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[发明专利]碲化镉标准太阳电池标定、保存与使用方法-CN202111575160.5有效
发明人：敖华明;彭寿;潘锦功;傅干华;蒋猛;唐茜 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H02S50/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉标准太阳电池标定、保存与使用方法，所述标定方法为：标定所述暗态稳定下的碲化镉太阳电池的电性能参数，所述电性能参数包括短路电流、开路电压、最大功率；所述存放方法为：将碲化镉太阳电池在≤30℃环境中完全避光存放T天，使碲化镉太阳电池始终处于暗态稳定状态；所述使用方法为：使用所述暗态稳定下的碲化镉标准太阳电池对瞬态太阳模拟器进行修正。利用上述方法标定得到的碲化镉标准太阳电池用于替代带特制滤光片的晶体硅标准太阳电池对瞬态太阳模拟器进行修正，其成本低廉，同时也减低了整个测试环节的成本。
碲化镉标准太阳电池标定保存使用方法

[发明专利]一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法-CN201410827635.9有效
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;骆季奎;李尔平;王朋;章盛娇;徐志娟 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-12-29 - 公布日： 2015-04-29 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池自下而上依次有衬底、导电镀膜层、碲化镉层、石墨烯层及硒化镉层，所述的太阳电池还设有第一电极和第二电极，第一电极设置在导电镀膜层上其制备方法如下：先在衬底上沉积导电镀膜层，再沉积碲化镉层；然后将石墨烯转移至碲化镉层上；在石墨烯层上制备硒化镉层；最后在石墨烯层及导电镀膜层上分别制作电极，获得太阳电池。本发明的硒化镉增强的石墨烯/碲化镉太阳电池利用硒化镉引入的光生掺杂效应来获得具有高转化效率的石墨烯/碲化镉太阳电池，工艺简单，便于推广。
一种硒化镉增强石墨碲化镉太阳电池及其制备方法

[发明专利]一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法-CN201510021250.8在审
发明人：林时胜;李晓强;陈红胜;王朋;章盛娇;徐志娟;吴志乾;钟汇凯 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-01-16 - 公布日： 2015-05-06 - 主分类号： H01L31/074 文献下载
摘要：本发明涉及一种石墨烯/碲化镉太阳电池及其制备方法，该石墨烯/碲化镉太阳电池由衬底材料、石墨烯、碲化镉以及电极构成。光生载流子主要在碲化镉层中产生，石墨烯层与碲化镉层构成的肖特基结收集光生载流子。本发明的太阳电池利用低成本的碲化镉作为光吸收材料，工艺简单，并可以制作成为柔性电池和双面电池，扩大应用领域及提高实际发电量。
一种石墨碲化镉太阳电池及其制备方法

[发明专利]具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池-CN201410260474.X有效
发明人：李卫;王洲玲;张静全;冯良桓;武莉莉;黎兵;曾广根;王文武;胡玉;唐容喆 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-06-13 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：具有碲钼多层复合薄膜的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。这种太阳电池采用一种碲钼多层复合薄膜作为碲化镉太阳电池的无铜过渡层。一方面，由于过渡层具有碲的析出相，因此在碲化镉退火后，无需采用湿法工艺获得富碲层。如果采用干法工艺，也无需单独沉积一碲层。另一方面，过渡层具有碲化钼的主相，作为p型半导体，与碲化镉价带不连续很小，可起到很好的过渡作用，实现碲化镉与金属电极间的欧姆接触。采用上述结构的太阳电池，避免了化学腐蚀，实现了低电阻接触，可有效提高太阳电池的性能和改善器件的长效稳定性。
具有多层复合薄膜碲化镉太阳电池

[发明专利]一种碲化镉太阳电池背接触结构-CN201910119811.6在审
发明人：高超;周浪;黄海宾;曾庆国 -专利权人：南昌大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-05-17 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种碲化镉太阳电池背接触结构，包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)_x（2x层接触的背电极层。本发明在碲化镉与背电极之间插入一层氧硫化钼（Mo(O,S)_x）层，既能抑制背接触处空穴势垒的形成，又能保证光生电流在整个背接触结构中的良好传输，从而提高碲化镉太阳电池的光电转换效率该背接触结构所涉及的制备工艺均为成熟的制备工艺，可与碲化镉太阳电池现有的制备工艺兼容。本发明为高效且低成本的碲化镉太阳电池制备提供了一种技术方案。
碲化镉太阳电池背接触制备工艺碲化镉光电转换效率背电极层光生电流空穴势垒背电极低成本硫化钼制备兼容传输成熟保证

[实用新型]一种碲化镉太阳电池背接触结构-CN201920210735.5有效
发明人：高超;周浪;黄海宾;曾庆国 -专利权人：南昌大学
申请日： 2019-02-18 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种碲化镉太阳电池背接触结构，包含一层与碲化镉接触的Mo(O,S)_x（2x层接触的背电极层。本实用新型在碲化镉与背电极之间插入一层氧硫化钼（Mo(O,S)_x）层，既能抑制背接触处空穴势垒的形成，又能保证光生电流在整个背接触结构中的良好传输，从而提高碲化镉太阳电池的光电转换效率该背接触结构所涉及的制备工艺均为成熟的制备工艺，可与碲化镉太阳电池现有的制备工艺兼容。本实用新型为高效且低成本的碲化镉太阳电池制备提供了一种技术方案。
碲化镉太阳电池背接触制备工艺本实用新型碲化镉光电转换效率背电极层光生电流空穴势垒背电极低成本硫化钼制备兼容传输成熟保证

[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的制造方法-CN201010233400.9有效
发明人：吴洪才 -专利权人：西交利物浦大学
申请日： 2010-07-22 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳电池的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：(1)采用铜薄板或不锈钢薄板作为碲化镉薄膜太阳电池的背电极，用丝网印刷方法在金属板上涂覆p型碲化镉浆料，制作p型碲化镉膜层。(2)在p型碲化镉膜层上制作中间过渡层和n型硫化镉窗口层，形成p-n结。(3)在窗口层硫化镉膜层上蒸镀或印刷梳状前电极。(4)前后电极连线和焊接，完成碲化镉薄膜太阳电池的制造。该方法简便，易于规模生产化，可以推动规模化生产和较大幅度降低碲化镉薄膜太阳电池成本和价格，而且能提高电池光电转换效率。
碲化镉薄膜太阳电池制造方法

[发明专利]一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术-CN201711442471.8有效
发明人：郝霞;王文武;赖华贵;张静全;武莉莉 -专利权人：四川大学
申请日： 2017-12-27 - 公布日： 2020-10-16 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本发明为一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性的激光刻划技术，公开了一种精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，可消除金属电极边缘残余吸收层材料CdTe的存在引起入射光的横向收集导致电流虚高，同时刻消除边缘残余碲化镉对器件串联电阻并联电阻造成的影响，从而提供一种经济可行的精准定义碲化镉薄膜太阳电池面积从而得到更为可信的电池效率曲线之方法。
一种提高碲化镉薄膜太阳电池测试准确性激光刻划技术

[发明专利]一种单基底四端级联钙钛矿-碲化镉叠层太阳电池-CN202110033178.6有效
发明人：赵德威;郝霞;任胜强;武莉莉;张静全 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-01-12 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H10K39/15 文献下载
摘要：本发明属于一种利用半导体材料的光生伏打效应，直接将光能转换为电能的光电器件，属于太阳电池新型结构设计及器件制备之技术领域。由于碲化镉太阳电池及钙钛矿太阳电池吸光体对太阳光谱的吸收范围有限，器件效率均小于26%。可通过在同一个基底的两侧分别制备钙钛矿和碲化镉电池来进一步提高器件效率。本发明全面考虑四端级联叠层太阳电池中的光电损耗，提出了单基底四端级联碲化镉‑钙钛矿叠层太阳电池的结构。本发明旨在于单个基底的两侧按照工艺温度的高低顺序分别制备完整结构的碲化镉和钙钛矿太阳电池，通过这种简便高效的方式得到具有更高光电转换效率的四端级联叠层太阳电池。
一种基底四端级联钙钛矿碲化镉叠层太阳电池

[发明专利]一种卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜及其制备方法与太阳电池-CN202310422301.2在审
发明人：黄启传;覃东欢;徐澳 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： C30B29/48 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜及其制备方法与太阳电池；本发明通过在碲化镉纳米晶薄膜上滴加卤素类铜盐溶液并匀散，之后进行热处理，得到卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜。所述太阳电池由依次层叠的ITO玻璃基底、ZnO层、CdSe层、卤素类铜盐掺杂溶液法制备的碲化镉纳米晶薄膜层、金属电极构成。本发明的方法可改善碲化镉纳米晶太阳电池的背接触，提升载流子的分离和收集效率，从而完成溶液法制备高性能碲化镉纳米晶薄膜太阳电池。
一种卤素类铜盐掺杂溶液法制碲化镉纳米薄膜及其制备方法太阳电池

[发明专利]一种含Te-Ti-Cu预置层的碲化镉太阳电池-CN201410355078.5有效
发明人：李卫;文灿;张静全;冯良桓;武莉莉;黎兵;王文武;曾广根;高静静;王州玲;唐楠 -专利权人：四川大学
申请日： 2014-07-24 - 公布日： 2017-01-11 - 主分类号： H01L31/0256 文献下载
摘要：一种含Te‑Ti‑Cu预置层的碲化镉太阳电池，采用一种周期结构的Te‑Ti‑Cu预置层，置于碲化镉太阳电池的吸收层背表面，作为碲化镉太阳电池的背接触层和背电极材料。从材料构型和材料本身性质上抑制铜扩散，消除铜扩散带来的负面影响，实现欧姆接触，避免化学腐蚀和单独沉积其他金属作电极，减少器件制作工序，提高太阳电池的光电转换效率和改善器件的长效稳定性。
一种 te ti cu 预置碲化镉太阳电池

[实用新型]一种碲化镉薄膜太阳电池-CN201621454119.7有效
发明人：马立云;彭寿;潘锦功;殷新建;蒋猛 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2016-12-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本申请公开一种碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，包括依次设置的氧化钼层、钼层和氮化钼层；所述电池结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能，同时，降低了生产成本。
一种碲化镉薄膜太阳电池

[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法-CN201110443818.7无效
发明人：杨培;辜琼谊;牛学鹏 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化镉（CdTe）薄膜太阳电池、电池组件及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的所述碲化镉层上依次形成有铜薄膜层和氮化钼层，所述铜薄膜层和氮化钼层用于形成位于所述背电极层与所述碲化镉层之间的背接触结构。CdTe薄膜太阳电池的制备方法中包括用于形成背接触结构的铜薄膜层沉积步骤和氮化钼层沉积步骤。本发明提供的CdTe薄膜太阳电池具有接触电阻小、转换效率高的特点，并且可以实现低成本地大面积制备背接触结构。
碲化镉薄膜太阳电池电池组件及其制备方法

[发明专利]一种碲化镉太阳电池采光照明装置及其制作方法、采光方法-CN202011615519.2有效
发明人：李青霄;张心会;季若愚;周前;饶培军;马路恒;张振洋;邓洪浩;李高瑞 -专利权人：河南城建学院
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-06-10 - 主分类号： F21S19/00 文献下载
摘要：一种碲化镉太阳电池采光照明装置，包括碲化镉电池板，碲化镉电池板为向上凸起的抛物面，碲化镉电池板的下部固连在防雨板的上部，防雨板为中空的圆台状，上小下大，防雨板的下部固连在建筑基础件上，碲化镉电池板的正下方设有导光管本发明还公开了一种制作上述碲化镉太阳电池采光照明装置的制作方法、一种使用上述碲化镉太阳电池采光照明装置的采光方法。相对于现有技术，本发明的技术效果为，本发明将碲化镉电池面板设计为抛物面形状，白天在发电的同时可以发生光的折射，不影响白天采光；晚上利用碲化镉电池面板作为反射板，将照明灯发出的光最大程度的利用，方便给建筑物照明
一种碲化镉太阳电池采光照明装置及其制作方法方法

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法-CN201810665289.7有效
发明人：彭寿;马立云;潘锦功;殷新建;蒋猛;钱双 -专利权人：成都中建材光电材料有限公司
申请日： 2018-06-25 - 公布日： 2022-02-01 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明公开一种碲化镉薄膜太阳电池及制备方法，所述碲化镉薄膜太阳电池由下至上依次包括衬底层、透明导电层、窗口层、光吸收层、第一背接触层、第二背电极层，所述窗口层的材料为硫化镉薄膜，所述光吸收层的材料为碲化镉薄膜本申请的技术方案可以克服传统碲化镉电池铜掺杂过程铜元素扩散造成的衰减降低及生产成本高的问题，所述背接触结构能降低与碲化镉的接触势垒，形成欧姆接触，双层背接触结构进一步提高载流子电导率，从而提高碲化镉薄膜太阳电池的性能
一种碲化镉薄膜太阳电池制备方法

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