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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]铜蚀刻液用添加剂-CN94193307.5无效
发明人：Ｈ·Ｗ·理查森;Ｃ·Ｆ·佐当 -专利权人：菲布罗技术公司
申请日： 1994-09-08 - 公布日： 2000-10-25 - 主分类号： C23F1/00 文献下载
摘要：用于碱性氯化氨合铜水性蚀刻浴（１２）的铜蚀刻液添加剂（１８）包括数种化合物，其中每一种都表现出可稳定亚铜的价态的作用。本发明发现的化合物包含有碘离子、诸如碘化钾、碘化铵、碘化钠、碘化钙和碘化镁。对采用不同浓度碘化钾、硫氰酸铵和硫代硫酸钠的碱性氯化氨合酮的蚀刻速率做了考察。对比实验的结果表明，以最高达约１２００ｍｇ／Ｌ的浓度向该碱性氯化氨合铜蚀刻剂中加入任一种上述化合物，都会使得蚀刻速率提高２０—１３０％。
蚀刻添加剂

[发明专利]用于使低温多晶硅薄膜面板平面化的多晶硅平面化溶液-CN200710106500.3无效
发明人：金相仁;洪性辰 -专利权人：马林克罗特贝克公司
申请日： 2007-06-01 - 公布日： 2008-02-13 - 主分类号： C23F1/32 文献下载
摘要：高含水、强碱性平面化溶液和其用于减低或本质上消除从总体平面多晶硅膜表面向上伸展的突出或凸起的方法，所述多晶硅膜通过低温多晶硅(LTPS)工艺使沉积在基体上的非晶硅膜退火而制得，所述方法包括使总体平面的多晶硅膜表面与所述高含水、强碱性溶液接触达在总体平面多晶硅膜没有明显蚀刻的条件下足以选择性蚀刻从总体平面的多晶硅膜表面的突出或凸起，所述高含水、强碱性溶液是一种具有12或更高的pH值、且含有水、至少一种强碱、和至少一种蚀刻速率控制剂的溶液
用于低温多晶薄膜面板平面化溶液

[实用新型]一种碱性蚀刻液电解尾气处理装置-CN202021936049.5有效
发明人：谢晋;刘德章;李文杰 -专利权人：广东中奕环保科技有限公司
申请日： 2020-09-08 - 公布日： 2021-04-06 - 主分类号： C25C7/06 文献下载
摘要：一种碱性蚀刻液电解尾气处理装置，对氨气回收处理时，由于第一水循环管的一端与氨气吸收罐连通，氨气吸收罐中的吸收液通过气动泵和第二水循环管输送至管道连接件中，氨气进气管与管道连接件连通，从而吸收液能够在管道连接件中与氨气充分接触，然后吸收有氨气的回收液通过第一混合管和第二混合管输送回氨气吸收罐中，形成循环回路，通过回收液多次循环与氨气充分接触，回收液能够充分吸收氨气，提高氨气的回收利用率，回收液达到一定浓度后，可进行调配碱性再生液并输送至碱性蚀刻机进行蚀刻生产
一种碱性蚀刻电解尾气处理装置

[发明专利]一种氮化铝和钨的选择性蚀刻液-CN202210758778.3在审
发明人：班昌胜;贺兆波;叶瑞;姜飞;张庭;冯帆;冯凯;王书萍;杜程 -专利权人：湖北兴福电子材料有限公司
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-09-06 - 主分类号： C09K13/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种氮化铝和钨的选择性蚀刻液，按质量百分数计，包括碱性物质：8~24%、氧化剂0.2‑2%；钨蚀刻抑制剂0.1~0.2%；表面活性剂0.01~0.08%；余量为去离子水。本发明所述的蚀刻液能够在高效地蚀刻氮化铝同时保证金属钨的低蚀刻速率，最大程度地避免对金属钨的蚀刻。蚀刻过程中，氧化剂可极大程度提升氮化铝的蚀刻速率，减少蚀刻残留，延长蚀刻液寿命。
一种氮化选择性蚀刻

[发明专利]氯化铜蚀刻废液的精制方法和精制氯化铜溶液-CN200610066930.2有效
发明人：松木诗路士 -专利权人：鹤见曹达株式会社
申请日： 2006-03-30 - 公布日： 2006-10-04 - 主分类号： C23F1/18 文献下载
摘要：本发明涉及用简便的操作且低成本地除去作为有效金属的铜以外的杂质金属，对蚀刻铜材料后的氯化铜蚀刻废液进行精制的方法。已知使锌、铁等金属的阴离子性配位体与弱碱性阴离子交换树脂接触而被除去。另一方面，氯化铜蚀刻废液中的作为有效金属的铜作为阴离子性配位体存在，但本发明人发现氯化铜蚀刻废液中铜的阴离子性配位体，即使与强或弱碱性阴离子交换树脂接触也几乎不被吸附。因此，由使氯化铜蚀刻废液接触于这些阴离子交换树脂，铁和锌等的阴离子性配位体被该树脂吸附并将其除去，因为铜依然残留在液体中，所以，可以精制氯化铜蚀刻废液。
氯化铜蚀刻废液精制方法溶液

[发明专利]一种含铜蚀刻废液的处理方法-CN202111444073.6有效
发明人：林璋;颜旭;刘学明;孟凡东坤;梁彦杰 -专利权人：中南大学
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： C01G3/05 文献下载
摘要：本发明提供了一种含铜蚀刻废液的处理方法，包括步骤：制备含碱式氯化铜纳米晶种和合成含碱式氯化铜单晶体；将酸性蚀刻废液与含氨溶液和所述含碱式氯化铜单晶体的浆液进行附聚反应，得碱式氯化铜晶粒和除铜废液；将碱性蚀刻废液与硫酸反应，得硫酸铜混合液；然后对所述碱性蚀刻废液与硫酸反应得到的硫酸铜混合液依次进行蒸发浓缩和冷却结晶，得五水硫酸铜固体物。本发明提供能够完成对含铜蚀刻废液低成本、高效益的处理，在低投入的情况下，不仅能够实现对含铜蚀刻废液中铜的处理回收，还能获得多种高值产品，取得环境和经济的双重效益。
一种蚀刻废液处理方法

[发明专利]一种蚀刻液的综合利用方法-CN202211427514.6在审
发明人：方稳;张玉芳 -专利权人：无锡中天固废处置有限公司
申请日： 2022-11-15 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C02F9/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种蚀刻液的综合利用方法，所述综合利用方法包括：将酸性蚀刻液和碱性蚀刻液进行混合，之后加入助剂，依次经保温处理和固液分离得到碱式氯化铜；所述助剂包括氨基酸和十六烷基三甲基氯化铵。本发明提供的综合利用方法，将酸、碱性蚀刻液协同直接中和处理，再通过助剂辅助促进而将金属离子完全回收以碱式氯化铜形式析出，且合成的碱式氯化铜形貌、颗粒度等性能优良，同时滤液再经后续处理最终将其余组分分类回收获取其他副产，由此可实现酸、碱蚀刻液中各组分的资源化处理与高效回收，且过程中无次废与二次污染出现。
一种蚀刻综合利用方法

[发明专利]利用酸性蚀刻液和碱性蚀刻液制备氧氯化铜的方法及装置-CN201610364240.9有效
发明人：徐全林;柏晓雪;周伯明;吴伟军 -专利权人：上海绿澄环保科技有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： C01G3/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用酸性蚀刻液和碱性蚀刻液制备氧氯化铜的方法及其装置，该方法包括以下步骤(1)在反应釜内加入一定量的水，加热至65‑75℃，在搅拌条件下，同时加入将酸性蚀刻液和碱性蚀刻液；(2)保持反应釜内的温度在本发明实现了蚀刻废液有效成分的全部资源化利用，节约资源，保护环境；同时提高了铜的回收率氧氯化铜的纯度，具有良好的市场前景。
利用酸性蚀刻碱性制备氯化铜方法装置

[发明专利]蚀刻组合物-CN200810148933.X无效
发明人：西嶋佳孝;安江秀国;山边崇史;向喜广;村田英夫 -专利权人：长瀬化成株式会社;日立金属株式会社
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C23F1/34 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻组合物，该组合物在蚀刻含有Cu或Cu合金和Mo或Mo合金的层积金属层时，能够不发生侧蚀而得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状，而这在以往的技术中是难以实现的。作为本发明的组合物的必要成分，含有选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐、过氧化氢和水，所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金，所述
蚀刻组合

[实用新型]一种利用酸性蚀刻液和碱性蚀刻液制备氧氯化铜的装置-CN201620501394.3有效
发明人：徐全林;柏晓雪;周伯明;吴伟军 -专利权人：上海绿澄环保科技有限公司
申请日： 2016-05-27 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： C01G3/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种利用酸性蚀刻液和碱性蚀刻液制备氧氯化铜的装置，包括酸性蚀刻液储存装置(1)、碱性蚀刻液储存装置(2)和反应釜(3)，反应釜(3)由蒸气室(4)进行加热，反应釜(3)底部出口与板框压滤机该装置具有生产流程短、工艺简单、能耗低、操作方便、适应性广的优势；实现了蚀刻废液有效成分的全部资源化利用、无害化目标。
一种利用酸性蚀刻碱性制备氯化铜装置

[实用新型]一种碱性蚀刻废液电解回用设备-CN202021488166.X有效
发明人：叶涛 -专利权人：叶涛
申请日： 2020-07-24 - 公布日： 2021-08-20 - 主分类号： C23F1/46 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种碱性蚀刻废液电解回用设备，包括电解再生槽、电解阳极、电解阴极、电源，所述电解阳极和电解阴极置于电解再生槽内，分别与电源的正极、负极连接，其特征在于，还增设有用于对电解再生槽内的电解液进行固液分离的固液分离装置本实用新型性蚀刻废液电解回用的设备通过设置固液分离装置，对碱性蚀刻废液电解处理后的电解液进行固液分离，有效去除电解液中的沉淀物和固体杂质，使得再生后电解液返回到蚀刻生产线上使用时不影响蚀刻质量。
一种碱性蚀刻废液电解设备

[发明专利]碱性蚀刻再生电解铜的稳定剂和电解液-CN201811609416.8在审
发明人：李再强;黄文涛 -专利权人：深圳市祺鑫天正环保科技有限公司
申请日： 2018-12-26 - 公布日： 2019-03-12 - 主分类号： C25C1/12 文献下载
摘要：本发明公开一种碱性蚀刻再生电解铜的稳定剂和应用该稳定剂的电解液，其中，按质量份，所述碱性蚀刻再生电解铜的稳定剂含有：络合剂，0.002‑0.05份；光亮剂，0.001‑0.02份；整平剂，0.001‑0.03
稳定剂电解铜碱性蚀刻电解液再生表面处理剂光亮剂络合剂整平剂质量份电解应用

[发明专利]衬底处理方法及衬底处理装置-CN201880090846.5在审
发明人：根来世;小林健司 -专利权人：株式会社斯库林集团
申请日： 2018-11-22 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：通过将TMAH、过氧化氢与水混合，从而制备包含TMAH、过氧化氢和水、但不含氟化氢化合物的碱性蚀刻液。将制备的蚀刻液供给至露出了多晶硅膜和氧化硅膜的衬底，在抑制氧化硅膜的蚀刻的同时对多晶硅膜进行蚀刻。
衬底处理方法装置

[发明专利]蚀刻组合物-CN201910574759.3在审
发明人：吴柏衡;李懿;高桥秀树;荻原绘里奈;廖本男;陈韵慈;吕志鹏 -专利权人：关东鑫林科技股份有限公司
申请日： 2019-06-28 - 公布日： 2020-12-15 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明公开了蚀刻组合物。具体地，本发明涉及一种用于选择性蚀刻氮化钛硬光罩的蚀刻组合物，包括碱性化合物、螯合剂、腐蚀抑制剂以及溶剂。本发明的蚀刻组合物具有优异的蚀刻选择性，能快速清除氮化钛(TiN)及干式蚀刻残留物，不会损及low‑k层及金属导体层，且重复使用蚀刻组合物仍保有一定的氧化能力、蚀刻选择性及pH值等特性，适合用于再循环式过程中
蚀刻组合

[发明专利]硅蚀刻液和蚀刻方法-CN200980116681.5有效
发明人：矢口和义;外赤隆二 -专利权人：三菱瓦斯化学株式会社
申请日： 2009-04-24 - 公布日： 2011-04-20 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：本发明提供一种硅蚀刻液和蚀刻方法，在硅的蚀刻加工中，特别是在MEMS部件的制造工序中的硅的各向异性蚀刻加工中，通过抑制含有羟基胺的蚀刻液所特有的加温时的蚀刻速度的降低，使得蚀刻液的寿命延长。一种硅蚀刻液、且使用该蚀刻液的硅的蚀刻方法，其特征在于，所述硅蚀刻液为含有碱金属氢氧化物、羟基胺和无机碳酸化合物的pH值12以上的碱性水溶液，且各向异性地溶解单晶硅。
蚀刻方法

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