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[实用新型]模杯和文胸-CN202122239564.9有效
发明人：朱春龙;熊先波 -专利权人：苏州美山子制衣有限公司;苏州爱慕内衣有限公司
申请日： 2021-09-15 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： A41C3/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种模杯和文胸，包括第一材料层、第二材料层以及位于所述第一材料层和第二材料层之间的空气缓冲层，所述第一材料层和第二材料层的四周相互粘接以形成所述空气缓冲层，所述第一材料层和/或第二材料层上开设有贯穿其厚度方向的缓冲孔，所述缓冲孔与所述空气缓冲层相互贯通。本实用新型的模杯，通过在两个材料层之间设置空气缓冲层，并在两个材料层中的一个或者两个上开设与空气缓冲层贯通的缓冲孔，使得缓冲孔与空气缓冲层配合，实现在模杯冲到挤压的时候起到缓冲作用，且该缓冲作用并不依赖于材料本身的特性；同时，缓冲孔可以起到透气效果。
文胸

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910044809.7在审
发明人：吴轶超;张天豪 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-07-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一导电层以及位于第一导电层上的刻蚀停止材料层；在刻蚀停止材料层上形成缓冲材料层；在缓冲材料层上形成第二介电层，缓冲材料层的C含量少于第二介电层中的C含量；刻蚀第二介电层，形成露出缓冲材料层的开口；刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层；刻蚀缓冲层露出的刻蚀停止材料层，形成露出第一导电层的沟槽，剩余刻蚀停止材料层作为刻蚀停止层，沟槽的侧壁包括刻蚀停止层的侧壁和缓冲层的侧壁；填充开口和沟槽，形成第二导电层。在刻蚀缓冲材料层，形成缓冲层的过程中，不易产生聚合物杂质，形成的沟槽侧壁与第一导电层上表面的夹角更小，优化了半导体结构的电学性能。
半导体结构及其形成方法

[实用新型]层压用缓冲材料结构-CN201220483196.0有效
发明人：周久红 -专利权人：广东生益科技股份有限公司
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： B32B38/18 文献下载
摘要：本实用新型提供一种层压用缓冲材料结构，包括：第一缓冲材料层及与该第一缓冲材料层间隔设置的第二缓冲材料层，该第二缓冲材料层与该第一缓冲材料层可分离设置。本实用新型层压用缓冲材料结构，其由可分离设置的第一与第二缓冲材料层通过叠合、粘合或压合的方式贴合在一起而制成，当该第一或第二缓冲材料层出现问题时，可将该第一或第二缓冲材料层与未出现问题的第二或第一缓冲材料层分离，进而对出现问题的第一或第二缓冲材料层进行更换，降低生产成本，延长使用寿命；且所述第一缓冲材料层为热塑性材料层，可有效控制层压板基材内部玻璃纱交织点开裂、脱层、气泡、板厚不良、翘曲等缺陷。
层压缓冲材料结构

[实用新型]一种蜂窝组合结构衬垫-CN202123288967.9有效
发明人：张艳朋;刘胜;张燕 -专利权人：北京普凡防护科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： F41H1/04 文献下载
摘要：本实用新型实施例公开了一种蜂窝组合结构衬垫，包括缓冲层和舒适层，缓冲层包括蜂窝型结构层和缓冲材料层，并由蜂窝型结构层和缓冲材料层通过热压的方式叠加构成，缓冲材料层包括若干缓冲材料单元，并由若干缓冲材料单元通过热压的方式逐层叠加构成，舒适层包括若干柔性材料单元，并由若干柔性材料单元通过热压的方式逐层叠加构成，缓冲层和舒适层通过绒布封装，并黏贴于盔体的内侧，使缓冲层介于盔体和舒适层之间，且蜂窝型结构层靠近盔体。本实用新型利用蜂窝型结构层强度高、重量轻、缓冲性好的特点，使缓冲层具备良好的缓冲性能，将其与缓冲材料层和舒适层等材料共同使用，使蜂窝组合结构衬垫具有更高的强度、优异的缓冲性能和更轻的重量。
一种蜂窝组合结构衬垫

[实用新型]一种具有隔热阻燃功能的缓冲密封垫-CN202220111632.5有效
发明人：龚恒伟 -专利权人：江苏长江新材料科技有限公司
申请日： 2022-01-17 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： B32B27/36 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有隔热阻燃功能的缓冲密封垫，涉及密封材料技术领域，为解决现有密封垫大多均具备隔热效应，但是在安装于密封处后，对于冲击力的卸力有着一定缺陷的问题。所述缓冲密封垫主体的外侧设置有表面自吸材料层，所述表面自吸材料层的内壁设置有亚克力缓冲材料层，所述亚克力缓冲材料层的内部设置有缓冲垫圈机构，且缓冲垫圈机构设置有若干个，所述缓冲垫圈机构与亚克力缓冲材料层热熔连接，所述亚克力缓冲材料层的内壁设置有PET基础材料层，所述PET基础材料层的内部设置有连接缓冲片，且连接缓冲片设置有若干个，所述PET基础材料层的内壁设置有丙烯酸胶粘层，所述丙烯酸胶粘层的内壁设置有PET热隔离材料层。
一种具有隔热阻燃功能缓冲密封垫

[实用新型]一种抗冲击电池包外壳结构-CN202021035386.7有效
发明人：朱剑峰;刘飞;徐亚龙 -专利权人：上海京彦汽车工程技术有限公司
申请日： 2020-06-08 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01M2/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抗冲击电池包外壳结构，该电池包外壳结构包括金属缓冲层一、柔性缓冲层二以及金属缓冲层三。缓冲层一为所述电池包外壳结构的外层。缓冲层二贴合缓冲层一设置，并且缓冲层二包括吸能层结构。缓冲层三为所述电池包外壳结构的内层并贴合缓冲层二。上述不同材料的三层缓冲层共同组成一个完整的电池包外壳结构。多层缓冲层大大减少外力，从而达到对内部电池起到保护作用。而缓冲层具有多种缓冲材料，抗冲击能力比传统单一材料的电池包外壳强。并且位于电池包外壳上的多层缓冲层选用的材料的质量较传统材料有一定减轻，使电池包轻量化。
一种冲击电池外壳结构

[实用新型]一种柔韧性好的鞋底-CN201921144822.1有效
发明人：黎先红;李丙礼;桂良忠 -专利权人：泉州星竹鞋材有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： A43B13/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种柔韧性好的鞋底，包括橡胶鞋底，所述橡胶鞋底的底部设置有缓冲层，所述缓冲层的底部设置有耐磨层，所述缓冲层包括珍珠棉材料层，所述珍珠棉材料层的底部粘合连接有缓冲海绵材料层。本实用新型通过设置缓冲层、珍珠棉材料层、缓冲海绵材料层、缓冲EVA材料层、耐磨层、耐磨硅胶材料层、耐磨复合材料层和耐磨高分子层相互配合，达到了增加鞋底耐磨性能和缓冲性能的优点，使鞋底在长期穿着时，能够有效的增加鞋底的耐磨性能，有效的防止鞋底出现损坏，延长了鞋底的使用寿命，同时增加鞋底的缓冲性能，能够更好的对穿着者足部进行缓冲保护，提高了穿着者的舒适感，方便使用者使用。
一种柔韧性鞋底

[实用新型]一种头盔-CN201820178387.3有效
发明人：冯德肯 -专利权人：东莞市高艺塑胶制品有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： A42B3/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种头盔，包括缓冲材料层、可拆卸套设在缓冲材料层外侧的外观层以及固定底座，该固定底座为具有两个收紧侧壁的U型罩体，侧壁分别于缓冲材料层的两侧卡紧外观层与缓冲材料层，本实用新型通过固定底座卡紧外观层与缓冲材料层，从而无需通过贯穿安装钉固定外观层，能够有效避免因受力造成外观层的损坏；并通过在缓冲材料层的内侧设置安装钉，加固了缓冲材料层与固定底座的连接，有效提升了固定底座的固定效果。
缓冲材料层固定底座外观层本实用新型安装钉侧壁卡紧头盔固定效果可拆卸受力贯穿

[发明专利]一种基于缓冲层进行深刻蚀的掩蔽方法-CN201110215430.1在审
发明人：刘若鹏;赵治亚;缪锡根;张贤高 -专利权人：深圳光启高等理工研究院;深圳光启创新技术有限公司
申请日： 2011-07-29 - 公布日： 2013-01-30 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明实施例提供了一种基于缓冲层进行深刻蚀的掩蔽方法，该方法包括：在衬底上形成功能材料层；在所述功能材料层上形成缓冲层；在所述缓冲层上涂敷一层抗蚀剂材料；对所述抗蚀剂材料进行平面曝光，在所述抗蚀剂材料上形成预设的微结构图形；将抗蚀剂材料上的微结构图形转移到所述缓冲层上；将缓冲层上的微结构图形深刻蚀到所述功能材料层上；去除抗蚀剂材料和缓冲层，获得具有微结构图形的功能材料。通过增加缓冲层保证对功能材料进行深刻蚀的质量。
一种基于缓冲进行深刻掩蔽方法

[实用新型]一种包装材料-CN202120555174.X有效
发明人：张宏亮 -专利权人：张宏亮
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： B65D65/40 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种包装材料，包括缓冲材料层、防水材料层和粘接材料层，所述缓冲材料层与防水材料层贴合，所述粘接材料层粘接于缓冲材料层远离防水材料层的表面上或所述粘接材料层粘接于防水材料层远离缓冲材料层的表面上，所述粘接材料层远离缓冲材料层的表面贴合有防粘纸，所述缓冲材料层开设有至少两个直角槽，多个所述直角槽相互平行设置。包装材料沿直角槽折叠后，使缓冲材料层能极大程度上贴合被包装的物件，保证了被包装物件在运输时的稳定性。并且通过设置粘接草料层以及防粘纸，使厂家在包装物件时，避免厂家在包装时人手粘贴双面胶的麻烦。
一种包装材料

[发明专利]有机发光装置-CN201110183103.2无效
发明人：卓庭毅;陈介伟 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2011-06-27 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种有机发光装置，适于配置于一基板上，包括一阴极层、一缓冲层、一材料层、一有机发光层以及一阳极层。阴极层位于基板上。缓冲层位于阴极层上且与阴极层接触，其中阴极层位于基板与缓冲层之间。材料层位于缓冲层上且与缓冲层接触，其中缓冲层位于阴极层与材料层之间，缓冲层的最低未占有分子轨域与材料层的最高占据分子轨域之间的差距小于2eV。有机发光层位于材料层上。阳极层位于有机发光层上。
有机发光装置

[发明专利]一种用于发光二极管的AlN缓冲层及其制作方法-CN201610557325.9有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;汪洋;童吉楚;方天足 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2016-07-15 - 公布日： 2018-06-19 - 主分类号： H01L33/12 文献下载
摘要：本发明公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层，该AlN缓冲层生长于衬底上，由AlN材料层和AlN材料掺氧层构成，在衬底上生长底层AlN材料掺氧层，在底层AlN材料掺氧层上依次交替循环生长AlN材料层和AlN材料掺氧层，顶层为AlN材料掺氧层；顶层AlN材料掺氧层上生长外延层。本发明还公开一种用于发光二极管的AlN缓冲层制作方法。本发明形成高致密性的AlN缓冲层，有效释放缓冲层与衬底的应力，使得缓冲层的应力释放得更好，有利于改善生长于缓冲层上的氮化镓材料的晶体质量。 1
氧层发光二极管生长缓冲层衬底材料层顶层氮化镓材料高致密性交替循环应力释放有效释放外延层制作

[发明专利]一种导电缓冲胶带及其制备方法-CN201811028839.0在审
发明人：林学好;陆兰硕;黄汉杰;郑锦伟 -专利权人：惠州市美信电子有限公司;深圳市美信电子有限公司
申请日： 2018-09-03 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C09J7/29 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电缓冲胶带及其制备方法，属于胶带技术领域。导电缓冲胶带包括缓冲材料层、双面胶层和离型材料层；双面胶层包括第一粘合层、屏蔽层和第二粘合层；缓冲材料层包括基材和镀于基材表面的镀层金属。离型材料层的表面由下到上依次设置有第二粘合层、屏蔽层、第一粘合层和缓冲材料层。该导电缓冲胶带薄软且同时具备优异的导电缓冲性能，有利于保证零件与零件之间的导电、缓冲及固定并节约空间。制备方法包括：将双面胶层的第二粘合层贴合于离型材料层的表面，将缓冲材料层贴合于双面胶层的第一粘合层的远离屏蔽层的一侧表面，收母卷。该方法简单，易操作，工艺可控，成本较低。
粘合层导电缓冲材料层缓冲胶带双面胶层离型材料层屏蔽层制备贴合镀层金属缓冲性能基材表面节约空间依次设置胶带缓冲基材可控母卷保证

[实用新型]一种机器人用特种电缆-CN201822238771.0有效
发明人：胡士来;李金连;苗福庆;田忠 -专利权人：扬州曙光电缆股份有限公司
申请日： 2018-12-28 - 公布日： 2019-11-15 - 主分类号： H01B7/17 文献下载
摘要：本实用新型公开了电缆技术领域的一种机器人用特种电缆，所述导体的外部包裹设置有绝缘层，所述绝缘层的外壁设置有无定性缓冲材料层，所述无定性缓冲材料层的外壁设置有防腐层，所述防腐层的外壁设置有橡胶层，所述橡胶层的外壁设置有防腐涂料层；在绝缘层的外壁依次交错设置了无定性缓冲材料层、防腐层、缓冲塑料层与橡胶层，当缓冲塑料层与橡胶层损坏破裂时，无定性缓冲材料层、防腐层依旧可以起到抗压耐腐蚀的作用，在无定性缓冲材料层中填充设置了泡沫块、木丝、纸丝等具有一定缓冲性能的材料，使无定性缓冲材料层具有一定的缓冲性能，防腐层设置为聚异丁烯橡胶层，聚异丁烯橡胶不仅具有一定耐腐蚀性，同时也具有一定的弹性及足够的强度。
缓冲材料层防腐层定性外壁设置橡胶层绝缘层聚异丁烯橡胶缓冲塑料缓冲性能电缆技术领域本实用新型防腐涂料层包裹设置交错设置耐腐蚀性特种电缆导体耐腐蚀泡沫块抗压木丝外壁纸丝填充机器人破裂外部

[发明专利]选择性外延生长的基于III-V材料的器件-CN201480076366.5有效
发明人： M·V·梅茨;J·T·卡瓦列罗斯;G·杜威;W·拉赫马迪;B·舒-金;M·拉多萨夫列维奇;H·W·田;R·皮拉里塞泰;R·S·周 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2014-03-28 - 公布日： 2020-07-17 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：实施例包括基于III‑V材料的器件，其包括：在硅衬底上的基于第一III‑V材料的缓冲层；在基于第一III‑V材料的缓冲层上的基于第二III‑V材料的缓冲层，第二III‑V材料包括铝；以及在基于第二III‑V材料的缓冲层上的基于III‑V材料的器件沟道层。另一实施例包括上面的主题，并且基于第一III‑V材料的缓冲层和基于第二III‑V材料的缓冲层均具有等于基于III‑V材料的器件沟道层的晶格参数。本文中包括其它实施例。
选择性外延生长基于 iii 材料器件

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