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[发明专利]基板处理设备-CN202110333560.9在审
发明人：沈光辅;尹芝勋;申东辉;吴贤优;姜佳岚 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2021-03-29 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：该设备包括：工艺处理单元，用于提供在其中执行基板处理的处理空间；以及产生等离子体的等离子体产生单元，其中，所述等离子体产生单元包括：等离子体室，具有等离子体产生空间；气体供应单元，用于将处理气体供应到等离子体产生空间；功率施加单元，用于通过使处理气体离开等离子体产生空间而产生等离子体；扩散室，布置在等离子体室的下方，并且具有扩散空间，该扩散空间用于扩散在等离子体产生空间中产生的等离子体和/或供应至等离子体产生空间的处理气体，以将其均匀地输送至处理空间，其中具有至少一个穿孔的扩散板可以布置在扩散空间中。
处理设备

[发明专利]用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法-CN201310351440.7无效
发明人：乔迪普·古哈 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2013-08-13 - 公布日： 2014-02-19 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及用于等离子体处理装置的等离子体挡环及其使用的方法。该等离子体处理装置包括挡环，所述挡环将真空室的内部空间分成等离子体空间和排气空间。等离子体通过利用能量源激发工艺气体而被生成在等离子体空间中。然后，所述工艺气体通过围绕衬底支撑件的外周的所述等离子体挡环被排出等离子体空间。所述等离子体挡环包括内支撑环、外支撑环、以及在内支撑环和外支撑环之间延伸的竖直间隔周向地重叠的矩形叶片。每一个叶片具有主表面，用于阻挡从所述等离子体空间到所述排气空间的视线，其中所述叶片的所述主表面被构造来在诸如等离子体蚀刻副产品之类的不挥发的副产品撤离所述等离子体空间之前捕获该副产品。
用于等离子体处理装置及其使用方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201380002694.6有效
发明人：赤野真也 -专利权人：中外炉工业株式会社
申请日： 2013-06-20 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： C23C14/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，即使等离子体与被处理品接近，也能使等离子体与被处理品隔离。本发明的等离子体处理装置1包括腔室（2），该腔室（2）内部具有对被处理品（5）进行保持的保持空间（2a）、以及要形成等离子体的等离子体空间（2b）；向等离子体空间内（2b）放出电子来形成等离子体的等离子体枪（3）；以及在保持空间（2a）与等离子体空间（2b）之间形成横穿腔室（2）的磁通的至少一对位置可调节的对置磁铁（4）。
等离子体处理装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN201210276306.0无效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;瀬川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2012-11-21 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置-CN200880024210.7有效
发明人：高桥哲朗;藤野丰;户岛宏至;久保敦史;康松润;P·芬泽克;濑川澄江 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2008-07-10 - 公布日： 2010-08-11 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理方法和等离子体处理装置。当在腔室内配置晶片，在腔室内形成等离子体生成空间，至少使晶片表面与该等离子体生成空间接触的状态下对晶片表面实施等离子体处理时，使等离子体生成空间与晶片的背面侧的至少外周部分接触而实施等离子体处理。
等离子体处理方法装置

[发明专利]用于高深宽比蚀刻的等离子体蚀刻工具-CN202080021021.5在审
发明人：索斯藤·利尔;伊凡·L·贝里三世;西奥多罗斯·帕纳戈普路斯 -专利权人：朗姆研究公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：利用等离子体蚀刻设备以蚀刻高深宽比特征，该等离子体蚀刻设备可以在使低能量的反应性物质的负离子加速与使高能量的惰性气体物质的正离子加速之间交替进行。该等离子体蚀刻设备可被分成至少两个区域，其将等离子体产生空间与离子化空间分隔开。在等离子体产生空间中点燃等离子体时，可通过离子化空间中的电子附着离子化而产生反应性物质的负离子。在等离子体产生空间中等离子体熄灭时，可通过离子化空间中的潘宁离子化而产生惰性气体物质的正离子。
用于高深蚀刻等离子体工具

[实用新型]一种用于空间等离子体密度诊断的HCN激光干涉仪系统-CN202122300293.3有效
发明人：解家兴;张雪梅;方茹 -专利权人：合肥市铭光光电科技有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-02-11 - 主分类号： G01B9/02017 文献下载
摘要：本公开属于激光干涉领域，公开了一种用于空间等离子体密度诊断的HCN激光干涉仪系统，包括空间等离子体模拟装置，所述空间等离子体模拟装置上开设有多组对称布置的窗口，处于所述空间等离子体模拟装置外侧设置有探测器和干涉仪光路系统；干涉仪光路系统将发射激光分成两束，一束激光从窗口进入至空间等离子体模拟装置内，从另一窗口进行穿出；另一束激光通过单波导绕过空间等离子体模拟装置与从窗口穿出的激光进行合束，合束后的激光进入至探测器内，当空间等离子体模拟装置中心产生等离子体时，两束激光之间就会产生相位变化，进而实时的获取空间等离子体模拟装置内的等离子体密度数据。
一种用于空间等离子体密度诊断 hcn 激光干涉仪系统

[发明专利]等离子体空间特性诊断装置-CN201710004694.X有效
发明人：陈果;何小珊;王涛;何智兵;刘艳松;李俊;张玲 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2017-01-04 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种等离子体空间特性诊断装置，属于等离子体特性诊断领域。本发明提供一种可实现对等离子体空间特性进行诊断的等离子体空间特性诊断装置，包括等离子体发生器和检测装置，等离子体发生器内具有密封的等离子体形成腔，检测装置包括检测探针和探针安装平台，检测探针安装在探针安装平台上，检测探针的检测端深入至等离子体形成腔内。本发明可实现对等离子体在空间上不同位置的特性参数进行检测、诊断，并且通过设置探针安装平台结构可实现检测探针的移动，进而实现检测探针在空间位置上的任意移动，实现对等离子体在空间上不同位置的特性参数进行诊断目的
等离子体空间特性诊断装置

[发明专利]等离子体生成装置及方法-CN201080004507.4无效
发明人：钟江正巳;加藤恭一;尾上薰;福冈大辅 -专利权人：里巴贝鲁株式会社
申请日： 2010-01-12 - 公布日： 2011-12-14 - 主分类号： H05H1/24 文献下载
摘要：本发明的课题是提供一个在高洁净、高纯度的状态下，能够产生并维持稳定的高密度等离子体的等离子体装置。解决上述课题的技术方案是：配有第1等离子体生成室10(配有气体供应口12和等离子体出口13)、第1等离子体生成装置11(在不暴露在第1等离子体生成室空间内的情况下配置)、第2等离子体生成室20(配有等离子体供应口22，供应通过等离子体出口在第1等离子体生成室产生的等离子体)和第2等离子体生成装置21(在不暴露在第2等离子体生成室空间内的情况下配置，在第2等离子体生成室内产生比第1等离子体生成室产生的等离子体更高密度的等离子体)的等离子体生成装置。
等离子体生成装置方法

[发明专利]具有辅助反应室的等离子体室-CN202280019113.9在审
发明人： G·S·莱纳德三世;S·A·麦克勒兰德;J·J·雷哈根;具宰模 -专利权人：雷卡邦股份有限公司
申请日： 2022-03-11 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： B01J19/12 文献下载
摘要：一种等离子体反应系统，包括等离子体室和辅助反应室。等离子体室包括用于将反应气体引入等离子体室的等离子体室入口、形成内部空间的等离子体室壁、在等离子体室内产生的等离子体、用于将能量导向在等离子体室内产生的等离子体的波导件、以及用于从等离子体室运送第一出口气体的等离子体室出口，其中反应气体之间的化学反应可以在该内部空间中发生。辅助反应室包括配置成从等离子体室获得第一出口气体的辅助反应室入口、形成辅助反应室的内部空间的辅助反应室壁、以及用于从辅助反应室运送第二出口气体的辅助反应室出口，其中出口气体之间的第二化学反应可以在该内部空间中发生
具有辅助反应等离子体

[发明专利]等离子体处理装置-CN201710769779.7有效
发明人：舆水地盐;松土龙夫 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-08-17 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种对被加工物的离子能量的控制性优异的等离子体处理装置。一实施方式的等离子体处理装置包括：腔室主体；等离子体捕获机构；载置台；等离子体源；和电势调节部。腔室主体提供其内部空间作为腔室。等离子体捕获机构设置成将腔室分为第一空间和第二空间。载置台设置在第二空间。等离子体源构成为使供给到第一空间的气体激发。电势调节部具有电极。该电极设置在腔室主体的外侧，与在第一空间生成的等离子体电容耦合。电势调节部构成为调节在第一空间生成的等离子体的电势。
等离子体处理装置

[发明专利]中空阳极等离子体反应器与方法-CN200810099586.6有效
发明人：大卫·W·本辛;巴巴克·卡德霍达扬 -专利权人：科林研发公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2008-10-22 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：等离子体处理设备包括等离子体室、第一电极、第二电极与等离子体容器设备。等离子体容器设备具有多个槽并且电连接到第一电极。容器设备用于将等离子体限制在中间电极空间内，并且有利于最大程度的处理气体流动。当在中间电极空间内通过将电场应用于处理气体而产生等离子体时，容器设备将等离子体电子地限制在中间电极空间而没有显著的限制来自中间电极空间的气体的流动。
中空阳极等离子体反应器方法

[发明专利]中空阳极等离子体反应器与方法-CN02812094.9有效
发明人：大卫·W·本辛;巴巴克·卡德霍达扬 -专利权人：科林研发公司
申请日： 2002-05-14 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：等离子体处理设备包括等离子体室、第一电极、第二电极与等离子体容器设备。等离子体容器设备具有多个槽并且电连接到第一电极。容器设备用于将等离子体限制在中间电极空间内，并且有利于最大程度的处理气体流动。当在中间电极空间内通过将电场应用于处理气体而产生等离子体时，容器设备将等离子体电子地限制在中间电极空间而没有显著的限制来自中间电极空间的气体的流动。
中空阳极等离子体反应器方法

[发明专利]基板处理方法及基板处理装置-CN202210374758.6在审
发明人：李城吉;卢明燮;金东勋;严永堤;吴东燮;丘峻宅;朴玩哉 -专利权人：细美事有限公司
申请日： 2022-04-11 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：该基材处理方法包括：用于将基板的温度稳定至用于处理基板的处理空间中的工艺温度的温度稳定化步骤；用于将产生等离子体的等离子体空间的压力和处理空间的压力稳定至工艺压力的压力稳定化步骤，等离子体空间与处理空间流体连通；以及用于在等离子体空间产生等离子体并使用等离子体处理基板的处理步骤。
处理方法装置

[发明专利]等离子体处理方法-CN201380039947.7有效
发明人：原田彰俊 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2013-08-07 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本实施方式的等离子体处理方法，首先实施对等离子体处理空间供给第一含氟气体，使用第一含氟气体的等离子体对被处理基板进行蚀刻的蚀刻工序(S101)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给O2气体，使用O2气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在表面与等离子体处理空间相对地配置的部件上的含碳物的含碳物除去工序(S102)。接着，等离子体处理方法实施对等离子体处理空间供给含氮气体和第二含氟气体，使用含氮气体和第二含氟气体的等离子体除去蚀刻工序之后附着在部件上的含钛物的含钛物除去工序(S103)。
等离子体处理方法

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