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专利名称
农业 化学；冶金 建筑 机械工程 区域搜索
主分类
A 农业
B 作业；运输
C 化学；冶金
D 纺织；造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法-CN201510662264.8在审
  • 王剑;耿金鹏;戴蕴青 - 上海华力微电子有限公司
  • 2015-10-14 - 2015-12-30 - H01L21/02
  • 本发明提供了一种小线宽超高离子注入阻挡层工艺方法，包括：在硅片上涂布一层离子注入阻挡层；在离子注入阻挡层上然后涂布一层蚀刻阻挡层；在蚀刻阻挡层上涂布一层光刻胶；在光刻机设备上通过曝光工艺，在光刻胶上形成具有预定线宽的光刻胶图案；通过蚀刻工艺，利用光刻胶图案在蚀刻阻挡层中刻出与光刻胶图案相应的蚀刻阻挡层图案，随后去除光刻胶；通过蚀刻工艺，利用蚀刻阻挡层图案在离子注入阻挡层中刻出与蚀刻阻挡层图案相应的离子注入阻挡层图案，随后去除蚀刻阻挡层；利用形成有离子注入阻挡层图案的离子注入阻挡层对硅片执行离子注入。
  • 小线宽超高离子注入阻挡工艺方法
  • [发明专利]一种半导体超浅结的制备方法-CN201210544389.7无效
  • 邹志超;李超波;窦伟 - 中国科学院微电子研究所
  • 2012-12-14 - 2014-06-18 - H01J37/317
  • 本发明披露了半导体超浅结的制备方法，采用的离子注入法为等离子体浸没离子注入法，包含：提供硅基片，在所述硅基片的表面制备阻挡层，所述阻挡层用来阻挡进行离子注入时注入的离子；对所述硅基片从阻挡层面进行离子注入；在完成所述离子注入后，去除所述阻挡层。本发明提供的半导体超浅结的制备方法，与不利用阻挡层掩盖，直接进行等离子体浸没离子注入相比，在相同的注入深度，利用阻挡层进行阻挡一部分注入离子的注入方式可以提高离子注入的能量。
  • 一种半导体超浅结制备方法
  • [发明专利]半导体结构及其制造方法-CN202011042965.9在审
  • 王楚玉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-09-28 - 2022-04-05 - H01L21/28
  • 本发明提供一种半导体结构及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体结构的制造方法包括：提供基底；在所述基底上形成栅极沟槽；在所述栅极沟槽内形成阻挡层，所述阻挡层至少覆盖所述栅极沟槽的内壁；采用等离子体离子注入技术去除所述阻挡层内残留的氯离子，并使所述阻挡层形成第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层和所述第二阻挡层的氮离子浓度不同；在所述栅极沟槽内形成栅极结构。本发明通过等离子体注入技术去除阻挡层内的残留的氯离子，防止残留的氯离子引起栅极结构的内部形成的缺陷，以降低栅极结构的电阻，进而提高半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其制造方法
  • [发明专利]介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法-CN201010555622.2无效
  • 李杰;兰永斌;唐首锋;鲁娜;吴彦 - 大连理工大学
  • 2010-11-22 - 2011-03-23 - H05H1/46
  • 本发明公开了一种介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法，属于环境电工技术领域。其特征是脉冲电源给介质阻挡放电等离子体放大反应器供电，脉冲电源的脉冲形成电容与介质阻挡放电等离子体放大反应器静态电容比是0.48～10。脉冲电源给介质阻挡放电等离子体放大反应器供电，脉冲电源的脉冲形成电容与介质阻挡放电等离子体放大反应器静态电容匹配比是1～4。本发明是为脉冲电源与介质阻挡放电等离子体放大反应器的匹配技术提供方法，优化电源与反应器的能量利用关系，达到电源的高效利用和介质阻挡放电等离子体放大反应器放电特性的优化。本发明为介质阻挡放电等离子体反应器放大应用提供参考。
  • 介质阻挡放电等离子体放大反应器脉冲供电方法
  • [发明专利]一种浅沟槽隔离制作方法-CN201010609570.2有效
  • 赵猛 - 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
  • 2010-12-28 - 2012-07-04 - H01L21/762
  • 本发明提供了一种STI制作方法，该方法先在衬底中刻蚀形成的浅沟槽表面生长LO，然后对LO第一掺杂硼元素和第二掺杂氮元素，在LO中靠近衬底区域形成硼离子浓度高出P阱1到2个数量级的第一阻挡层，在第一阻挡层上方形成第二阻挡层本发明利用第二阻挡层将硼离子封锁在第一阻挡层中以保持第一阻挡层中硼离子的浓度；由于第一阻挡层中硼离子浓度远高于P阱，在后续P阱退火过程中，第一阻挡层能够有效阻挡P阱中的硼离子穿过LO扩散到STI中，保持了P阱中注入的硼离子浓度，避免了硼离子浓度降低引起的阈值电压下降，影响NMOS器件性能。
  • 一种沟槽隔离制作方法
  • [发明专利]等离子体发生单元及其制备方法、等离子体净化装置-CN202310108337.3在审
  • 王悦来 - 山东神光航天科技有限公司
  • 2023-02-10 - 2023-04-25 - H05H1/24
  • 本发明提供一种等离子体发生单元及其制备方法、等离子体净化装置，涉及净化设备技术领域。该等离子体发生单元包括第一电极层、第二电极层和具有一端开口的筒形阻挡件；第一电极层设置在阻挡件所围成区域内，并与阻挡件的内壁贴合设置；第一电极层用于与等离子净化装置的电源单元电性连接。第二电极层套设在阻挡件上，且第二电极层上设置第一通孔。本发明将阻挡件制作成筒形结构，第一电极层设置在阻挡件所围成区域内，并与阻挡件固定连接，第二电极层套设在阻挡件上。如此设置，阻挡件、第一电极层和第二电极层可以形成相对封闭的放电空间，以增大等离子体发生单元的放电面积，进而提高等离子体发生单元的放电效率。
  • 等离子体发生单元及其制备方法净化装置
  • [发明专利]一种改善SiC Mos界面特性的方法-CN202310065487.0有效
  • 林政勋;郭轲科 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2023-02-06 - 2023-04-25 - H01L21/3065
  • 该改善SiC Mos界面特性的方法包括碳化硅表面清洗；在碳化硅表面制备阻挡层；利用等离子体对碳化硅表面进行处理，等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补；去除碳化硅表面的阻挡层；对碳化硅表面进行氧化形成SiC/SiO2。在对碳化硅表面的缺陷进行修复处理之前先在碳化硅的表面制备阻挡层，使得等离子体中的带电离子被阻挡层隔离，等离子体中的中性活性自由基穿过阻挡层到达碳化硅的表面进行修补，降低了到达碳化硅表面的带电离子的数量，缓解带电离子对碳化硅表面造成损伤的问题。
  • 一种改善sicmos界面特性方法
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