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[发明专利]用于三维存储器的擦除验证方法以及存储器系统-CN201711097517.7有效
发明人：古绍泓;黄昱闳;程政宪;李致维;铃木淳弘;蔡文哲 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2017-11-09 - 公布日： 2020-12-11 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种用于三维存储器的擦除验证方法以及一种存储器系统。三维存储器包括至少一存储单元串，以及至少一存储单元串包括多个存储单元。存储单元包括一第一组存储单元以及一第二组存储单元。各存储单元耦接于一字线。对第一组存储单元上执行一第一擦除验证操作。在对第一组存储单元执行第一擦除验证操作后，在第一组存储单元被验证为擦除成功的情况下，对第二组存储单元上执行一第二擦除验证操作。
用于三维存储器擦除验证方法以及系统

[发明专利]阵列比较和交换操作-CN200780012449.8有效
发明人： B·萨哈;A·－R·阿德尔－塔巴塔拜 -专利权人：英特尔公司
申请日： 2007-03-30 - 公布日： 2009-04-22 - 主分类号： G06F13/00 文献下载
摘要：尝试为软件事务存储器(STM)系统的一组存储单元中的每个存储单元获得通过所述STM的实现而提供的写入锁定；如果为所述一组存储单元中的每个存储单元获得了写入锁定，则将所述一组存储单元中的每个存储单元中的值与对应的预期值进行比较；以及如果对于所述一组存储单元中的每个存储单元，所述比较产生相同的预定结果，则将对应的新值存储在每个存储单元中。
阵列比较交换操作

[发明专利]一种存储器装置及提供该存储器装置的方法-CN201510033933.5有效
发明人：龙翔澜;吴昭谊;简维志 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-01-23 - 公布日： 2018-04-13 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种存储器装置及提供该存储器装置的方法。该存储器装置包括第一组存储单元以及第二组存储单元，第一组存储单元与第二组存储单元具有存储器元件以及位于第一与第二组存储单元上的第一与第二覆盖材料。存储器元件包括可编程电阻存储器材料，而覆盖材料接触存储器元件。第一与第二组存储单元具有共同的存储单元结构。第一组存储单元的第一存储单元包括顶电极与底电极，而第一覆盖材料接触存储器材料。控制电路应用不同的写入算法至第一与第二组存储单元。通过使用不同的覆盖材料形成第一与第二覆盖层，第一与第二组存储单元具有不同的操作存储器特性，但具有相同的存储单元结构。
一种存储器装置提供方法

[发明专利]包括减小其他存储单元的影响的对非易失性存储器的编程-CN201180027182.6有效
发明人：董颖达;李世钟;大和田宪 -专利权人：桑迪士克技术有限公司
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2013-03-20 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：一种对非易失性存储器进行编程的系统，该系统减小来自相邻存储单元的升压的干扰的影响。存储单元被分成两个或更多个组。在一个示例中，存储单元被分成奇数存储单元和偶数存储单元；但是，也可以使用其他分组方式。在第一触发之前，利用随着时间增大的编程信号对第一组非易失性存储单元和第二组非易失性存储单元一起进行编程。在第一触发之后、第二触发前，使用响应于第一触发而幅度减小了的编程信号独立于第二组存储单元来对第一组存储单元进行编程。在第二触发之后，通过响应于第二触发而升高的编程信号对第一组存储单元和第二组存储单元一起进行编程。在两个触发之前和之后，对第一组存储单元和第二组存储单元一起进行验证。
包括减小其他存储单元影响非易失性存储器编程

[发明专利]存储器中计算(CIM)存储阵列-CN202210169850.9在审
发明人：张延安;陈昱霖;李嘉富 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2022-02-23 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G11C5/06 文献下载
摘要：本公开涉及存储器中计算(CIM)存储阵列。一种用于CIM的存储器件，其具有存储阵列，该存储阵列包括被布置成行和列的阵列的多个存储单元。存储单元具有第一组存储单元和第二组存储单元。阵列的每一行具有对应的字线，其中阵列的行的每个存储单元耦合到对应的字线。阵列的每一列具有对应的位线，其中阵列的列的每个存储单元耦合到对应的位线。控制电路被配置为响应于组使能信号选择第一组存储单元或第二组存储单元。
存储器计算 cim 存储阵列

[发明专利]一种相变存储装置、操作方法和存储器芯片-CN202110806720.7在审
发明人：陈一峰 -专利权人：华为技术有限公司
申请日： 2021-07-16 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G11C11/34 文献下载
摘要：一种相变存储装置、操作方法和存储器芯片，用于加快相变存储装置写操作的速度，提升相变存储装置的工作效率。该相变存储装置包括：存储阵列，包括多个存储单元；信号生成电路，用于向多个存储单元中的第一组存储单元施加预操作电压，第一组存储单元位于存储阵列的同一行或同一列；多个限流模块，连接第一组存储单元，用于在信号生成电路向第一组存储单元施加预操作电压时，限制通过第一组存储单元的操作电流为目标电流，目标电流用于使第一组存储单元处于预结晶状态；控制电路，用于对处于预结晶状态的第一组存储单元进行写或擦操作。
一种相变存储装置操作方法存储器芯片

[发明专利]在SONOS闪存中的双倍密度核心栅极-CN02819283.4有效
发明人： Y·孙;M·A·范布斯科克;M·T·拉姆斯比 -专利权人：先进微装置公司
申请日： 2002-09-30 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8246 文献下载
摘要：一种形成非挥发性半导体内存装置的方法，包括在基板(12)的上方形成电荷捕捉介电质(114)；于核心区域中在该电荷捕捉介电质(114)的上方形成第一组存储单元栅极(116)；在该第一组存储单元栅极(116)的周围形成一致的绝缘材料层(118)；以及在该核心区域中形成第二组存储单元栅极(122)，其中该第二组存储单元栅极(122)的每一个存储单元栅极相邻于该第一组存储单元栅极(116)的至少其中一个存储单元栅极，该第一组存储单元栅极(116)的每一个存储单元栅极相邻于该第二组存储单元栅极(122)的至少其中一个存储单元栅极，以及该一致的绝缘材料层(118)置于已揭示的各个相邻的存储单元栅极之间。
sonos 闪存中的双倍密度核心栅极

[发明专利]用于存储管理的方法、设备和计算机程序产品-CN202111668200.0在审
发明人：马春;康剑斌;高宏坡 -专利权人：戴尔产品有限公司
申请日： 2021-12-31 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： G06F3/06 文献下载
摘要：本公开的实施例涉及存储管理的方法、设备和计算机程序产品。该方法包括：确定一组盘上要被重建的多个存储单元，该多个存储单元分布在一组盘中的不同盘上；基于多个存储单元在一组盘上的分布，从该多个存储单元中选择一组存储单元，使得该一组存储单元中的不同存储单元分布于不同的盘；以及对一组存储单元执行并发重建。该方案可以利用尽可能多的物理盘并发地执行重建，并且避免物理盘的磁头由于该盘同时参与两个存储单元的重建而造成的来回摆动，从而提高了重建效率。
用于存储管理方法设备计算机程序产品

[发明专利]编程存储单元块的方法、非易失性存储器件和存储卡器件-CN200710097200.3无效
发明人： U·奥古斯丁;K·塞德尔 -专利权人：奇梦达闪存有限责任公司
申请日： 2007-04-12 - 公布日： 2007-10-17 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：提供了一种用于编程非易失性存储器件的存储单元块的方法。选择存储单元块的第一组存储单元。将至少一个编程脉冲编程到第一组的所有存储单元中。仅检测第一组的每一个存储单元的阈值电平。通过将每一个检测的阈值电平与提供给每一个第一组存储单元的预定义目标电平相比较，验证第一组存储单元。
编程存储单元方法非易失性存储器器件

[发明专利]可变电阻式存储器件以及操作其的方法-CN202010826578.8在审
发明人：庆箕明;尹正赫;李基远 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-09-10 - 主分类号： G11C13/00 文献下载
摘要：本申请公开了可变电阻式存储器件以及操作其的方法。该可变电阻式存储器件包括存储单元阵列和控制电路块。存储单元阵列包括被连接在全局字线与全局位线之间的多个存储单元。控制电路块位于存储单元阵列的至少一个边缘部分上。存储单元阵列被分类为具有与控制电路块邻近的存储单元的第一组和具有相对于控制电路块而言较远的存储单元的第二组。第二组比第一组离控制电路块远。控制电路块包括写入控制单元，所述写入控制单元产生控制信号，以用于与对第二组中的存储单元进行写入相比，以不同的方式对第一组中的存储单元进行写入。
可变电阻存储器件以及操作方法

[发明专利]编程非挥发性存储器装置以降低位线干扰的方法及装置-CN201510539962.9有效
发明人：铃木淳弘;李亚睿;陈冠复;李致维 -专利权人：旺宏电子股份有限公司
申请日： 2015-08-28 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：本发明提供了一种装置和方法以在编程非挥发性存储器时降低位线干扰。该方法包含：提供包含一组存储单元的非挥发性存储器装置；发射编程电压跨越该组存储单元的每一个；侦测每一存储单元的临界电压；基于每一存储单元侦测到的至少一临界电压辨识该组存储单元的快速分组及该组存储单元的慢速分组；并且，发射编程电压直到该组存储单元的每一存储单元的临界电压大于验证电压，在每一发射中，快速位线偏压被施加到对应快速分组的每一存储单元的每一位线，慢速位线偏压被施加到对应慢速分组的每一存储单元的每一位线
编程挥发性存储器装置降低干扰方法

[发明专利]存储器系统-CN201080041759.4无效
发明人：初田幸辅;高岛大三郎 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2010-02-05 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G06F12/06 文献下载
摘要：一种存储器系统，包括：多个存储组，每个存储组包括非易失性第一存储单元和作为所述第一存储单元的缓冲存储器的第二存储单元并能够执行所述第一存储单元与所述第二存储单元之间的数据传输；以及多个MPU。对所述存储组之一经由所述第二存储单元在所述主机设备与所述第一存储单元之间的数据传输的第一控制和包括其他存储组的所述第一存储单元的维护控制的第二控制被分配给所述MPU以便由所述MPU独立地执行。
存储器系统

[发明专利]铁电存储器的操作方法-CN202010143463.9有效
发明人：潘锋 -专利权人：无锡拍字节科技有限公司
申请日： 2020-03-04 - 公布日： 2020-12-25 - 主分类号： G11C11/22 文献下载
摘要：公开了铁电存储单元的操作方法的实施例。在一个示例中，公开了一种用于读取铁电存储单元的方法。铁电存储单元包括第一组铁电存储单元和第二组铁电存储单元。在第一周期中，第一组铁电存储单元的第一铁电存储单元中的第一数据被感测。在第一周期之后的第二周期中，所感测的第一数据被写回到第一铁电存储单元，并且第二组铁电存储单元的第二铁电存储单元中的第二数据同时被感测。
存储器操作方法

[发明专利]存储单元、存储单元的控制方法、存储器及电子设备-CN202110579052.9在审
发明人：杨正杰 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： G11C5/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种存储单元、存储单元的控制方法、存储器及电子设备，存储单元，包括：电容组；接触垫，位于电容组上方，接触垫内形成有多个第一接触孔及多个第二接触孔；控制电路，通过各第一接触孔与电容组电性连接，通过各第二接触孔与电容组电性连接，控制电路用于在存储单元的温度高于预设温度时通过第一接触孔向电容组输出单元板极电压且通过第二接触孔向电容组输出单元板极电压，在存储单元的温度低于预设温度时通过第一接触孔向电容组输出单元板极电压且停止通过第二接触孔向所述电容组输出电压上述存储单元能有效降低存储单元高温操作时的金属电阻。
存储单元控制方法存储器电子设备

[发明专利]一种存储快照的方法及装置-CN201710632524.6有效
发明人：张振广 -专利权人：苏州浪潮智能科技有限公司
申请日： 2017-07-28 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F11/14 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种存储快照的方法及装置，包括预先依据预设规则及位置关系将快照卷与原卷对应的各个存储单元进行分组，得到各个存储组；依据用户输入的修改请求确定待修改的目标存储单元；依据目标存储单元确定出包括目标存储单元的存储组；建立与存储组中的各个存储单元分别对应的各个新建存储单元；将各个存储单元中分别存储的原数据分别拷贝至相应的新建存储单元中；将快照卷中分别指向各个存储单元的指针更改为分别指向相应的新建存储单元；将用户输入的与修改请求对应的数据信息存储至目标存储单元中并覆盖目标存储单元中的原数据可见，当用户对多个存储单元中的数据进行修改时，可以减少对原数据迁移的次数，提高写操作的工作效率。
一种存储快照方法装置

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