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[发明专利]一种基于CMOS工艺的复合电极式pH传感器及其制备方法-CN201710372183.3有效
发明人：耿妙妙;张西良;徐坤;赵麟;蒋薇;尹利 -专利权人：江苏大学
申请日： 2017-05-24 - 公布日： 2019-04-30 - 主分类号： G01N27/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于CMOS工艺的复合电极式pH传感器及其制备方法，传感器包括基底、传感检测区、工作电极、参比电极、电极引线和焊盘。工作电极制作在传感检测区上方，参比电极位于传感检测区内部；制备方法包括以下步骤：采用氧化铝陶瓷材料制作基底；制作半导体衬底与阱区；制作参比电极；制作隔离区与电极氧化层；制作金属铝层；制作工作电极；制作电极引线；制作焊盘。本发明采用CMOS技术，并将参比电极制作于器件内部，确保参比电极不受外界环境的干扰与影响，提高了参比电极的稳定性，所述传感器具有稳定性好、灵敏度高、重复性好等特点，易于集成、小型化，适用于土壤栽培基质等非均相体系的
参比电极制作传感检测工作电极制备电极引线复合电极传感器焊盘基底氧化铝陶瓷材料受外界环境电极氧化金属铝层土壤栽培原位测量灵敏度非均相隔离区衬底基质阱区半导体

[发明专利]一种窄线宽电极的电子元件制造方法-CN201310207240.4无效
发明人：郑卫卫;吴震;戴春雷;孙峰;刘先忺 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2013-05-30 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：一种窄线宽电极的电子元件制作方法，电极是线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的光刻电极，电极制作步骤如下：1)制作薄膜基片；2)在薄膜基片表面涂布感光性金属浆料层制作感光基片；3)采用设计有电极图案的掩膜板对感光基片进行光刻制作光刻电极。本发明方法基于光刻技术，掩膜板的电极图案根据所需光刻电极形状设计制作。采用电极图案的线宽为20μm的掩膜板，可以制作线宽为18.5μm～21.5μm的光刻电极；针对20μm线宽电极设计，可以实现±1μm光刻电极的线宽公差，以满足电极线宽小于50μm、线宽极差在±1.5μm以内、线厚极差±1μm以内的小尺寸高精度电子元器件制作要求。
一种窄线宽电极电子元件制造方法

[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置-CN201510609031.1有效
发明人：安晖 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2017-11-07 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，用以提高材料的利用率，提高环境效益，提高半导体器件的精密度。阵列基板的制作方法包括在衬底基板上制作像素电极；在像素电极上通过构图工艺制作栅极线、数据线、与像素电极连接的电极块，栅极线和数据线在相交位置处断开；在晶圆衬底上制作若干薄膜晶体管，每一薄膜晶体管包括同层相互绝缘制作的源电极、漏电极和栅电极制作，以及同层相互绝缘制作的源电极键合电极、漏电极键合电极和栅电极键合电极；将每一薄膜晶体管与晶圆衬底分离，并分别将栅电极键合电极与预设位置处的栅极线键合，将源电极键合电极与预设位置处的数据线键合，将漏电极键合电极与预设位置处的电极块键合。
一种阵列及其制作方法显示面板显示装置

[发明专利]显示面板制作方法及显示面板-CN202011137602.3在审
发明人：郑智琳;唐甲 -专利权人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
申请日： 2020-10-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本申请提供一种显示面板制作方法及显示面板，所述显示面板制作方法提出在制作显示面板的源漏电极时，首先形成覆盖显示区和边缘区的双层导电层，然后通过对双层导电层的两次连续刻蚀操作，形成具有双层导电层的源漏电极和具有单层导电层的边缘电极；所述源漏电极的双层导电层结构提高了其导电性；同时，所述显示面板制作方法将所述边缘电极的制作工艺与所述源漏电极的制作工艺结合，通过同一道沉积、刻蚀工艺同时制作所述边缘电极和所述源漏电极，省去了单独制作边缘电极的操作，简化了显示面板的制作工艺，提高了生产效率。
显示面板制作方法

[发明专利]一种LED芯片的电极制作方法-CN202111324947.4在审
发明人：钟伟华;李刚;林武 -专利权人：福建兆元光电有限公司
申请日： 2021-11-10 - 公布日： 2022-02-15 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明的一种LED芯片的电极制作方法，制作LED芯片的掩膜层，掩膜层厚度比待制作电极厚度高3μm；对掩膜层进行光刻，基于光刻后的掩膜层以预设蒸镀角度蒸镀待制作电极。因此，通过增加掩膜层厚度，在电极厚度不变的情况下蒸镀电极，能够减小电极的包覆角度；并且在现有技术中为了保证后续的撕金去胶以及在电极上制作线框工艺时有较高的分辨率，通常设置掩膜层厚度比待制作电极的厚度高1‑2μm，且不对掩膜层厚度进行调整，相较于现有技术，本发明的掩膜层厚度比待制作电极的厚度高3μm，能够在不需要高分辨率线框工艺的情况下减小电极的包覆角度，从而在提高芯片可靠性的同时，降低电极制作成本并提高电极制作的可控性
一种 led 芯片电极制作方法

[发明专利]一种HBT制造方法-CN201610773723.4有效
发明人：朱庆芳;魏鸿基;王江;窦永铭;许燕丽;李斌 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2016-08-31 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种HBT制造方法，是对半导体基片依次进行发射极台面腐蚀以留出发射极的电极形成区域并露出基极层的电极形成区域并制作基极电极，进行基极台面腐蚀以露出集电极层的电极形成区域并制作集电极电极，于发射极的电极形成区域之外沉积介质层，腐蚀介质层以对基极电极、集电极电极相应的区域开孔，同时制作集电极电极引出线、基极电极引出线以及发射极电极以及进行电极互联布线。相对于现有技术，本方法将发射极电极、基极电极引出线以及集电极电极引出线于同一工序中同时制作，省却了单独的发射极电极制作这一工序，从而降低了制造成本。
一种 hbt 制造方法

[发明专利]一种触摸屏传感器的电极图案和阵列单元的制作方法-CN201510018947.X有效
发明人：陈铿锵;林汉良;周伟杰;李仕烈;李志成;李建华 -专利权人：信利光电股份有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2017-09-08 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本申请公开了一种触摸屏传感器的阵列单元的制作方法，包括计算所述阵列单元的横向宽度和纵向宽度；制作第一电极和第二电极，且使所述第一电极和所述第二电极的纵向边长均大于触控单元的纵向边长；制作第三电极、第四电极和第五电极，使一个所述第一电极或所述第二电极与一个所述第三电极、所述第四电极或所述第五电极形成的触控单元的平均数量多于一个；制作电极线。本申请还公开了一种触摸屏传感器的电极图案的制作方法。利用本申请提供的方法制作阵列单元和电极图案，能够减少电极数量，从而减少电极线和绑定脚数量，缩小FPC外形，降低生产成本，提高生产良率。
一种触摸屏传感器电极图案阵列单元制作方法

[发明专利]双自由度MEMS压电梁结构-CN201610160263.8在审
发明人：司朝伟;韩国威;赵永梅;宁瑾;杨富华 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2016-03-21 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： G01P15/09 文献下载
摘要：本发明提供一种双自由度MEMS压电梁结构，包括：一衬底电极，该衬底电极为矩形；一锚点，其制作在衬底电极背面纵向的一侧；一第一压电层，其制作在衬底电极上；一夹层电极，其制作在第一压电层上；一第二压电层，其制作在夹层电极上；一第一上电极，其制作在第二压电层上横向的一侧，其宽度小于第二压电层的二分之一；一第二上电极，其制作在第二压电层上横向的另一侧；一第三上电极，其制作在第二压电层上横向的中间；该第一上电极、第二上电极和第三上电极不接触
自由度 mems 压电结构

[发明专利]一种GaN基LED电极结构及其制作方法-CN201710644313.4有效
发明人：徐晓强;刘琦;闫宝华;彭璐;肖成峰 -专利权人：山东浪潮华光光电子股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2020-02-11 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：一种GaN基LED电极结构及其制作方法，是在ITO电流扩展层上设置有P电极，n型GaN层的台面上设置有N电极；P电极和N电极的结构是自下至上依次包括第一Cr层、第一Al层、Ti层、Au层、第二Cr层和第二Al层；其制作方法包括以下步骤：（1）制作ITO薄膜层，刻蚀n型GaN层台面；（2）制作光刻电极图形，以形成包覆式电极结构；（3）制作电极结构。本发明通过对适宜光刻胶图形倒角的控制，来实现包覆式电极结构，通过合理的电极结构设计在保证电极良好粘附性的同时，使管芯发光效率得到大幅度提升，并且整个电极结构设计简单，全部使用常规蒸镀材料，整个制作过程时间较短，耗用成本较低，适用于所有GaN基LED管芯的规模化制作。
电极结构制作包覆式管芯光刻电极图形光刻胶图形发光效率蒸镀材料制作过程规模化粘附性电极台面倒角刻蚀保证

[发明专利]一种叠层元器件及其制作方法-CN201711420206.X有效
发明人：李志龙;伍隽;庞新锋;苏柯铭;莫辉海;李威 -专利权人：深圳顺络电子股份有限公司
申请日： 2017-12-25 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01P11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种叠层元器件及其制作方法，制作方法包括制作内电极的步骤，其特征在于：所述制作内电极的步骤包括：1)电极图案制作：于第一生瓷片上切割出内电极图案通孔；2)叠层：取未经切割的第二生瓷片，与所述第一生瓷片在预定压力下进行叠层，得到带有内电极图案凹槽的叠层体；3)内电极印刷：采用导电浆料，对所述叠层体上的内电极图案凹槽进行对位印刷，以印刷出内电极；其中，导电浆料至少填满所述内电极图案凹槽。叠层元器件具有经上述步骤而制作的内电极，厚度为20～100μm。
一种元器件及其制作方法

[发明专利]一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法-CN201110191057.0有效
发明人：郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法，该制作方法包括：提供完成通用电极或像素电极制作的阵列基板；在阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层该制作方法制作出的电极绝缘层中导电微粒的数量较少，体积较小，能降低生成的导电微粒导通通用电极和像素电极的概率，从而提高广视角显示器的显示效果。
一种视角液晶显示器电极绝缘制作方法

[发明专利]生物免疫电化学阻抗集成芯片传感器的制作方法-CN201610858319.7有效
发明人：王天奕;王金祥;王赪胤;刘克凡;张明;薛怀国 -专利权人：扬州大学
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2016-12-07 - 主分类号： G01N27/327 文献下载
摘要：生物免疫电化学阻抗集成芯片传感器的制作方法，涉及生物电化学免疫传感器技术领域，电极的基片使用的是氧化铟锡导电玻璃，在导电玻璃上通过激光刻蚀，分别制作出工作电极、对电极和参比电极。即工作电极、对电极和参比电极都是导电玻璃制作的。该导电玻璃电极制作简单，成本低廉。该电极制作的生物免疫电化学阻抗集成芯片传感器稳定性好。本发明可应用于人免疫球蛋白IgG抗原的检测。
生物免疫电化学阻抗集成芯片传感器制作方法

[发明专利]带有汇流电极的场发射阴极-CN200310112620.6无效
发明人：张晓兵;雷威 -专利权人：东南大学
申请日： 2003-12-12 - 公布日： 2004-11-17 - 主分类号： H01J1/304 文献下载
摘要：带有汇流电极的场发射阴极是对采用丝网印刷方式制作的碳纳米管场发射阴极，为减小电极的阻抗、提高阴极电位的均匀性而采用的结构。它包括制作在玻璃基板1上的透明导电电极2、制作在透明导电电极2上的汇流电极5和阴极4；汇流电极5比透明导电电极2窄。阴极4和汇流电极5可并排制作在透明导电电极2上，汇流电极5也可设在阴极4的侧面或设在阴极4的中间。阴极4还可制作在透明导电电极2上并覆盖在汇流电极5上。应用这种技术可以降低电极阻抗，避免烧结过程中透明导电膜断裂造成的电极断路和金属对阴极氧化的催化作用，提高器件可靠性，获得有效的阴极。该方法同样适合其他材料制作的阴极。
带有汇流电极发射阴极

[发明专利]一种微细电极在线制作方法-CN201410115795.0无效
发明人：谢军;张昭瑞;张海军;黄燕华;李朝阳;魏胜;朱磊;刘峰;李国;宋成伟;王红莲;童维超;梅鲁生;袁光辉 -专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
申请日： 2014-03-26 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B23H1/04 文献下载
摘要：本发明提供了一种微细电极在线制作方法，所述的方法通过线电极在线制作技术在线制作直径约10μm的微细电极，在线电火花铣削制作圆柱形反拷块，再通过反拷技术进一步对电极进行加工。采用在线制作反拷电极，避免二次装夹误差；反拷电极采用圆柱形，避免了方形反拷块本身的平面度误差对微细电极直径和形状的影响。本发明的方法在线电极磨削技术加工电极基础上进一步对电极进行加工，可获得直径小于10μm的微细电极。
一种微细电极在线制作方法

[发明专利]一种高光效LED芯片及其制备方法-CN201810712054.9在审
发明人：杨晓隆;刘撰;王怀兵;王辉 -专利权人：苏州新纳晶光电有限公司
申请日： 2018-06-29 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种高光效LED芯片，包括衬底层及外延层；外延层上制作有第一电极、第二电极及间断式台阶；间断式台阶表面制作有与第一电极连接的复合电极；外延片的边缘部位制作有一圈与第一电极材质相同并同步制作且相连接的侧壁扩展层还提供了一种上述高光效LED芯片的制备方法，包括如下步骤：S1.提供一衬底层，并在衬底层上进行CBL电流阻挡层制作；S2.进行间断式台阶及透明导电层制作；S3.进行PAV钝化层制作；S4.进行第一电极、复合电极和侧壁扩展层制作；S5.最后完成第二电极制作。
制作第一电极衬底层高光效间断式第二电极复合电极扩展层外延层侧壁制备芯片电流阻挡层光取出效率透明导电层边缘部位发光效率台阶表面芯片电压钝化层外延片

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