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- [发明专利]电路基板以及制造方法-CN202280011700.3在审
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田中怜;山内雄一郎;铃木恒平
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日本发条株式会社
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2022-01-27
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2023-09-29
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H01L23/12
- 本发明得到一种电路基板以及制造方法，其能够进一步提高通过焊料安装在转用超声波接合技术而与电路图案接合的追加的金属层的半导体芯片等电子部件的散热性。该电路基板(1)，其在基板(5)上具有电路图案(3)，且在电路图案(3)之上层叠并接合有追加的金属层(9)，追加的金属层(9)具备：安装面部(13)，其通过焊料固定半导体芯片(11)；以及卡合凹凸部(17)，其与安装面部(13)邻接设置，并使振动传递用工具的工具凹凸部卡合，该振动传递用工具用于通过超声波振动使追加的金属层(9)接合在电路图案(3)之上，安装面部(13)由凹凸比卡合凹凸部(17)小的面构成
- 路基以及制造方法
- [发明专利]具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装-CN201210017507.9无效
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朴相弘;任俊成;洪性元;姜锡勋;崔荣玟;田珉浩
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株式会社乐恩
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2012-01-19
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2012-08-01
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H01L23/367
- 本发明公开了一种具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶(COF)型半导体封装，该COF型半导体封装包括绝缘薄膜110、金属图案120和130、表面绝缘层140、半导体晶片200。金属图案由与半导体晶片电气连接的电路图案120以及与电路图案电气绝缘的绝缘图案130构成。绝缘薄膜110形成有热辐射孔150，以允许绝缘图案130的一部分暴露于绝缘薄膜110的底部表面。电路图案120的一部分在绝缘薄膜110上延伸，以构造成为与其它电路图案120相比具有宽表面积的扩展图案。由于从半导体产生的热通过其底部的绝缘图案130排放到基底100的后部内，所以绝缘图案130起到热辐射垫的作用。此外，电路图案120的上述部分构造为利用绝缘薄膜110上的额外空间占据宽区域的扩展图案125，并且扩展图案125通过热辐射孔150暴露于绝缘薄膜110的底部表面，从而通过晶片200的端子与扩展图案125
- 具有增强热辐射性能薄膜覆晶型半导体封装
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