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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]差分阳极化喷头-CN202080105262.8在审
发明人： 郝付泼;陈伟绩;孙月峰;杨正伟;孙士尧;朴钲義;吴桑贞;曹益荣;尚泽伦;余跃;田益西 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2020-09-16 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文公开的多个实施方式一般涉及一种具有部分地阳极化的气体分配喷头的设备，所述部分地阳极化的气体分配喷头包括主体，所述主体具有从上游侧延伸到下游侧的多个气体通路，所述上游侧和所述下游侧中的每一者具有不同的孔隙率，其中所述多个气体通路中的每一者包括形成在所述主体的中心的孔口孔，并且其中所述下游侧和所述多个气体通路中的每一者的一部分包括设置在所述下游侧和所述多个气体通路中的每一者的一部分上的阳极化层。
阳极喷头

[发明专利]接地带设计-CN201980093753.2有效
发明人：尚泽仁;杨正伟;黄俊鹏;赵扬;苏小明;孙士尧;崔羿;苏希尔·安瓦尔;于冬杉;郝付泼;余跃 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-03-07 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：提供了用于等离子体处理基板的方法和设备。基板处理腔室包括耦接至基板支撑件(118)和腔室底部(108)的第一接地带(130A、130B)和第二接地带(131A、131B)。所述第一接地带(130A、130B)的顶端(152)耦接至支撑连接件，并且与所述第一接地带(130A、130B)的耦接至第一腔室连接件的底端(154)水平地对准。所述第二接地带(131A、131B)的顶端(152)耦接至所述支撑连接件，而底端(154)耦接至从所述支撑连接件水平地偏移的第二腔室连接件，从而与所述第一接地带(130A、130B)形成交叉双重格状图案。
接地设计

[发明专利]TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法-CN201210255899.2有效
发明人：任思雨;胡君文;郝付泼;阮文中;洪胜宝;于春崎;谢凡;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2012-07-23 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例提供一种TFT液晶显示器ARRAY板的制备方法，所述方法包括：在玻璃基板上依次形成栅极、栅极绝缘层、像素电极、源漏电极以及保护绝缘层；其中，形成所述保护绝缘层包括：形成第一薄层氮化硅；在所述第一薄层氮化硅之上形成第二层氮化硅；其中，所述第一薄层氮化硅的厚度小于所述第二层氮化硅的厚度。本发明实施例提供的ARRAY板的制备方法能够在不更改掩膜版设计图案的情况下提高ARRAY板的透过率。
tft 液晶显示器 array 制备方法

[发明专利]广视角液晶显示器阵列基板制作方法-CN201110264229.2有效
发明人： 郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2011-09-07 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供了一种广视角液晶显示器阵列基板制作方法，所述方法包括：提供一基板，在所述基板上依次形成透明导电薄膜和栅极金属层；在所述基板上涂布光敏材料，使用半色调掩膜版进行曝光并显影，形成不同厚度的光敏材料图形；在所述形成不同厚度的光敏材料图形的基板上，进行刻蚀形成第一透明电极；对所述形成透明电极的基板进行脱膜，去除光敏材料，形成栅极；依次在所述形成第一透明电极和栅极的基板上制作有源层、源漏极、保护层和第二透明电极。
视角液晶显示器阵列制作方法

[发明专利]一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法-CN201110191057.0有效
发明人： 郝付泼;谢凡;胡君文;于春崎;李建华;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2011-07-08 - 公布日： 2011-11-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种广视角液晶显示器的电极绝缘层的制作方法，该制作方法包括：提供完成通用电极或像素电极制作的阵列基板；在阵列基板上制作具有绝缘性质的第一绝缘膜；在该第一绝缘膜上制作具有绝缘性质的绝缘膜以生成预设厚度的电极绝缘层。该制作方法制作出的电极绝缘层中导电微粒的数量较少，体积较小，能降低生成的导电微粒导通通用电极和像素电极的概率，从而提高广视角显示器的显示效果。
一种视角液晶显示器电极绝缘制作方法

[发明专利]薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管-CN201110074292.X无效
发明人： 郝付泼;谢凡;胡君文;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2011-03-25 - 公布日： 2011-09-07 - 主分类号： H01L21/265 文献下载
摘要：本发明实施例公开了一种薄膜晶体管形成方法以及薄膜晶体管。所述薄膜晶体管形成方法，在沟道区刻蚀成型后，包括：利用辉光放电装置对含磷气体进行解离，得到等离子体；采用所述等离子体对刻蚀形成的沟道区表面进行等离子体处理。本发明还提供了如下的一种薄膜晶体管：所述薄膜晶体管沟道区的非晶硅中掺杂有磷原子；所述沟道区上方覆盖有沟道保护层。本发明实施例所提供的技术方案，在薄膜晶体管沟道区的非晶硅掺杂注入了磷原子中，所述沟道区中的载流子的数量会明显的提高，因此可以有效的提高薄膜晶体管的开态电流(提高约30％)，进而能够明显的改善TFT-LCD产品的显示品质。
薄膜晶体管形成方法以及

[发明专利]降低背沟道刻蚀型TFT漏电率的方法-CN201010509490.X无效
发明人： 郝付泼;谢凡;覃事建;王文伟;何瑞锄;于春崎;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2010-10-15 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开一种降低背沟道刻蚀型TFT漏电流的方法，在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在沟道区保护层上增设一附加保护层，所述附加保护层将TFT沟道区覆盖。本发明由于在经过沟道成型制程、沟道区保护层制程后，在TFT的沟道区保护层上增加一附加保护层，覆盖TFT沟道区域，因此，可以阻挡后续金属类薄膜制作时一些导电粒子注入或扩散进入到TFT沟道上方的沟道区保护层中，避免引起“浮栅”效应，从而有效降低TFT漏电流，本发明提供的制作方法，可使TFT-array漏电流降低约一个数量级以上。
降低沟道刻蚀 tft 漏电方法

[发明专利]薄膜场效应三极管阵列及液晶显示器制备方法-CN201010277101.5有效
发明人： 郝付泼;谢凡;于春崎;何基强 -专利权人：信利半导体有限公司
申请日： 2010-09-08 - 公布日： 2011-02-16 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明实施例公开了可降低漏电流的薄膜场效应三极管TFT阵列及液晶显示器制备方法。上述阵列制备方法包括：提供基底，所述基底具有沟道区，所述沟道区上覆盖有保护层；在所述基底上形成导电层图形；对所述沟道区上的保护层去除预设厚度；对去除保护层预设厚度的TFT阵列进行清理。可以看出，本发明实施例将保护层去除预设厚度，从而可去除一部分含有导电粒子的保护层，减少“浮栅”结构，这样TFT在加负向的栅源电压时，其保护层和沟道界面处聚集的导电粒子将减少，进而有效地降低了TFT的漏电流。
薄膜场效应三极管阵列液晶显示器制备方法

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