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[发明专利]用于芯片粒精细线路的载板结构、封装结构及其制备方法-CN202211533027.8在审
发明人：凌云志;燕英强;向迅;胡川;赵维;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-12-02 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：本发明公开一种适用于芯片粒精细线路的载板结构的制备方法及载板结构，方法包括在临时载板上制备临时键合层，并在临时键合层上制备管脚互连层；在管脚互连层之上制备至少一层精细线路互连层；在至少一层精细线路互连层之上制备芯核层，芯核层中形成有与至少一层精细线路互连层和/或管脚互连层互连的第二电气导通结构；在芯核层之上制备至少一层与精细线路互连层连接的内增层；对临时键合层进行解键合，得到包括有管脚互连层、至少一层精细线路互连层、芯核层、和至少一层内增层的载板结构。本发明实施例提供的方案能够在载板结构上制备精细线路，且能保证精细线路互连线的良率，因而还相应提高了精细线路、载板结构和封装结构的可制造性。
用于芯片精细线路板结封装结构及其制备方法

[发明专利]屏幕、屏幕的制造方法和图像显示系统-CN02806273.6无效
发明人：户田淳;黑木义彦;大西通博;赤尾裕隆;石本光 -专利权人：索尼公司
申请日： 2002-03-26 - 公布日： 2004-05-12 - 主分类号： G03B21/56 文献下载
摘要：一种投影屏幕，通过在衬底上按层依次形成用于反射红色的精细粒子层、用于反射绿色的精细粒子层和用于反射蓝色的精细粒子层而构成。在每个精细粒子层中，在最紧密结构中例如以11周期规则放置各精细粒子。用于反射红色的精细粒子具有约280nm的直径，用于反射绿色的精细粒子具有约235nm的直径，而用于反射蓝色的精细粒子具有约212nm的直径。每个精细粒子层通过自组织技术沉积。
屏幕制造方法图像显示系统

[发明专利]芯片载体的无核制作方法-CN201010623651.8无效
发明人：朱兴华;苏新虹 -专利权人：北大方正集团有限公司
申请日： 2010-12-30 - 公布日： 2012-07-04 - 主分类号： H05K3/46 文献下载
摘要：本发明提供一种芯片载体的无核制作方法，其中，包括：在载板上制备至少两层精细线路层、位于所述至少两层精细线路层之间的内层导电柱层和内层绝缘层，以获得内层精细线路板；在所述内层精细线路板的至少一面上制备至少一层导电柱层、至少一层外层绝缘层和至少一层外层精细线路层。本发明通过无核制作方法来制备芯片载体，通过图像转移法来制备导电柱层，通过选用层压纯树脂类型的绝缘层，能使研磨后的绝缘层的表面更加平滑，有利于绝缘层和精细线路层之间有更好的结合力，保证产品的可靠性与合格率，同时，在对各绝缘层进行层压处理后进行研磨时不受芯片载体层数的限制，有利于制备具有不同奇数层精细线路层或不同偶数层精细线路层的芯片载体。
芯片载体无核制作方法

[发明专利]电子发射元件及其生成方法-CN201110085994.8有效
发明人：长冈彩绘;平川弘幸;井村康朗;平田佳奈子;岩松正 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-04-02 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种电子发射元件，该电子发射元件包括：第一电极；形成于第一电极上的且由绝缘精细颗粒构成的绝缘精细颗粒层；以及形成于绝缘精细颗粒层上的第二电极，其中绝缘精细颗粒是单分散精细颗粒，并且当在第一电极与第二电极之间施加电压时，电子被从第一电极释放到绝缘精细颗粒层中并且通过绝缘精细颗粒层被加速，以从第二电极发射。
电子发射元件及其生成方法

[发明专利]一种半导体芯片的制造方法-CN201911150767.1在审
发明人：张显良;赵洪波;李志超 -专利权人：中芯集成电路（宁波）有限公司
申请日： 2019-11-21 - 公布日： 2020-12-04 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：一种半导体芯片的制造方法，步骤包括提供晶圆，晶圆上形成有膜层；提供第一精细金属掩模版，将第一精细金属掩模版与膜层临时键合；以第一精细金属掩模版为掩模，刻蚀膜层，形成第一功能层和第二功能层；将第一精细金属掩模版与功能层解键合本发明通过临时键合精细金属掩模版作为掩模，刻蚀膜层，形成厚度不同的功能层，刻蚀完毕进行解键合工艺。由于避免了通常的光刻胶掩模、剥离光刻胶，而引发功能层损伤，临时键合精细金属掩模版做掩模，功能层损伤小，提高器件性能。该精细金属掩模版解键合后可继续用于其他晶圆功能层的掩膜，重复利用，大大降低的制程成本。
一种半导体芯片制造方法

[发明专利]带有散热板的多芯片互连封装结构及其制备方法-CN202211277815.5在审
发明人：燕英强;胡川;王垚;郑伟;陈志涛 -专利权人：广东省科学院半导体研究所
申请日： 2022-10-19 - 公布日： 2022-12-27 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本发明提供了一种带有散热板的多芯片互连封装结构及其制备方法，涉及半导体先进封装技术领域，该带有散热板的多芯片互连封装结构包括精细线路层、封装芯片、散热板、塑封体和封装线路层，散热板设置在精细线路层上，并贴装在封装芯片远离精细线路层一侧，塑封体包覆在封装芯片和散热板外，封装线路层设置在塑封体上。相较于现有技术，本发明在使用精细线路封装的基础上，通过增设散热板，且散热板同时与精细线路层和封装芯片相接触，能够将封装芯片和精细线路层产生的热量迅速带走，并传递至外部，从而极大地提升了精细线路封装结构的散热能力，很好的解决了系统封装同时要求精细互连、高密度封装、良好散热能力的要求。
带有散热芯片互连封装结构及其制备方法

[发明专利]电子发射元件和用于制造该电子发射元件的方法-CN201110078787.X有效
发明人：井村康朗;平川弘幸;长冈彩绘;平田佳奈子;岩松正 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-03-28 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01J1/30 文献下载
摘要：该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘精细颗粒层，其形成在所述第一电极上并由第一绝缘精细颗粒以及大于第一绝缘精细颗粒的第二绝缘精细颗粒组成，所述绝缘精细颗粒层的表面具有由第二绝缘精细颗粒形成的凸部；以及第二电极，其形成在所述绝缘精细颗粒层上，其中，当在第一电极与第二电极之间施加电压时，从第一电极提供的电子在绝缘精细颗粒层中被加速，以经由所述凸部从第二电极发射出。
电子发射元件用于制造方法

[实用新型]多层式高纳污滤芯-CN201821151854.X有效
发明人：刘海涛;李可前;季文江;代西年;徐地华;吴建伟;毛华;赵元涛;陈勇;王立群;梅领亮 -专利权人：江苏正业智造技术有限公司
申请日： 2018-07-20 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： B01D29/11 文献下载
摘要：本实用新型多层式高纳污滤芯，包括精细过滤层，精细过滤层外端贴合设置有有机过滤层，且有机过滤层外端贴合设置有外端过滤层；外端过滤层为通过缠绕若干层无纺布构成的粗过滤层；有机过滤层为由多孔有机聚合物构成的吸附过滤层；精细过滤层为由熔喷方式制备而成的熔喷层；熔喷层，其结构精细紧密，且具备较高的支撑性，能够提供强大的整体支撑，同时进行精细过滤；有机过滤层，具备强大的分离吸附能力，在精细过滤前，再次进行污染物的分离吸附，保证过滤效果；外端过滤层，由缠绕若干层的无纺布构成，无纺布纤维排列结构规律，水阻小，过滤流量大，同时其纤维丝及纤维间隙空间均匀，提供较大的纳污空间，滤芯使用寿命长。
过滤层外端精细过滤层精细过滤贴合设置多层式熔喷层无纺布滤芯缠绕多孔有机聚合物滤芯使用寿命本实用新型无纺布纤维吸附过滤层粗过滤层过滤流量过滤效果排列结构吸附能力纤维间隙整体支撑纤维丝支撑性熔喷水阻吸附制备污染物精细保证

[发明专利]半导体器件精细图案的制作方法-CN201010245580.2有效
发明人：何其旸;张翼英 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-07-27 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体器件精细图案的制作方法，所述精细图案为相间排列的间隔和线。本发明采用对有机层两侧进行离子注入的方式，形成硬化的侧壁层，然后灰化去除硬化侧壁层之间的未被注入的有机层，该硬化的侧壁层宽度即为精细图案的线宽，硬化侧壁层之间的空隙即为精细图案的间隔。采用本发明的制作方法在确保精细图案准确度的情况下，大大简化了自对准双图案技术。
半导体器件精细图案制作方法

[发明专利]电子发射元件及其制造方法-CN201110097730.4有效
发明人：平川弘幸 -专利权人：夏普株式会社
申请日： 2011-04-14 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：该电子发射元件，包括：第一电极；绝缘层，其形成在所述第一电极上并且具有贯通孔的开口；第二电极，其形成在所述绝缘层上，所述第二电极被布置成使得至少覆盖所述开口，并且经由所述开口而面向所述第一电极；以及，精细颗粒层，其布置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述精细颗粒层由绝缘精细颗粒和导电精细颗粒构成，其中，所述绝缘层被布置在所述第一电极和所述精细颗粒层之间或在所述第二电极和所述精细颗粒层之间，当在所述第一电极和所述第二电极之间施加电压时，电子从所述第一电极发射，并且在所述精细颗粒层中被加速，以通过所述第二电极。
电子发射元件及其制造方法

[实用新型]具有高精细电路的壳体-CN202221816678.3有效
发明人：曹祖铭 -专利权人：深圳市亿铭粤科技有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： B32B27/40 文献下载
摘要：本实用新型涉及电子设备外壳技术领域，一种具有高精细电路的壳体，具有高精细电路的壳体内部设有高精细线路，壳体包括：载体层，载体层用于构建壳体的外观结构；线路层，线路层设置于载体层上表面上，线路层内设有预设纹路的凹槽，凹槽内填充有导电材料，导电材料用于形成高精细电路；线路层为UV胶层、聚氨酯层或环氧树脂层中的一种；线路保护层，线路保护层紧贴线路层上表面设置；外观纹理层，外观纹理层设置于线路保护层上方且上表面具有纹理本申请实用新型高精细电路在线路层和线路保护层的保护作用下，不易发生断裂保证线路完整，其拉伸率可达到150％，便于复杂外形壳体的制备。且高精细电路设置于壳体内部，能有效减小电子设备厚度。
具有精细电路壳体

[发明专利]发光装置及其制造方法-CN201910534449.9在审
发明人：禹荣杰 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2020-01-21 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：所述发光装置包括：基体层；第一导电层，位于基体层上，包括第一电极图案和第二电极图案，并且暴露基体层的位于第一电极图案与第二电极图案之间的第一区域处的部分；精细发光二极管(LED)，位于第一区域处；第二导电层，覆盖第二电极图案和精细LED的第一侧，并且与精细LED的第一侧和第二电极图案接触；第一绝缘层，位于第二导电层和精细LED上，并且部分地暴露精细LED的第二侧；以及第三导电层，覆盖精细LED的第二侧和第一电极图案以及第一绝缘层的侧壁的一部分，并且接触精细LED的第二侧和第一电极图案。
图案精细第二电极第一电极基体层绝缘层第二导电层第一区域发光装置第一导电层发光二极管导电层暴露侧壁覆盖制造

[发明专利]一种超低渗透油藏精细分层注水方法-CN201811208918.X有效
发明人：张卫刚;陈刚;郭龙飞;付玉;王铭伟;陈德照;李永宗;胡瑞;陈中伟;李正伟;韩禹;吴勤博;杨胜芝;沈田丹 -专利权人：西北大学;中国石油天然气股份有限公司长庆油田分公司第八采油厂;西南石油大学
申请日： 2018-10-17 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： E21B43/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种超低渗透油藏精细分层注水方法，其包括以下步骤：S1、收集目标区的地质资料，分析地质特征；S2、基于目标区的地质特征，分析目标区注水开采差异性特征；S3、根据目标区注水开采差异性特征，对目标区进行精细分层，实现精细注水，最后对小层注水政策优化调整及合理调配周期。步骤S3依次包括如下步骤：储层精细对比划分、细分流动单元、确定分注标准、精细小层注采对应、细分注采单元、小层注水政策优化调整与合理调配周期。本发明通过储层精细划分对比、细分流动单元、确立分注标准、精细小层注采对应、细分注采单元及小层技术政策优化调整等关键技术的实践与探索，有效解决了超低渗透复杂油藏开发的难题。
精细小层注水目标区优化调整差异性特征低渗透油藏地质特征分层注水流动单元分注调配地质资料分析目标复杂油藏关键技术技术政策精细对比有效解决低渗透分层政策分析探索开发

[发明专利]燃料过滤元件-CN201010265913.8无效
发明人：米本敏幸 -专利权人：株式会社电装
申请日： 2010-08-26 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： B01D29/03 文献下载
摘要：燃料过滤元件(10)包括第一层(11)和第二层(12)。第一层(11)具有第一孔径。第二层(12)叠放在第一层(11)上并且具有的第二孔径小于第一孔径。第二层(12)是由包含精细化纤维(13)和未精细化有机纤维(14)的纤维制成的过滤纸。所述精细化纤维(13)是经精细化工艺处理和成纤维丝后的纤维素纤维，从而具有120ml-180ml范围内的游离度。所述未精细化有机纤维(14)的纤维直径在8μm-13μm的范围内，并且没有用精细化工艺处理。精细化纤维(13)占纤维的70重量％-85重量％，未精细化纤维(14)为剩余量。
燃料过滤元件

[发明专利]半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN体的制作方法-CN201010612857.0无效
发明人：张盛东;黄如;韩汝琦 -专利权人：北京大学深圳研究生院
申请日： 2010-12-29 - 公布日： 2011-07-20 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明公开了一种精细图形的制作方法，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除覆盖层；以牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形。本发明采用由粗到细的思路，先得到牺牲层粗加工图形，再通过侧面腐蚀以得到牺牲层精细图形，将其作为掩膜刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形，整个方案中所形成的精细图形不受光刻和刻蚀技术水平的限制，制作方法实现简单
半导体精细图形场效应 fin 制作方法

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