“硅钨系多”专利关键词查询_检索下载_查询列表_检索列表_行业专利分布_钻瓜专利网_专利查询网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果1598470个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体装置的制造方法和半导体装置-CN01111347.2无效
发明人：横井直树 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2001-03-12 - 公布日： 2002-01-16 - 主分类号： H01L21/302 文献下载
摘要：在钨和硅同时露出的半导体衬底清洗工序中,同时获得高的清洗性能和高的硅腐蚀防止效果。并且与此同时,获得高的钨腐蚀防止效果。在作为钨系构件的钨膜31和作为硅系构件的多晶硅膜11同时露出来的半导体衬底1的清洗工序中,使用含有氢氧化物、硅腐蚀防止剂、有机化合物和作为钨腐蚀防止剂的水溶性有机溶剂的清洗液。
半导体装置制造方法

[发明专利]一种大尺寸细晶钨硅合金靶材制备方法-CN202310303875.8在审
发明人：户赫龙;李利利;许兴;丁照崇;陈明;贾倩;李勇军;熊晓东 -专利权人：有研亿金新材料（山东）有限公司;有研亿金新材料有限公司;有研新材料股份有限公司
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种大尺寸细晶钨硅靶材的制备方法，包括如下步骤：1、将高纯钨粉和硅粉进行混合，得到混合粉体；2.将混合粉体置于热压炉中多工艺段热压烧结，得到钨硅预制靶坯；3.采用热等静压设备将钨硅预制靶坯热等静压处理，得到大尺寸细晶钨硅靶材。该制备方法采用多工艺段热压和热等静压联合工艺，制备得到直径≥460mm、致密度≥99％、无缺陷、晶粒细小且均匀的大尺寸细晶钨硅靶坯。
一种尺寸细晶钨硅合金制备方法

[发明专利]新型的钨系喷镀覆膜和用于获得其的喷镀用材料-CN202180019377.X在审
发明人：浜岛和雄;森笹真司;穴井真亮 -专利权人：东华隆株式会社
申请日： 2021-03-04 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： C23C4/06 文献下载
摘要：提供一种新型的钨系喷镀覆膜和用于获得该喷镀覆膜的喷镀材料，所述钨系喷镀覆膜适合作为使用卤素气体的等离子体蚀刻装置用构件等。一种喷镀覆膜和具有该喷镀覆膜的等离子体蚀刻装置用构件，所述喷镀覆膜的特征在于，其含有钨作为基质相，且含有包含硅和硼的氧化物作为分散相。一种喷镀用材料，其特征在于，其包含1～7重量％的硅、0.5～3重量％的硼，且包含钨和不可避免的杂质作为余量。一种喷镀该喷镀用材料来制造喷镀覆膜的方法。
新型钨系喷镀覆用于获得用材

[发明专利]一种硅钨酸盐构筑的多酸基锰金属有机杂化材料制备及光催化应用-CN202011385819.6在审
发明人：庞海军;肖博鑫;李柏男;马慧媛;张春晶;王新铭 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： C07F13/00 文献下载
摘要：一种硅钨酸盐构筑的多酸基锰金属有机杂化材料制备及光催化应用，本发明涉及一种以硅钨酸构筑的多酸基锰金属有机杂化材料。本专利设计与研制了一种硅钨酸盐构筑的多酸基锰金属有机杂化材料的化学式为(H2SiW12O40硅钨酸、氯化锰、有机配体5‑(2‑吡嗪基)‑1,2,4‑三唑溶解到去离子水中，调节pH为2.0，在温度为160℃下反应3天。本发明可获得一种硅钨酸盐构筑的多酸基锰金属有机杂化材料。
一种硅钨酸盐构筑多酸基锰金属有机材料制备光催化应用

[发明专利]一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法-CN202110662034.7有效
发明人：杨尚洁;杨永峰;张万垚;李林;折宇;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H01L49/02 文献下载
摘要：本发明属于薄膜电阻制备技术领域，公开了一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法，包括以下步骤：在衬底上使用化学气相沉积法沉积二氧化硅绝缘层；使用物理气相沉积法在二氧化硅绝缘层上先沉积铬硅电阻层，再沉积钛钨层；使用化学气相沉积法在钛钨层上沉积二氧化硅层，作为硬掩膜；在硬掩膜上完成电阻图形的制备；对二氧化硅层进行刻蚀，形成硬掩膜窗口；使用强氧化溶剂对硬掩膜窗口的钛钨层进行去除；对铬硅电阻层进行干法预刻蚀；使用湿法化学腐蚀法对铬硅电阻层进行腐蚀，得到铬硅系薄膜电阻
一种铬硅系薄膜电阻及其制备方法

[发明专利]制造半导体器件的方法-CN96106922.8无效
发明人：林载圻;金钟哲 -专利权人：现代电子产业株式会社
申请日： 1996-07-01 - 公布日： 2000-03-08 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在该方法中，在形成于半导体衬底栅氧化膜上的多硅晶膜上形成有非晶构造的下硅化钨膜。在下硅化钨膜上，形成具有多个小晶粒的上硅化钨膜，在各小晶粒之间限定有间隙。
制造半导体器件方法

[发明专利]一种从粗钨酸钠溶液中高效脱除磷砷硅杂质、提取钨和回收碱的方法-CN201910845872.0有效
发明人：陈星宇;赵中伟;刘旭恒 -专利权人：中南大学
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2020-10-13 - 主分类号： C01G41/00 文献下载
摘要：本发明公开的一种从粗钨酸钠溶液中高效脱除磷砷硅杂质、提取钨和回收碱的方法包括以下步骤：将钨酸钙与粗钨酸钠溶液混合进行反应，过滤得钨酸钠溶液；将二氧化碳通入至钨酸钠溶液中直至溶液pH至3.0～6.5，得到同多钨酸钠溶液；用弱碱性阴离子交换树脂吸附或者用弱碱性萃取剂萃取所述同多钨酸钠溶液中的钨，萃余液或者交后液即为碳酸氢钠溶液；将所得碳酸氢钠溶液加热，分别得到碳酸钠溶液和二氧化碳，碳酸钠溶液返回用于分解钨矿制备粗钨酸钠溶液，二氧化碳气体返回用于分解钨酸钠溶液。本发明提出的方法，可以有效脱除粗钨酸钠溶液中的磷砷硅杂质，实现钨的提取以及碱的回收循环利用。
一种粗钨酸钠溶液高效脱除磷砷硅杂质提取回收方法

[发明专利]钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积之方法-CN02808720.8无效
发明人： S·弗里格;W·科格尔;J·－U·萨奇塞;M·斯塔德特米勒;R·哈伊恩;G·罗特斯;E·肖尔;O·斯托贝克 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司;马特森热力产品有限责任公司
申请日： 2002-04-10 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：在包含一多晶硅层以及一钨层之闸极结构之选择性氧化期间，其本身已知，氧化钨之蒸气沉积系借着一特殊处理被预防或至少大大地减少。
钨硅闸极选择性侧壁氧化期间最小化氧化钨蒸气沉积方法

[发明专利]一种同时测定硅钙系铁合金中碳和硫含量的测试方法-CN202111240200.0有效
发明人：钟华 -专利权人：攀钢集团攀枝花钢铁研究院有限公司;四川攀研检测技术有限公司
申请日： 2021-10-25 - 公布日： 2023-03-17 - 主分类号： G01N21/3563 文献下载
摘要：发明提供了一种同时测定硅钙系铁合金中碳和硫含量的测试方法。本发明提供的测试方法包括：S1、铺设容器内的物料：先将硅钙系铁合金样品置于容器内，再覆盖三氧化二铁粉，然后再加入锡粒和钨粒；S2、高频红外吸收法分析：将步骤S1所得铺设好物料的容器置于高频感应炉分析仪中，利用高频感应炉燃烧红外线吸收法测试硅钙系铁合金样品中的碳和硫含量。本发明提供的测试方法，能够提高测试结果的精密度和准确性，并且加快燃烧释放速度、提高分析效率，而且还能够实现硅钙系铁合金中碳和硫含量的同时测定。
一种同时测定硅钙系铁合金含量测试方法

[发明专利]钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或它们的氮化物的蚀刻液-CN200980135062.0无效
发明人：佐藤浩之介;齐藤康夫 -专利权人：昭和电工株式会社
申请日： 2009-08-25 - 公布日： 2011-08-10 - 主分类号： C23F1/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的蚀刻液，该蚀刻液含有过氧化氢、有机酸盐和水。通过使用该蚀刻液，可进行抑制了起泡的钛系金属、钨系金属、钛钨系金属或者它们的氮化物的均匀的蚀刻，可得到钛系金属、钨系金属、钛钨系金属的相对于其他金属和基板材料的选择蚀刻性优异的蚀刻液。
金属钛钨系它们氮化物蚀刻

[发明专利]一种硅钨酸纳米棒的制备方法-CN201811526340.2有效
发明人：文韬;郑昭;袁俊;殷盼超 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-12-13 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： C01B33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种硅钨酸纳米棒的制备方法，属于纳米材料技术领域。本发明采用简单的热处理方法，利用嵌段共聚物诱导硅钨酸形成纳米棒。本发明所提出的方法显著有别于传统溶液法或水热法，其特色在于可以从高分子本体中制备硅钨酸纳米棒。通过本方法得到的多酸纳米棒直径均一、长径比高（80:1）、尺寸可控。
一种硅钨酸纳米制备方法

[发明专利]存储器胞元,存储器胞元排列及制造方法-CN02812513.4有效
发明人： H·帕尔姆;J·威尔勒 -专利权人：因芬尼昂技术股份公司
申请日： 2002-06-12 - 公布日： 2004-09-01 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：用于降低埋藏位线电阻值之一导电层(8)或层顺序，特别是一金属硅化物或是具有一含金属层(15)施加于上之一多晶硅层(14)，其系配置于具有一ONO内存层顺序(5、6、7)以及沟道中所配置之栅极电极(2)之内存晶体管之源极/漏极区域(3、4)之上，其中层或层顺序系已被图案化成条状，以对应于该位线。该金属硅化物系较佳地为硅化钴，该含金属层系较佳地为硅化钨或WN/W。
存储器排列制造方法

[发明专利]一种新型高碳高钨高速钢轧辊及其制备方法-CN200610157822.6无效
发明人：李丘林;刘伟;宋亮 -专利权人：清华大学深圳研究生院
申请日： 2006-12-21 - 公布日： 2007-07-18 - 主分类号： C22C38/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型高碳高钨高速钢轧辊及其制备方法，属于高速钢轧辊的制备技术领域。本发明中高碳高钨高速钢轧辊含有：碳2.0％～3.0％，钨6.0％～18.0％，钒2.0％～4.0％，钼1.0％～3.0％，铬3.0％～9.0％，硅小于1.2％，锰小于1.2％；制成的该高碳高钨高速钢轧辊含有钒、钨系的MC型复合碳化物。本发明中高碳高钨高速钢轧辊的制备方法是，将高碳高钨高速钢加热到1580℃～1620℃后脱氧；在1400℃～1500℃浇铸，同时对离心铸型施加0.05T～0.25T的稳恒磁场，并以600－1800转/分钟转速旋转至成型
一种新型高碳高钨高速钢轧辊及其制备方法

[发明专利]一种硒钨多酸及其制备方法与在超滤分离锕系离子中的应用-CN202211212997.8有效
发明人：王殳凹;张海龙;王亚星;李奡;李凯 -专利权人：苏州大学
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C07C211/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种硒钨多酸及其制备方法与在超滤分离锕系离子中的应用，所述硒钨多酸{Se6W45}为[(CH39O144]·74H2O溶解于水中，依次加入有机胺和无机酸进行处理，得到所述硒钨多酸该硒钨多酸{Se6W45}配备了一个带有平面供体位点的空穴，该位点与六价锕系离子的五角锥配位几何形状精确配位。本发明制备的硒钨多酸{Se6W45}可选择性配位六价锕系离子形成纳米级簇，实现锕系离子的高效络合、分离，对锕系离子的截留系数高达
一种硒钨多酸及其制备方法超滤分离离子中的应用

[发明专利]金属钨表面高温抗氧化层及其制备方法-CN201510664159.8有效
发明人：张厚安;麻季冬;古思勇;付明;廉翼琼 -专利权人：厦门理工学院
申请日： 2015-10-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： C23C10/36 文献下载
摘要：本发明公开一种金属钨表面高温抗氧化层的制备方法，包括：将金属钨基材抛光至表面光滑平整，并对抛光表面进行去油脱脂处理；将处理后的金属钨基材埋入钼化渗剂，然后在惰性氛围中热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨表面具有钨钼固溶体层的半成品；将所述半成品置于氮气气氛中进行热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨表面为氮化钼和氮化钨涂层的预制体；以及将预制体埋入硅化渗剂中，然后在惰性氛围中热处理，冷却后去除杂质，得到金属钨基材表面为W‑Mo‑N‑Si系高温抗氧化层的成品。本发明还涉及一种通过上述方法获得的金属钨表面高温抗氧化层。
金属表面高温氧化及其制备方法

1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
下一页»
尾页
共 100000 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top