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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种基于多能级杂质改变半导体掺杂特性的半导体存储器-CN201110005329.3无效
发明人：杨庚雨;黄如;唐昱;邹积彬 -专利权人：北京大学
申请日： 2011-01-12 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L29/66 文献下载
摘要：该半导体存储器包括一个N-P-N型或P-N-P-型半导体，其中，在N-P-N型半导体中的一个N型掺杂区或者P型掺杂区中掺入多能级杂质，或在P-N-P-型半导体中的一个P型掺杂区或者N型掺杂区中掺入多能级杂质本发明通过控制多能级杂质，使其在施主能级和受主能级间进行转变，通过邻近区域间势垒的改变实现存储器关态或开态。
一种基于多能杂质改变半导体掺杂特性存储器

[发明专利]一种基于能级跳变的可变波长激光器-CN201310392567.3无效
发明人：庄凤江;蒲继雄;吴逢铁 -专利权人：华侨大学
申请日： 2013-09-02 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： H01S3/101 文献下载
摘要：本发明提供一种基于能级跳变的可变波长激光器，包括半导体激光泵浦系统和用于形成激光振荡的光学谐振腔；所述的光学谐振腔内沿光路同时依序放置具有准三能级结构的激光晶体，调制偏振态的偏振元件，以及相位延迟片。本发明利用激光晶体的能级结构特征，借助偏振元件和相位延迟片组合装置实现激光下能级的选择；激光器输出波长和功率只在下能级跳变时发生变化，调制元件的微小变化则不会引起激光波长和功率的变化，从而使激光器稳定性大大提高
一种基于能级可变波长激光器

[发明专利]光能级控制装置-CN03104668.1无效
发明人：前川雄一 -专利权人：三美电机株式会社
申请日： 2003-02-19 - 公布日： 2003-09-03 - 主分类号： G11B15/02 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种在可重写型光盘记录时使激光二极管的振荡稳定化的光能级控制装置。其解决方法是，该装置具有对记录时的偏置能级以规定比例的反馈控制和固定值控制的混合控制进行、和对记录时的擦去能级与偏置能级的差以固定值控制进行的控制单元S52，藉此，在记录时因返回光干扰使激光二极管的振荡变得不稳定时，通过偏置能级的反馈控制能使将激光二极管的振荡引回到稳定的方向。
能级控制装置

[发明专利]一种有机化合物及其应用-CN202111122111.6在审
发明人：邓东阳;刘营;张磊;高威 -专利权人：武汉天马微电子有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： C07F5/02 文献下载
摘要：本发明提供一种有机化合物及其应用，所述有机化合物具有如式I所示结构；通过分子结构的设计，赋予其合适的HOMO能级和LUMO能级，有利于相邻层化合物的能级匹配，实现高效的激子复合；所述有机化合物HOMO/LUMO能级的重叠较小，具有较高的单线态能级ES和三线态能级ET，能级差ΔEST
一种有机化合物及其应用

[发明专利]成像元件和成像装置-CN202180007406.0在审
发明人：菅野雅人;高桥千明;齐藤阳介 -专利权人：索尼集团公司
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：并且包含含碳化合物和无机化合物中的至少一种，含碳化合物的电子亲和力大于第一电极的功函数，无机化合物的功函数大于第一电极的功函数；和第二半导体层，其设置在第二电极和第一半导体层之间，并且最高占据分子轨道(HOMO)能级与第二电极的费米能级之差的绝对值B大于或等于从光学带隙算出的第一最低未占据分子轨道(LUMO)能级与费米能级之差的绝对值A，或者在费米能级附近具有态密度相对于HOMO能级为1/10000以上的带隙内能级。
成像元件装置

[发明专利]一种微波测量系统和方法-CN202310270559.5在审
发明人：郝赫;李贵兰;杜石桥;高红卫 -专利权人：北京无线电测量研究所
申请日： 2023-03-16 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： H04B17/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种微波测量系统和方法，系统包括探测器、相对设置的两个电极板，以及含有碱金属原子的玻璃泡，玻璃泡位于两个电极板之间；在两个电极板之产生直流电场，以连续调谐碱金属原子的里德堡第二能级群中每两个相邻能级之间的能级差；玻璃泡同时接收探测光以及耦合光频梳，并接收由待测微波信号和本征微波频率梳合成的合成微波信号，玻璃泡接收到的探测光和耦合光频梳的方向相反，探测光的频率与碱金属原子的基态与激发态之间的能级差匹配，耦合光频梳包括与碱金属原子里德堡第一能级群中每个能级与激发态之间的能级差匹配的频率的光
一种微波测量系统方法

[发明专利]Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法-CN201210327148.7有效
发明人：程凯 -专利权人：程凯
申请日： 2012-09-06 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种Ⅲ族氮化物半导体器件及其制造方法，Ⅲ族氮化物半导体器件包括：衬底；位于所述衬底上的氮化物成核层；位于所述氮化物成核层上的氮化物缓冲层；位于所述氮化物缓冲层上的宽禁带深能级调制层；位于所述宽禁带深能级调制层上的氮化物沟道层；以及位于所述氮化物沟道层上形成的电极，所述宽禁带深能级调制层由含有深能级缺陷的Ⅲ族氮化物半导体层形成，所述深能级缺陷的浓度为一个常数或者由氮化物缓冲层向氮化物沟道层逐渐减小；所述宽禁带深能级调制层的禁带宽度大于所述氮化物沟道层的禁带宽度本发明通过在氮化物沟道层和氮化物缓冲层中间插入宽禁带深能级调制层，起到控制漏电流，降低电流崩塌效应的作用。
氮化物半导体器件及其制造方法

[发明专利]耐溶剂混合型空穴传输材料组合物及量子点发光二极管-CN201911164759.2有效
发明人：苏文明;谢黎明;刘扬 -专利权人：苏州欧谱科显示科技有限公司
申请日： 2019-11-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： H01L51/54 文献下载
摘要：本发明涉及耐溶剂混合型空穴传输材料组合物及量子点发光二极管，组合物包括浅HOMO能级、高迁移率的空穴传输材料Ⅰ和深HOMO能级且含有交连基团的空穴传输材料Ⅱ，其中，浅HOMO能级指能级在‑5.2eV~‑5.6eV，深HOMO能级指能级在‑5.8eV~‑6.4eV。该组合物不仅具有高的空穴迁移率，且具有匹配的HOMO能级帮助空穴在界面处的高效注入，从而提升空穴输运能力使得发光层中载流子更平衡，从而器件效率以及寿命得到提高。
溶剂混合空穴传输材料组合量子发光二极管

[发明专利]新型混合量子比特系统-CN202011139747.7有效
发明人：段路明;杨蒿翔 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06N10/70 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型混合量子比特系统，新型混合量子比特系统包括第一类量子比特和第二类量子比特，第一类量子比特和第二类量子比特承担不同的功能，且第一类量子比特和第二类量子比特为同一种离子，离子具有至少两个长寿命能级，以便第一类量子比特和第二类量子比特在不同长寿命能级间进行相干转移。根据本发明实施例的新型混合量子比特系统，选择其中一些长寿命能级作为操作能级，选择其余一些长寿命能级作为存储能级，当需要对部分量子比特进行操作时，将其余量子比特进行相干转移至存储能级进行保护性存储，因此可以有效消除串扰错误
新型混合量子比特系统

[发明专利]一种反斯托克斯荧光制冷方法-CN201110387157.0无效
发明人：李香萍;陈宝玖;张金苏;程丽红;孙佳石;仲海洋 -专利权人：大连海事大学
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： F25B23/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种反斯托克斯荧光制冷方法，以Er3+作为激光制冷中心，利用绿光半导体LD泵浦Er3+的4S3/2能级，通过4S3/2和2H11/2两个激发态能级到基态4I15/2能级的跃迁实现两种反斯托克斯荧光并行制冷本发明具有以下优势：有望研制出制冷效率更高的全固体激光制冷器；Er3+的4S3/2和2H11/2之间具有较大的能级间距，可以拓宽基质材料的选择范围，而不必再局限于具有很低声子能量的材料，简化制备工艺，降低制作成本；采用合适波长的激光泵浦实现4S3/2低斯塔克能级的布居后，通过声子吸收热激发可以实现对4S3/2高Stark能级和2H11/2能级的布居，得到两种反斯托克斯荧光发射。
一种斯托荧光制冷方法

[发明专利]一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法-CN201510002201.X在审
发明人：翁羽翔;米阳 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2015-01-04 - 公布日： 2015-05-13 - 主分类号： G01N21/63 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体材料能隙中间态能级的测量方法，包括如下步骤：步骤一：采集所述半导体材料在不同激发波长下的动力学数据，并区分导带电子和束缚态电子的动力学；步骤二：将所述动力学数据取脉冲激发之后的同一时间的值作图，得到所述半导体材料的禁带激发扫描光谱；步骤三：确定所述半导体材料的费米能级；步骤四：根据所述费米能级和所述禁带激发扫描光谱表征所述半导体材料的束缚态；步骤五：绘出所述半导体材料的带隙中间态能级图。本发明能够确定费米能级的位置并且系统地表征半导体材料的中间态能级，从而指导光催化剂的设计朝着实用化、高效化的方向发展。
一种半导体材料中间能级测量方法

[发明专利]双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法-CN202010735183.7在审
发明人：李兴冀;杨剑群;吕钢 -专利权人：哈尔滨工业大学
申请日： 2020-07-28 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： G01N23/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种双极晶体管电离损伤敏感部位的检测方法，包括以下步骤：选择辐照源，针对待测双极晶体管开展辐照试验；将辐照后的双极晶体管安装到深能级瞬态谱仪的测试台上，设置测试参数；选择至少2个不同的偏置电压，测试双极晶体管获取深能级瞬态谱；根据深能级瞬态谱中的信号峰位置，判定缺陷是否为电离缺陷；根据深能级瞬态谱中的缺陷信号能级，判定缺陷类型为氧化俘获电荷或界面态；根据缺陷信号类型的判断结果，判定双极晶体管的电离损伤敏感区本发明检测方法基于深能级瞬态谱分析，能够快速判断和评估双极晶体管辐射损伤的敏感区，有利于推进辐射环境下双极器件性能退化等效性问题和抗辐射加固技术的研究。
双极晶体管电离损伤敏感部位检测方法

[发明专利]一种NAND的数据写入方法及相关装置-CN202011605204.X在审
发明人：张博 -专利权人：北京浪潮数据技术有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种NAND的数据写入方法，包括：对SSD中的物理页进行性能分类，得到多个性能级别的物理页；当数据写入NAND的空闲物理页时，判断所述数据和所述数据对应的后续数据是否为连续读取数据；若是，则将所述数据对应的后续数据写入至与所述空闲物理页相同性能级别的物理页中，以便从相同性能级别的物理页中读取数据。通过先将SSD中的物理页进行分类，将物理页分类为多个性能级别，将连续读取数据写入相同性能级别的物理页中，以便实现从相同性能级别的物理页中读取数据，降低了数据读取的总延时，提高了SSD的存储性能。
一种 nand 数据写入方法相关装置

[发明专利]发光元件、显示装置、电子设备以及照明装置-CN202111030932.7在审
发明人：濑尾哲史;大泽信晴 -专利权人：株式会社半导体能源研究所
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2022-01-04 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：在第一有机化合物中，单重激发能级与三重激发能级的差异大于0eV且为0.2eV以下。第一有机化合物和第二有机化合物中的一个的HOMO能级为另一个有机化合物的HOMO能级以上且上述有机化合物中的一个的LUMO能级为另一个有机化合物的LUMO能级以上。
发光元件显示装置电子设备以及照明装置

[发明专利]发光器件和包括该发光器件的发光显示设备-CN202211348319.4在审
发明人：崔哄硕;赵贤珍;李善姬 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2022-10-31 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H10K50/12 文献下载
摘要：非蓝色磷光发光层包括：第一主剂；以及第一掺杂剂，具有第一三重态激发能级，并且具有第一单重态‑三重态激发能级差。蓝色荧光发光层包括：第二掺杂剂，具有小于第一单重态‑三重态激发能级差的第二单重态‑三重态激发能级差，并具有高于第一三重态激发能级的第二三重态激发能级；以及第二主剂。
发光器件包括显示设备

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