专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法-CN201710610215.9有效
  • 向喜广 - 长濑化成株式会社
  • 2017-07-25 - 2019-07-09 - G03F7/42
  • 本发明的课题在于提供一种抗蚀剂剥离液和抗蚀剂的剥离方法,所述抗蚀剂剥离液为用于将抗蚀剂从具备金属配线和/或金属氧化物膜的基材剥离的抗蚀剂剥离液,该抗蚀剂剥离液的剥离性优异,所剥离的抗蚀剂的再附着量少,消泡性也优异。一种抗蚀剂剥离液,其特征在于,其含有(A)胺、(B)有机溶剂和(C)重均分子量为5000~1000000的磺酸或羧酸或者它们的盐,(C)成分的含量为5.0重量%以下,不含有(D)水,或者含有(D)水且(D)成分的含量为60重量%以下。
  • 抗蚀剂剥离方法
  • [发明专利]蚀刻液-CN201710388257.2在审
  • 吉崎了;向喜广 - 长濑化成株式会社
  • 2017-05-27 - 2017-12-08 - C09K13/06
  • 本发明提供一种蚀刻液,该蚀刻液对铟的溶解度大,可抑制草酸与铟的盐的析出,能够长期使用,并且残渣除去性和消泡性也优异,适用于氧化铟系膜的蚀刻。本发明的蚀刻液的特征在于,其含有(A)草酸、(B)聚乙烯吡咯烷酮以及(C)水,被用于氧化铟系膜的蚀刻。
  • 蚀刻
  • [发明专利]蚀刻液-CN201280011860.4无效
  • 向喜广;安江秀国;吉崎了;西岛佳孝 - 长濑化成株式会社
  • 2012-03-05 - 2013-12-18 - C23F1/18
  • 本发明目的在于提供一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,该蚀刻液可以对铜配线横截面赋予良好的顺锥形状,而且侧蚀量少、容易形成精细图案的线路,并几乎不会对透明导电膜产生损伤,蚀刻速率稳定且易于对蚀刻废液进行再利用和回收。本发明是一种蚀刻液及使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法,用于对至少具有1层铜膜和铜合金膜的金属膜的所述铜膜和铜合金膜进行蚀刻,该蚀刻液含有:二价铜离子和三家铁离子的至少1种;至少1种的卤离子;甘氨酸、2-氨基丙酸、3-氨基丙酸、氨基异丁酸、苏氨酸、二甲基甘氨酸、鸟氨酸、赖氨酸、组氨酸和丝氨酸中的至少1种氨基酸;苹果酸、柠檬酸和丙二酸中的至少1种羧酸和/或至少1种无机酸;和水。
  • 蚀刻
  • [发明专利]蚀刻液组合物-CN200780034013.9无效
  • 山边崇史;西嶋佳孝;安江秀国;向喜广 - 长瀬化成株式会社
  • 2007-09-12 - 2009-08-26 - H01L21/308
  • 本发明涉及一种蚀刻液组合物,该蚀刻液组合物含有草酸,萘磺酸缩合物或其盐,盐酸、硫酸和水溶性胺之中的至少一种物质,以及水,并且其是氧化铟锡透明导电膜用的蚀刻液组合物。该蚀刻液组合物不仅对形成在不具有底层膜的基板上的透明导电膜,而且还对在基板上的底层膜上形成的透明导电膜,均具有优异的蚀刻残渣除去能力,并能够抑制起泡,此外还无固体物质的析出,因而该蚀刻液组合物的寿命比现有产品更长。
  • 蚀刻组合
  • [发明专利]蚀刻组合物-CN200810148933.X无效
  • 西嶋佳孝;安江秀国;山边崇史;向喜广;村田英夫 - 长瀬化成株式会社;日立金属株式会社
  • 2008-09-17 - 2009-03-25 - C23F1/34
  • 本发明提供一种蚀刻组合物,该组合物在蚀刻含有Cu或Cu合金和Mo或Mo合金的层积金属层时,能够不发生侧蚀而得到具有令人满意的锥角的蚀刻截面形状,而这在以往的技术中是难以实现的。作为本发明的组合物的必要成分,含有选自由水溶液为碱性的磷酸盐和水溶液为碱性的羧酸盐组成的组中的至少一种盐、过氧化氢和水,所述蚀刻组合物用于同时蚀刻2层以上层积金属层的Cu或Cu合金以及Mo或Mo合金,所述2层以上层积金属层是由1层或2层以上Cu或Cu合金以及1层或2层以上Mo或Mo合金形成的。
  • 蚀刻组合

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