“等离子体空间”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果6394910个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]基板处理设备-CN202010587316.0在审
发明人：郑元基;李主日;张夏硕 -专利权人： ASMIP私人控股有限公司
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：一种具有改进的排气结构的基板处理设备包括接地的导电延伸部，其配置成防止在连接到反应空间的排气空间中产生寄生等离子体。基板处理设备防止在反应空间以外的区域比如反应空间中产生寄生等离子体。因此，可以防止功率损失并且可以实现稳定的等离子体处理。
处理设备

[发明专利]等离子体处理装置以及等离子体处理方法-CN201710893730.2有效
发明人：岩井哲博;原基子 -专利权人：松下知识产权经营株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供一种等离子体处理装置以及等离子体处理方法，在等离子体处理时使覆盖件与盖一同下降而对运输载体进行保护。等离子体处理装置具备：基座，具有电极体以及对电极体进行支承的基体，电极体具有对保持在运输载体的基板进行载置的载置面；以及盖，能够相对于基座进行升降，在通过盖下降并与基体密接而形成的密闭空间产生等离子体，进行载置在载置面的基板的等离子体处理，运输载体具备保持片以及配置在保持片的外周部的框架，基板保持在保持片，并且经由保持片载置在载置面，等离子体处理装置还具备：引导件，沿着电极体的周围配置，并对框架进行定位；以及覆盖件，与盖一体设置，在形成有密闭空间时，至少覆盖运输载体的框架。
等离子体处理装置以及方法

[发明专利]彩色等离子体显示器-CN200410055626.9无效
发明人：吴俊翰;陈柏丞;隋寿龄 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-07-30 - 公布日： 2004-12-29 - 主分类号： H01J17/04 文献下载
摘要：一种彩色等离子体显示器，包括多个显示单元，并且每个显示单元包括一个封闭等离子体放电空间及一设置在封闭等离子体放电空间中的荧光层。在上述显示单元中，至少有一显示单元的荧光层厚度和其它显示单元不同。
彩色等离子体显示器

[发明专利]一种用于等离子体处理模型组织中的NO2-CN202210681957.1在审
发明人：熊紫兰;王兵凯;王渝淇;李雨菡 -专利权人：华中科技大学
申请日： 2022-06-16 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： G01N21/84 文献下载
摘要：本发明属于等离子体技术领域，公开了一种用于等离子体处理模型组织中的NO2—定量测量方法，用于等离子体处理模型组织中的NO2—定量测量方法包括：通过采集等离子体处理模型组织冷冻切片的彩色图像，建立标准NO2—浓度与图像对应的数据库；提取图像的RGB和HSV像素分量，建立浓度与像素的数值关系；并获取不同等离子体源处理的等离子体处理模型组织；对处理后的等离子体处理模型组织进行纵切面上的渗透深度的测量；对处理后的等离子体处理模型组织进行NO2—浓度空间分布测量和摩尔量的计算。本发明能够快速准确地测得渗透在模型组织内部的NO2—浓度的空间分布。
一种用于等离子体处理模型组织中的 no base sub

[发明专利]一种真空放电等离子体参数的测量装置及方法-CN201210042947.X有效
发明人：刘文正;孔飞;张德金 -专利权人：北京交通大学
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明公开了属于等离子体诊断技术领域的一种真空放电等离子体参数的测量装置及方法。此发明主要特征是采用施加负电位的栅网对等离子体进行控制。一种真空放电等离子体参数的测量装置的结构如下：栅网、第一探针和第二探针依次安装在等离子体传输通道上，栅网连接控制信号发生器，第一探针连接DC1直流电源和C1电容的公共节点，第二探针连接DC2直流电源和C2本发明的有益效果为：1)对单个或连续脉冲放电产生的、在不同空间或时间点处分布的等离子体特性进行诊断。2)通过施加适当的阻挡电位就能实现等离子体的开断控制。3)便于分析放电等离子体在空间的传输特性。
一种真空放电等离子体参数测量装置方法

[发明专利]等离子体处理装置-CN201511015613.3在审
发明人：黄允文;刘季霖;吴狄 -专利权人：中微半导体设备（上海）有限公司
申请日： 2015-12-31 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体处理装置，用以改善磁屏蔽效果。所述装置包括反应腔，内部设置有处理空间；基座，设置在反应腔内，用于放置基片；等离子体产生单元，用于将处理空间内的气体解离为等离子体；磁屏蔽件，位于处理空间的外围，包括相互隔离的至少两个磁屏蔽层。
等离子体处理装置

[发明专利]一种等离子体发生装置和空气净化器-CN202210475848.4在审
发明人：徐帅;刘文正;肖德玲;汪春节;封宗瑜;罗汉兵 -专利权人：珠海格力电器股份有限公司;北京交通大学
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H05H1/52 文献下载
摘要：本发明涉及了一种等离子体发生装置和空气净化器，等离子体发生装置包括：螺旋电极和筒状电极，筒状电极环绕螺旋电极设置，筒状电极与螺旋电极的间距为L，L≤5mm，筒状电极适于与直流电源相连接，筒状电极上形成有通孔本发明的等离子体发生装置能够在螺旋电极和筒状电极之间产生空间上的辉光放电，增大了等离子体发生装置的放电面积。当筒状电极环绕螺旋电极设置时，筒状电极与螺旋电极之间能够产生多个方向上的放电，进一步增大了空间放电的放电面积，有助于提升放电空间内的等离子体密度。同时，本发明的等离子体发生装置还具有集尘效果，能够较好地去除颗粒物。
一种等离子体发生装置空气净化器

[发明专利]等离子体处理装置-CN201610581053.6有效
发明人：出口新悟;笠原稔大;山田洋平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2016-07-21 - 公布日： 2018-06-22 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种包括具有等离子体耐性且轻量的金属窗的等离子体处理装置。对处理空间(100)内的被处理基板(G)进行等离子体处理的等离子体处理装置(1)包括在接地的金属制的处理容器(10)、(11)内载置有被处理基板(G)的载置台，将多个导电性的部分窗(3)排列而成的金属窗(3)封闭处理容器(10)、(11)上表面侧的开口而形成处理空间(100)，在相邻的部分窗(30)彼此之间设置有树脂制的绝缘部件(31)。陶瓷制的绝缘部件盖(20)覆盖绝缘部件(31)的处理空间侧的面，在金属窗(3)的上方侧设置有用于由感应耦合使处理气体等离子体化的等离子体天线(5)。
等离子体处理装置处理空间绝缘部件金属窗被处理基板等离子体处理等离子体耐性等离子体天线导电性等离子体化处理气体处理容器封闭处理感应耦合接地金属制上表面树脂制陶瓷制载置台轻量载置开口覆盖

[发明专利]用于等离子体诊断的复合探针-CN02109519.1无效
发明人：邓新绿;刘莉莹;邓凡;陆文琪;张家良;徐军;牟宗信 -专利权人：大连理工大学
申请日： 2002-04-19 - 公布日： 2004-07-07 - 主分类号： H05H1/00 文献下载
摘要：一种新型的复合探针，用于高精度的、实时的与具有空间分辨力的等离子体参数测量，属于等离子体诊断技术领域。其特征在于将朗谬尔(Langmuir)单探针与差分发射探针集成安装在同一探针管内形成一种新型的复合探针，结合朗谬尔(Langmuir)单探针扫描电路、差分发射探针空间电位自动跟踪电路、矩形波脉冲发生电路、计算机接口电路与自动采集与分析数据的计算机软件，实现对等离子体参数的高精度实时测量。其特点是测量精度高、测量速度快、可获取等离子体参数时间与空间分布的信息，还可实时观察朗谬尔(Langmuir)单探针的伏安(V-I)特性曲线，广泛适用于等离子体的科学研究及等离子体的工业应用。
用于等离子体诊断复合探针

[实用新型]一种基于固态等离子体的可编程全空间波束扫描天线-CN201721304280.0有效
发明人：章海锋;李文煜;刘婷;马宇 -专利权人：南京邮电大学
申请日： 2017-10-11 - 公布日： 2018-05-08 - 主分类号： H01Q1/38 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种基于固态等离子体的可编程全空间波束扫描天线，包括工作在X波段馈源喇叭，具有由可重构的固态等离子体和金属贴片构成的单元的单层反射阵列以及固态等离子体激励源块。固态等离子体由S‑PIN单元组成的阵列实现，每个S‑PIN单元被激励时，构成固态等离子体的基本像素点。可以通过编程激励出不同的像素点，从而实现紧密排列的单元表面的像素可重构，被激励的可重构像素组成反射阵列单元，单元表面的可重构性使得该天线可以实现某一频段下实现全空间波束的任意扫描。特别是利用固态等离子体的可编程性，能够快速加载可重构单元组成的单元结构，因而实现了波束在全空间中动态扫描。
一种基于固态等离子体可编程空间波束扫描天线

[发明专利]由碳化钨块构成的等离子体设备用部件-CN201780035133.4有效
发明人：黄成植;宣镐正;李在钒;吴浚禄;金贤贞;闵庚烈;金京仁 -专利权人： SKC索密思株式会社
申请日： 2017-05-29 - 公布日： 2021-02-09 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供一种等离子体的耐蚀性优秀且确保等离子体分布的均匀性，并改善电导率及热导率且简化结构的由碳化钨块构成的等离子体设备用部件及制造方法。该部件及方法涉及一种形成用于进行等离子体处理的反应空间的腔体及处于腔体的内部并与等离子体接触的部件，该部件具有等离子体耐蚀性，且体积电阻率为103~10
碳化构成等离子体备用部件

[发明专利]等离子体处理装置及排气环-CN01816013.1有效
发明人：小笠原正宏;加藤和也 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2001-11-02 - 公布日： 2003-12-10 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明可以得到具有耐等离子体性高、可抑制异常放电的排气环的等离子体处理装置。在下部电极(122)周围配以排气环(126)，以便划分处理室(100)内的等离子体处理空间(102)和排气空间(104)，在排气环(126)上形成贯通孔(126a)和比贯通孔(126a)数量少，且在等离子体处理空间在排气环(126)的等离子体处理空间(102)侧表面上施以由Y2O3构成的绝缘膜。
等离子体处理装置排气

[发明专利]成膜装置-CN201080041115.5无效
发明人：沢田郁夫;康松润;松隈正明;河西繁;森嶋雅人 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2010-08-30 - 公布日： 2012-06-13 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：在密封的处理容器(10)内使反应气体反应而在基板(S)上形成薄膜的成膜装置(1a)中，分隔壁(41)将基板(S)的上方空间在横向分割为等离子体生成空间(401)与排气空间(402)，并且从处理容器(10)的顶部向下方延伸，在其下端与基板S之间形成从等离子体生成空间(401)向排气空间(402)流动气体的缝隙。活化机构(42，43)使供给至等离子体生成空间(401)的第1反应气体活化而生成等离子体。第2反应气体供给部(411，412)向等离子体生成空间(401)的下部侧供给与第1反应气体的活性种反应而在基板上形成薄膜的第2输送气体，真空排气口(23)从比分隔壁(41)的下端高的位置对排气空间(402
装置

[发明专利]处理基片的装置和方法及供应等离子体的方法-CN200710164030.6有效
发明人：李畅源 -专利权人： PSK有限公司
申请日： 2007-10-16 - 公布日： 2008-04-30 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种处理基片的装置和方法及供应等离子体的方法，有效地解决了剥离基片上的光致抗蚀剂或残渣的问题。其中装置包括第一生成单元，用于向放电空间供应第一源气体，并给供应的第一源气体放电以生成第一等离子体；第二生成单元，用于向第一等离子体的流动路径上供应第二源气体，并利用第一等离子体给供应的第二源气体放电，以生成第二等离子体；以及处理室，将第一等离子体及第二等离子体供应到处理室，并且在处理室中装载有利用第一等离子体和第二等离子体处理的目标基片。可应用于清洗处理、刻蚀工艺、表面改性工艺以及利用等离子体的所有工艺中。
处理装置方法供应等离子体

[发明专利]一种低温范围的裸露电极型大气压等离子体发生器系统-CN202010504638.4有效
发明人：李和平;李静;陈坚;方川 -专利权人：清华大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： H05H1/46 文献下载
摘要：一种低温范围的裸露电极型大气压等离子体发生器系统属于大气压射频等离子体技术领域，其特征在于包括电源、气源、发生器、等离子体气体温度调节器，输出等离子体调节接头以及处理器，其中，发生器具有同轴型电极，内电极纵剖面呈“U”字形，冷却气体进入凹槽后通过沿径向开在内电极内的多层冷却通道后进入等离子体空间，以补充等离子体输出流量，所述调节接头用于调节输出等离子体纵向高度及输出角度，处理器把输出等离子体分为[‑200℃,0℃]，(0℃,50℃]两档分档处理，对输出等离子体气体温度和流量两个参量按优先级控制，据此确定非最优参量的修正期望值。本发明具有发生器结构简单、输出等离子体可调节及调节对象针对性、选择性强的优点。
一种低温范围裸露电极大气压等离子体发生器系统