“碲化镉太阳电池”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果3787898个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种双面三端子碲化镉太阳电池-CN201811159856.8有效
发明人：王文武;冯良桓;李卫;郝霞 -专利权人：四川大学
申请日： 2018-09-30 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： H01L31/073 文献下载
摘要：本发明属于一种利用光生伏打效应，将光能直接转变为电能的半导体器件，也称之为光伏太阳电池或太阳电池，属于新型薄膜太阳电池的结构设计和制备之技术领域。传统的碲化镉太阳电池在目前的结构下，其短路电流密度接近极限电池背面因为金属电极的存在导致光无法穿透被电池利用。要进一步提升电池的短路电流密度，一个可行的新结构是用使用硅或者锗基片作为衬底，在两面同时制备太阳电池，实现双面均可吸收利用太阳光。本发明全面考虑了半导体的电子亲和势及能隙，以及掺杂效应和可能的费米能级位置，提出了双面三端子碲化镉太阳电池的结构。本发明旨在基片两侧同时制备碲化镉太阳电池，可以快速制备出更高短路电流密度的太阳电池。
一种双面端子碲化镉太阳电池

[发明专利]用于太阳电池的三元镉硫碲量子点敏化剂制备方法-CN201310474397.3无效
发明人：邹小平;高彦艳 -专利权人：北京信息科技大学
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01G9/04 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于敏化太阳电池的三元镉硫碲半导体量子点敏化剂及其制备方法，该方法制备了三元镉硫碲半导体量子点，并用其作为敏化剂组装敏化太阳电池。制备的三元镉硫碲半导体量子点结合了CdS的光稳定性和CdTe的带隙与太阳光谱最匹配的优点，使得光吸收发生明显红移，进一步利于光生载流子的产生和传输动力。以三元镉硫碲半导体量子点作为敏化剂组装的敏化太阳电池相对CdS量子点敏化太阳电池，光电转换效率明显增加、光生电子的传输路径优化，短路电流密度增加近200％，开路电压也有所增加，进而提高了太阳电池能能量转换效率
用于太阳电池三元镉硫碲量子点敏化剂制备方法

[发明专利]一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构-CN200810044717.0无效
发明人：雷智;张静全;冯良桓;李卫;黎兵;武莉莉;蔡亚平 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-06-17 - 公布日： 2008-11-05 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构，本项发明所属领域为新型能源。为了降低碲化镉太阳电池的成本，扩大电池的应用范围，柔性碲化镉太阳电池将是未来发展方向之一。柔性碲化镉电池面临的难题之一是如何解决金属背电极与碲化镉薄膜欧姆接触，即寻找一种材料，加入到金属电极与碲化镉薄膜之间，有利于p载流子传输。本发明是采用石墨烯作为碲化镉层与金属电极层的过渡层，充分利用石墨烯载流子传输速度高、力学性能好的特点。将结晶石墨进行化学清洗，用带胶的聚酰亚胺薄膜剥离石墨，使得一层石墨烯粘附于聚酰亚胺表面。在此基础上再溅射沉积碲化镉，惰性气体保护下CdCl₂退火，溅射沉积硫化镉和ITO薄膜。制作出的柔性碲化镉薄膜电池具有重量轻、成本低的优点。
一种柔性碲化镉薄膜太阳电池结构

[发明专利]一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件的方法-CN200910058316.5无效
发明人：张静全;冯良桓;雷智;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵;蔡伟 -专利权人：四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2009-02-12 - 公布日： 2010-08-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：碲化镉薄膜太阳电池组件，属于新能源材料与器件领域。本发明首先在未经激光刻划的透明导电薄膜玻璃上，沉积硫化镉薄膜、碲化镉薄膜，获得“玻璃/透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”结构，对其进行热处理，然后进行激光刻划，刻掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”，然后进行化学腐蚀，然后在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻线位置填注低温固化聚酰亚胺，然后沉积背接触层并进行后处理，然后使用激光刻划掉在“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕附近刻划掉“硫化镉/碲化镉/背接触层”，沉积金属背电极层，然后使用激光刻划掉“透明导电薄膜/硫化镉/碲化镉”刻痕和“硫化镉/碲化镉/背接触层”刻痕附近的“硫化镉/碲化镉/背接触层/金属背电极”，获得串联集成的碲化镉薄膜太阳电池组件。该方法保证了全干法制备碲化镉薄膜太阳电池组件的工艺中，沉积硫化镉、碲化镉薄膜时可获得质量均匀一致的薄膜，保证了后续含氯化镉气氛中热处理均匀性，同时又不影响单元电池的形成及其串联集成的实现，从而提高了组件的转换效率
一种制备碲化镉薄膜太阳电池组件方法

[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构、太阳电池、电池组件及制备方法-CN201310582687.X无效
发明人：蒋猛;张征宇 -专利权人：恒基伟业知识产权管理顾问（北京）有限公司
申请日： 2013-11-20 - 公布日： 2014-04-30 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明属于新能源材料与器件领域，尤其涉及碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构、太阳电池、电池组件及制备方法。发明的技术方案为：一种碲化镉薄膜太阳电池的背接触结构，所述背接触结构位于碲化镉吸收层和背电极层之间，所述背接触结构为氮化钼和氧化钼的混合物层，结构为(1-A)氮化钼-A氧化钼，0<A<1。
碲化镉薄膜太阳电池接触结构电池组件制备方法

[发明专利]一种用于低倍聚光组件的碲化镉太阳电池串联集成工艺-CN201910027475.2在审
发明人：郝霞;王文武;张静全;魏青竹;倪志春 -专利权人：四川大学;苏州腾晖光伏技术有限公司
申请日： 2019-01-11 - 公布日： 2019-05-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于低倍聚光碲化镉薄膜太阳电池组件的方法，属于化合物半导体薄膜太阳电池的结构设计技术领域。通过用脉冲Nd:YAG激光对具有完整器件结构的CdTe薄膜太阳电池进行激光刻划，得到面积可调的单元电池，通过用低温银浆结合金属焊接的方式引出金属背电极，用焊带将各子电池按照符合不同聚光比聚光器所需间隔进行串联集成，从而形成专用于低倍聚光组件的碲化镉薄膜太阳电池组件。
低倍聚光碲化镉薄膜太阳电池组件串联集成激光化合物半导体薄膜碲化镉太阳电池结构设计技术金属背电极单元电池低温银浆金属焊接面积可调器件结构聚光比聚光器子电池脉冲焊带刻划

[发明专利]一种半透明的碲锌镉薄膜太阳电池-CN201510404295.3在审
发明人：武莉莉;冯良桓;李卫;张静全;王文武;徐航;黎兵;曾广根;刘才 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-07-13 - 公布日： 2015-12-16 - 主分类号： H01L31/065 文献下载
摘要：本发明属于新能源材料与器件领域，特别涉及一种用于建筑物外墙的半透明的碲锌镉薄膜太阳电池。本发明以碲锌镉薄膜作为薄膜太阳电池的吸收层材料，碲锌镉是直接带隙半导体，对可见光的吸收系数高且其禁带宽度可随着锌含量的增加从1.5eV变化到2.2eV，因此可以通过调制锌、镉元素的比例制备出具有不同颜色的薄膜材料，再加上前后的透明电极就能形成半透明的薄膜太阳电池结构。这种半透明的薄膜太阳电池既能透过部分太阳光，也能以较高的转换效率发电，从而成为建筑一体化的理想幕墙。
一种半透明碲锌镉薄膜太阳电池

[发明专利]超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池-CN200810044295.7无效
发明人：张静全;雷智;冯良桓;蔡亚平;武莉莉;李卫;黎兵;郑家贵 -专利权人：四川大学
申请日： 2008-04-28 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L31/045 文献下载
摘要：超薄石墨片作衬底的碲化镉太阳电池，属于新能源材料与器件领域。本发明采用柔性超薄石墨片作为衬底材料，在石墨片上溅射一层铜，进行热处理。铜扩散进入石墨形成掺铜石墨片。在掺铜石墨片上沉积一层碲，再沉积碲化镉并进行退火处理。在碲化镉的沉积及退火处理过程中，在石墨片和碲化镉之间形成重掺杂的CuxTe层而实现柔性石墨衬底与碲化镉之间的欧姆接触。然后依次沉积硫化镉、透明导电薄膜和栅状铝电极获得柔性碲化镉薄膜太阳电池。本发明解决了制备高效柔性碲化镉电池所需的较高工艺温度与常规柔性衬底耐受温度低的矛盾。
超薄石墨衬底碲化镉太阳电池

[发明专利]碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法-CN201110228133.0无效
发明人：辜琼谊;牛学鹏;杨培 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司;四川尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2011-08-10 - 公布日： 2013-02-13 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明提供一种碲化镉（CdTe）薄膜太阳电池及其制备方法，属于薄膜太阳电池技术领域。该CdTe薄膜太阳电池的背接触结构中包括与CdTe薄膜太阳电池层相接触的CuxS背接触层（0.88≤x≤2）。该CdTe薄膜太阳电池接触电阻小，转换效率高，并且成本相对较低。
碲化镉薄膜太阳电池及其制备方法

[发明专利]具有石墨烯插入层的柔性碲化镉太阳电池-CN201510710329.1有效
发明人：李卫;唐楠;武莉莉;张静全;冯良桓;黎兵;刘才;曾广根;王文武 -专利权人：四川大学
申请日： 2015-10-28 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种具有石墨烯插入层的柔性碲化镉太阳电池，采用镍箔作衬底，石墨烯作为插入层，置于衬底之后，并在插入层后制作掺杂层与阻挡层，组成柔性碲化镉太阳电池的背接触层，同时，在前接触层采用ZnO基透明导电复合薄膜，这种太阳电池采用无铜结构设计和无铜工艺处理流程，因此，可极大提高柔性太阳电池的光电转换效率和改善器件的长效稳定性，并且器件结构设计和背接触层选择与工艺流程很好兼容。另外，这种柔性太阳电池由于石墨烯插入层的自支撑特性，可把石墨烯与金属衬底剥离作为独立的透明电池，也可移植到底电池上制作高效的叠层电池。
具有石墨插入柔性碲化镉太阳电池

[发明专利]基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池-CN201110123811.7有效
发明人：吴坚;王栩生;章灵军 -专利权人：苏州阿特斯阳光电力科技有限公司;阿特斯（中国）投资有限公司
申请日： 2011-05-13 - 公布日： 2011-09-28 - 主分类号： H01L31/072 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于N型硅片的碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池，包括依次叠层结合的受光面电极、透明导电层、P型碲化镉半导体薄膜、N型晶体硅、N+背表面场和背金属电极，形成PNN+的异质结结构。本发明采用P型碲化镉半导体薄膜与N型晶体硅形成异质PN结，得到的太阳电池具有更高的开路电压和填充因子，其光电转化效率在21%左右。
基于硅片碲化镉半导体薄膜异质结太阳电池

[发明专利]具有过渡层的碲化镉太阳电池-CN95111437.9无效
发明人：冯良桓;蔡亚平 -专利权人：四川联合大学
申请日： 1995-07-20 - 公布日： 2000-08-23 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：具有过渡层的碲化镉太阳电池，属于一种半导体薄膜太阳电池的结构设计。在碲化镉（Ｐ）与背接触层［Ｐ－型掺杂碲化锌（Ｚ）或导电背电极（Ｍ）］之间加入不掺杂或低掺杂或两者迭加的碲化锌过渡层（Ｂ）。该过渡层能改进原相邻两层之间的晶格匹配，阻止背接触层中的掺杂剂原子或金属原子向碲化镉扩散，堵塞碲化镉的漏电通道。从而提高了这种电池的光电转换效率和稳定性。
具有过渡碲化镉太阳电池

[实用新型]一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池-CN201420248544.5有效
发明人：罗云荣;李春龙;伍德亮;陈冬妮 -专利权人：湖南师范大学
申请日： 2014-05-15 - 公布日： 2014-10-15 - 主分类号： H01L31/0445 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种具有石墨烯导电膜与二氧化锡过渡层的碲化镉薄膜太阳电池，其特征在于，所述太阳电池结构从上至下依次为：金属正面电极、本征石墨烯薄膜、透明高电阻本征二氧化锡过渡层、n型硫化镉薄膜、p型碲化镉薄膜本实用新型的优点是透明高电阻本征二氧化锡过渡层在硫化镉薄膜较薄的条件下能有效弥补该层针状微孔形成的微小漏电通道，增加光电流和旁路电阻，有效保护p-n结，使太阳电池对太阳光短波部分的响应有所增加并且本征石墨烯薄膜具有高导电性，高透光率以及良好的光照热稳定性，使得制备的太阳电池性能稳定，光电转换效率高。
一种具有石墨导电氧化过渡碲化镉薄膜太阳电池

[发明专利]一种n型双面碲化镉太阳电池-CN202111387918.2有效
发明人：何帆 -专利权人：乐山职业技术学院
申请日： 2021-11-22 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本发明提供了一种n型双面碲化镉太阳电池，旨在解决现有技术中n型CdTe太阳电池光吸收效果较差，n型CdTe太阳电池综合性能较差的问题。一种n型双面碲化镉太阳电池，从正面到背面依次包括：玻璃衬底、透光前电极、窗口层、n型CdTe吸收层、宽禁带的透明缓冲层和透光背电极；n型CdTe吸收层和过渡金属氧化物薄膜之间形成内建电场；透明缓冲层的功函数低于解决了现有技术中n型CdTe太阳电池吸光效果差的问题，结合n型CdTe吸收层容易与材料形成欧姆接触，解决了现有技术中p型CdTe吸收层的高背面势垒的问题。
一种双面碲化镉太阳电池

[发明专利]一种碲化镉薄膜太阳电池及其背电极-CN201210188138.X无效
发明人：蒋猛;牛学鹏;刘志强 -专利权人：无锡尚德太阳能电力有限公司
申请日： 2012-06-05 - 公布日： 2013-12-18 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：一种碲化镉薄膜太阳电池的背电极，所述背电极包括一金属合金层该金属合金层的材质为由铜、镍、铬、钼、铝、钨、锌和银中的两种或者三种组成的金属合金。这些金属的原材料价格相对便宜，制得的金属合金功函数高，电阻率低，价格低廉，并且适应于应用溅射法，包括直流溅射和磁控溅射形成于碲化镉太阳电池上以形成背电极。
一种碲化镉薄膜太阳电池及其电极