扫描方法装置存储介质电子设备

[发明专利]一种发光结构及有机电致发光器件-CN202310797540.6在审
发明人：郭立雪;朱映光;张国辉;胡永岚 -专利权人：固安翌光科技有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H10K50/12 文献下载
摘要：本申请提供一种发光结构及有机电致发光器件，发光结构包括主体材料、染料和敏化剂材料；发光结构中的激子能量按照如下顺序依次传递：主体材料的三线态低振动能级、敏化剂材料的三线态高振动能级、敏化剂材料的单线态能级、染料的单线态能级。本申请的发光结构中加入特定的敏化剂材料，其改变了激子能量的传递路径，使得激子能量首先从主体材料的三线态低振动能级传递至敏化剂材料的三线态高振动能级，再传递至敏化剂材料的单线态能级，最后很快传递到染料的单线态能级
一种发光结构有机电致发光器件

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN201811014627.7有效
发明人：段炼;蔡明瀚;宋晓增;魏金贝 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2019-09-10 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括有机发光层，有机发光层保包括主体材料、敏化剂材料以及共振型热活化延迟荧光材料；主体材料为宽带隙材料；敏化剂材料为激基复合物材料；宽带隙材料的单重态能级大于激基复合物的单重态能级，宽带隙材料的三重态能级大于激基复合物的三重态能级，激基复合物材料的单重态能级大于共振型延迟荧光材料的单重态能级，激基复合物材料的三重态能级大于共振型延迟荧光材料的三重态能级。
激基复合物能级三重态能级单重态有机电致发光器件延迟荧光材料宽带隙材料共振型敏化剂材料有机发光层显示装置主体材料器件寿命热活化光谱发光

[发明专利]流量分配方法及无线接入点-CN201610749708.6有效
发明人：刘鹏 -专利权人：中兴通讯股份有限公司
申请日： 2016-08-29 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： H04W28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种流量分配方法及无线接入点，所述方法包括：在STA接入后，确定所述STA的性能级别；按照性能级别从低到高的顺序，对已接入的各STA的数据报文进行调度；其中，每调度一个数据报文，均按设定的性能级别上浮标准，对该数据报文所属STA的性能级别进行更新。本发明按性能级别从低到高的顺序进行数据报文调度，并动态更新各STA的性能级别，使得性能级别越小的STA的数据报文具有更多发送机会，而性能级别高的STA的数据报文也会得到发送，避免了性能较强的STA抢占流量
流量分配方法无线接入

[发明专利]一种有机电致发光器件和显示装置-CN202110487570.8有效
发明人：蔡明瀚;李国孟;李飞霞;刘俊;李梦真;王宏宇 -专利权人：昆山国显光电有限公司;清华大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明提供一种有机电致发光器件和显示装置，有机电致发光器件包括发光层；所述发光层包括n型窄带隙主体材料、TADF敏化剂以及客体材料；所述n型窄带隙主体材料的第一激发单重态能级大于所述TADF敏化剂的第一激发单重态能级，所述TADF敏化剂的第一激发单重态能级大于所述客体材料的第一激发单重态能级；所述n型窄带隙主体材料的第一激发三重态能级大于所述TADF敏化剂的第一激发三重态能级，所述TADF敏化剂的第一激发三重态能级大于所述客体材料的第一激发三重态能级
一种有机电致发光器件显示装置

[发明专利]光电极及其制造方法、光电化学电池及使用该电池的能量系统、以及氢生成方法-CN201280013135.0有效
发明人：田村聪;野村幸生;铃木孝浩;德弘宪一;谷口昇;羽藤一仁;宫田伸弘 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-04-25 - 公布日： 2014-01-22 - 主分类号： C25B11/06 文献下载
摘要：在光催化剂层(13)由n型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差小于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。在光催化剂层(13)由p型半导体构成时，真空能级与导电体层(12)的费米能级的能量差大于真空能级与光催化剂层(13)的费米能级的能量差。
电极及其制造方法光电化学电池使用能量系统以及生成

[发明专利]量子比特处理方法、量子电路及量子计算机-CN202211460047.7在审
发明人：王腾辉;邓纯青 -专利权人：阿里巴巴达摩院（杭州）科技有限公司
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：其中，该方法涉及量子技术领域，包括：控制量子比特的高激发能级与目标谐振腔产生共振，其中，高激发能级为大于或等于第二激发能级的能级；在量子比特的高激发能级与目标谐振腔处于持续共振的过程中，向量子比特施加微波，控制量子比特的第一激发能级向目标谐振腔的耗散能级进行绝热演化，对量子比特进行初始化。
量子比特处理方法电路计算机

[发明专利]在半绝缘Ⅲ族氮化物中用于费米能级控制的共掺杂-CN200910138077.4有效
发明人： A·W·萨克斯莱尔 -专利权人：克里公司
申请日： 2004-09-28 - 公布日： 2009-10-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：半绝缘III族氮化物层及制造半绝缘III族氮化物层的方法，包括：利用浅能级p型掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级掺杂剂如深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。这样的层和/或方法也可以包括利用浓度小于约1×10¹⁷cm^-3的浅能级掺杂剂掺杂III族氮化物层，和利用深能级过渡金属掺杂剂掺杂III族氮化物层。深能级过渡金属掺杂剂的浓度大于浅能级p型掺杂剂的浓度。
绝缘氮化物用于费米能级控制掺杂

[发明专利]半导体装置和其生产方法-CN03155096.7有效
发明人：山田悟;永井亮;大汤静宪;中邑良一;高浦则克 -专利权人：尔必达存储器株式会社;株式会社日立制作所
申请日： 2003-08-27 - 公布日： 2004-05-19 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：在具有三个和多个不同费米能级的多晶硅栅电极结构的半导体装置中，具有最低费米能级的P型多晶硅在第一N型表面沟道MOS晶体管上；具有最高费米能级的第一N型多晶硅在第二N型表面沟道MOS晶体管上，和具有在最高费米能级和最低费米能级之间的中间费米能级的
半导体装置生产方法

[发明专利]一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置-CN202211049798.X有效
发明人：周博艺;冯加贵;熊康林 -专利权人：材料科学姑苏实验室
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G01Q60/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种二能级缺陷的空间分布的测量方法及测量装置。该测量方法包括：对超导量子待测样品施加预设偏置磁场；根据超导量子待测样品的超导量子比特的频率和偏置磁通的关系曲线确定能级回避交叉点的坐标点，能级回避交叉点的坐标点对应于待测样品中的二能级缺陷；通过二能级缺陷的空间分布的测量装置的探针依次对N个待测区域施加按照预设规律变化的应力，其中，超导量子待测样品的表面包括N个待测区域，N大于或等于1；确定每个待测区域的二能级缺陷的数量，其中，每个待测区域内能级回避交叉点的坐标点随着应力的变化出现变化的数量即该待测区域存在二能级缺陷的数量本发明实施例提供的技术方案可以表征二能级缺陷的空间分布情况。
一种能级缺陷空间分布测量方法测量装置

[发明专利]具有动态成形的增益的光放大器-CN98801191.3无效
发明人：萨利姆·N·贾布尔 -专利权人：迪泰克有限公司
申请日： 1998-08-18 - 公布日： 2004-01-28 - 主分类号： H01S3/22 文献下载
摘要：揭示了一种系统和方法，通过有选择地控制光放大器的有源增益元素的电子能级的至少一个斯塔克次能级的电子粒子数，调节包括抽运激光器和有源增益元素的光放大器的增益曲线。通过动态地控制选出的斯塔克次能级的电子粒子数，可以使有源增益元素的增益曲线平直。在控制电子粒子数的第一种方法中，在有源增益元素的同一能量簇的一对斯塔克次能级之间引起双光子跃迁。通过两个附加的抽运激光器激发双光子跃迁，该抽运激光器工作于这样的波长，其差接近于被移动的电子之间的成对斯塔克次能级中的能量差。在控制电子粒子数的第二种方法中，在有源增益元素的不同能量簇的一对斯塔克次能级之间引起单光子跃迁。通过附加的抽运激光器激发单光子跃迁，该抽运激光器工作于接近能级对之差的频率差。另外，通过以选出的波长操作放大器的抽运激光器激发单光子跃迁，以同时产生从有源增益元素的基能级到较高能级的电子跃迁，和从选出的上激光能级的斯塔克次能级到更高的能级的电子跃迁。
具有动态成形增益放大器

[发明专利]冷原子束的原子频标检测方法及系统-CN202110741899.2在审
发明人：王力军;吴晨菲;张建伟 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2021-10-08 - 主分类号： H03L7/26 文献下载
摘要：所述方法包括：生成冷原子束，冷原子束是经过态制备和分离振荡场作用的，冷原子束中包括处于第一能级的第一原子和处于第二能级的第二原子，第一能级高于第二能级；利用检测激光作用于冷原子束，得到第一荧光信号和第二荧光信号，第一荧光信号是第一原子跃迁到激发态能级后回落至第一能级产生的，第二荧光信号是将第二原子泵浦至第一能级后，由第一能级跃迁至激发态能级再回落至第一能级产生的；根据第一荧光信号和第二荧光信号计算冷原子束的原子跃迁概率信号
原子检测方法系统

[发明专利]有机发光二极管及电子设备-CN202111166408.2在审
发明人：苏亮;王士攀;潘帅;庄锦勇;付东 -专利权人：广东聚华印刷显示技术有限公司
申请日： 2021-09-30 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：该有机发光二极管包括：依次层叠设置的阳极、发光层、中间层和阴极；其中，发光层包含主体材料，中间层包含修饰材料；修饰材料的HOMO能级与主体材料的HOMO能级之差的绝对值≤0.1eV；修饰材料的LUMO能级与主体材料的LUMO能级之差的绝对值≤0.1eV；修饰材料的T1能级与主体材料的T1能级之差的绝对值≤0.1eV；主体材料和修饰材料不同通过能级匹配，扩大激子复合区，减少猝灭，提升器件效率。
有机发光二极管电子设备