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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有稳定放电机制的静电防护电路-CN202111573371.5在审
发明人： 黄崇祐 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种具有稳定放电机制的静电防护电路。分压电路根据电压输入端产生检测信号，第一反相器输出反相检测信号。电压抬升电路的第一P型及N型晶体管电路通过第一端串联于电压输入端及接地端间，第二P型及N型晶体管电路通过第二端串联于电压输入端及接地端间。第一及第二P型晶体管控制端分别电性耦接于第二端及第一端，第一及第二N型晶体管控制端分别接收反相检测信号及检测信号。第二反相器自第二端接收反相抬升检测信号反相输出为抬升检测信号。静电放电晶体管受抬升检测信号控制，以在导通时对电压输入端放电。
具有稳定放电机制静电防护电路

[发明专利]具有稳定放电机制的静电防护电路-CN202111492528.1在审
发明人： 黄崇祐 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种具有稳定放电机制的静电防护电路。分压电路根据电压输入端产生检测信号，第一反相器输出反相检测信号。第一P型及N型晶体管电路通过第一端串联于电压输入端及接地端间。第二N型晶体管电路耦接第二端及接地端间。第一P型晶体管控制端耦接于第二端，第一及第二N型晶体管控制端分别接收反相检测信号及检测信号。容阻电路的电阻及电容通过控制端串联于电压输入端及接地端间，且控制端耦接于第二端。第二反相器自控制端接收反相抬升检测信号反相输出为抬升检测信号。静电放电晶体管受抬升检测信号控制在导通时对电压输入端放电。
具有稳定放电机制静电防护电路

[发明专利]静电放电保护电路-CN202111321663.X在审
发明人：吴涵歆;黄崇祐 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H02H9/02 文献下载
摘要：一种静电放电(ESD)保护电路，包含多个ESD箝位电路与分流电路。多个ESD箝位电路分别包含多个晶体管。多个晶体管串联耦合在第一电源线和第二电源线之间。分流电路耦合在多个晶体管中的第一晶体管的第一端和控制端，用于在ESD事件期间将第一晶体管的第一端导通至第一晶体管的控制端，以抬升第一晶体管的控制端的电压。在ESD事件期间之外的期间，分流电路绝缘第一晶体管的第一端与控制端。
静电放电保护电路

[发明专利]半导体装置-CN201911065665.X在审
发明人： 黄崇祐;林柏青;曹太和 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-11-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体装置，包含一有源区结构、至少一栅极及至少一隔离结构。有源区结构沿第一方向设置。至少一栅极配置在有源区结构之上并沿第二方向延伸。第二方向不同于第一方向。至少一隔离结构配置在有源区结构之内。在第二方向上，至少一隔离结构的长度小于有源区结构的宽度。
半导体装置

[发明专利]静电放电保护电路以及操作方法-CN201910654465.1在审
发明人： 黄崇祐;曹太和;林柏青 -专利权人：瑞昱半导体股份有限公司
申请日： 2019-07-19 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H02H9/04 文献下载
摘要：一种静电放电保护电路，包括压降电路、检测电路以及箝位电路。所述压降电路用以依据第一电压产生第二电压。所述第二电压小于所述第一电压。所述检测电路耦接所述压降电路。所述检测电路用以依据所述第二电压以及输入电压产生控制信号。所述箝位电路耦接所述压降电路以及所述检测电路。所述箝位电路用以依据所述控制信号的电压位准提供静电放电路径。
静电放电保护电路以及操作方法

[发明专利]电阻式存储装置及其制作方法-CN201310538954.3有效
发明人：曾俊元;黄骏扬;黄崇祐;蔡宗霖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2013-11-04 - 公布日： 2018-12-11 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：一种电阻式存储装置及其制作方法，电阻式存储装置包括：一基板；一下电极，位于基板上方；一下电阻转态层，位于下电极上；一界面层，位于下电阻转态层与下电极间；一上电阻转态层，位于下电阻转态层上；及一上电极，位于上电阻转态层上。通过本发明所提供的电阻式存储装置及其制作方法，可使电阻式存储器具有较少的高电阻及低电阻状态的变动程度，可有效改善电阻式存储器的耐久度。
电阻存储装置及其制作方法

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