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[发明专利]遮挡层扩展-CN201110383950.3无效
发明人： G.波伊森;P.科比里奥;P.洛佩兹 -专利权人：汤姆森特许公司
申请日： 2011-11-28 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： H04N13/00 文献下载
摘要：该设备适用于编码具有比分层深度图像的前景层更宽的水平宽度的分层深度图像的至少一个遮挡层，其中遮挡层的水平宽度与在包含在前景层中的主深度图的横向边界区中包括的最大差异值成正比，该横向边界区由主深度图的预定数量的最外面列组成附加水平宽度可以用于传达存在于至少两台摄像机捕获的图像/视频中但未包含在前景层中的信息部分。
遮挡扩展

[外观设计]智能药盒（扩展层）-CN202030194243.X有效
发明人：孙欣然;吕家瑜 -专利权人：上海聚音信息科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-10-23 - 主分类号： 03-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：智能药盒（扩展层）。
智能扩展

[发明专利]运动图像编码方法、运动图像编码装置、及运动图像解码方法以及运动图像解码装置-CN201280044093.7有效
发明人：小宫大作;西孝启;柴原阳司;笹井寿郎;杉尾敏康;谷川京子;松延彻;寺田健吾 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2012-09-20 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H04N19/33 文献下载
摘要：空间分层-多视运动图像编码装置（100）具有：基础层编码部（103），对基础层进行编码；扩展层编码部（104），使用由基础层编码部（103）生成的基础层的重构建图像，对扩展层进行空间分层编码；扩展视的基础层编码部（107），使用由基础层编码部（103）生成的基础层的重构建图像，对扩展视的基础层进行多视编码；以及扩展视的扩展层编码部（108），使用由扩展层编码部（104）生成的扩展层的重构建图像，对扩展视的扩展层进行多视编码
运动图像编码方法装置解码以及

[发明专利]具有电流扩展层的发光二极管及其制作方法-CN201210202007.2有效
发明人：叶孟欣;吴志强 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-17 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有电流扩展层的发光二极管，此发光二极管至少包含：由氮化物半导体分别形成的n侧层和p侧层；在n侧层和p侧层之间具有由氮化物半导体构成的活性层；其中，所述n侧层由非本征掺杂缓冲层及复合式多电流扩展层依次层叠构成；所述复合式多电流扩展层由第一电流扩展层、第二电流扩展层及第三电流扩展依次层叠构成；所述第一电流扩展层及第三电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成，所述第二电流扩展层是在n型氮化物半导体层形成的分布绝缘层；所述第一电流扩展层与所述非本征掺杂缓冲层毗邻，所述第三电流扩展层与所述活性层毗邻。
具有电流扩展发光二极管及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202020100793.5有效
发明人：陈亭玉;晋沙沙;沈媛媛;孙旭;戴志祥;张家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2020-01-14 - 公布日： 2020-08-11 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底、第一导电型半导体层、发光层、第二导电型半导体层和电流扩展层，以及分别位于第一导电型半导体层表面的第一电极和位于电流扩展层表面的第二电极，其特征在于：所述电流扩展层包括依次层叠的第一电流扩展层和第二电流扩展层，所述第一电流扩展层表面由复数个相互独立且不连接的凸起周期性排列而成。本实用新型将传统的单一层的电流扩展层改进为由第一电流扩展层和第二电流扩展层组合的两层设计，并且图案化第一电流扩展层，促进电流扩展层的同时，还可以进一步提高发光二极管的抗静电能力。
一种发光二极管

[发明专利]一种发光二极管芯片及其制作方法-CN201310435895.7有效
发明人：金迎春;徐瑾;王江波 -专利权人：华灿光电股份有限公司
申请日： 2013-09-23 - 公布日： 2017-04-26 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：所述芯片包括衬底、依次层叠在所述衬底上的n型层、多量子阱层、p型层和电流扩展层、以及设于所述n型层上的n型电极和设于所述电流扩展层上的p型电极，从所述电流扩展层之与所述p型电极接触的区域到所述电流扩展层的边缘，所述电流扩展层的厚度逐渐变薄。本发明通过从电流扩展层之与p型电极接触的区域到电流扩展层的边缘，电流扩展层的厚度逐渐变薄，其片电阻逐渐增加，逐渐增加的片电阻会逐渐减弱横向扩展的电流，防止了电流在电流扩展层的边缘聚集，并且该逐渐变薄的电流扩展层均衡了电流在电流扩展层不同区域的分布
一种发光二极管芯片及其制作方法

[实用新型]一种发光二极管-CN202222611815.6有效
发明人：桂亮亮;杨健;蔡家豪;汪琴;汪玉;王珊;林兓兓 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管，至少包括衬底、依次层叠于所述衬底之上的第一导电型半导体层、有源层、第二导电型半导体层和电流扩展层，以及分别位于第一导电型半导体层表面的第一电极和位于电流扩展层表面的第二电极，所述第二电极包括焊盘部和扩展条，所述电流扩展层包括第一电流扩展层和位于所述第一电流扩展层上的第二电流扩展层，其中，第一电流扩展层与第二电极接触，第二电流扩展层与第二电极不接触，且第二电流扩展层设置于靠近扩展条的中部至末端区域
一种发光二极管

[实用新型]一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构-CN201420601236.6有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2015-07-29 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层之间设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层之间设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层为掺杂Te第一型电流扩展层。
一种浓度 te 掺杂发光二极管外延结构

[发明专利]一种发光二极管的外延片及其制备方法-CN201810982114.9有效
发明人：程丁;韦春余;周飚;胡加辉 -专利权人：华灿光电（浙江）有限公司
申请日： 2018-08-27 - 公布日： 2020-04-14 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：N型GaN层与有源层之间设置有材料为掺杂Si的AlGaN层的电流扩展层。该电流扩展层中的Al组分沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，电流扩展层的势垒逐渐升高，对进入有源层的电子起到一定的阻挡作用的同时，也便于电子进入电流扩展层，电流扩展层的势垒不会过高，起到有效扩展电流的同时而也不会影响进入有源层与空穴进行复合的电子数量与之结合的电流扩展层中Si元素的掺杂浓度沿电流扩展层的生长方向逐渐增加，保证电流得到有效扩展的同时，同时增加电流扩展层在靠近有源层的一侧的电子数量，可提高发光二极管的发光效率。
一种发光二极管外延及其制备方法

[发明专利]一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构-CN201410551529.2有效
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;卓祥景;姜伟;杨凯;蔡建九;白继锋;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-10-17 - 公布日： 2017-06-16 - 主分类号： H01L33/04 文献下载
摘要：本发明公开一种高浓度Te掺杂的发光二极管外延结构，在衬底上分别形成缓冲层、腐蚀阻挡层、粗化层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层及第二型电流扩展层；有源层一侧设置第一型电流扩展层，另一侧设置第二型电流扩展层；有源层与第一型电流扩展层设置第一型限制层，而有源层与第二型电流扩展层设置第二型限制层；第一型电流扩展层设置为n层结构，各层结构之间设置超晶格，且第一型电流扩展层掺杂Te。
一种浓度 te 掺杂发光二极管外延结构

[发明专利]一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法-CN201410433711.8在审
发明人：林志伟;陈凯轩;张永;杨凯;蔡建九;白继锋;卓祥景;姜伟;刘碧霞 -专利权人：厦门乾照光电股份有限公司
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2014-12-10 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明公开一种具有嵌入式扩展电极的红外发光二极管制作方法，在外延衬底上依次形成腐蚀截止层、粗化层、欧姆接触层、第一型电流扩展层、第一型限制层、有源层、第二型限制层、第二型电流扩展层；在第二型电流扩展层上蒸镀形成金属反射镜层；将金属反射层键合在基板上；去除外延衬底、腐蚀截止层，露出粗化层；在粗化层表面形成扩展电极图形的沟槽，沟槽深度至露出欧姆接触层；在沟槽内蒸镀金属材料形成扩展电极；在粗化层表面制作焊盘电极，且焊盘电极与扩展电极连接相通；在基板背面蒸镀背电极，去除焊盘电极、扩展电极的保护层，裂片后得到。本发明可以提高扩展电极的可靠性，且获得更好电流扩展效果，提高红外发光二极管的发光效率。
一种具有嵌入式扩展电极红外发光二极管制作方法

[发明专利]一种功率半导体器件及其制备方法-CN202310639333.8在审
发明人：史文华 -专利权人：清纯半导体（宁波）有限公司
申请日： 2023-05-31 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制备方法，功率半导体器件包括：位于漂移层背离半导体衬底层一侧表面的第一横向电流扩展层，第一横向电流扩展层的导电类型与漂移层的导电类型相同，第一横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度；位于第一横向电流扩展层背离漂移层一侧表面的器件层；器件层包括：若干横向间隔设置的有源掺杂区；位于有源掺杂区和部分第一横向电流扩展层之间的第二横向电流扩展层，第二横向电流扩展层未延伸至相邻有源掺杂区之间区域的下方，第二横向电流扩展层的导电类型与第一横向电流扩展层的导电类型相同，第二横向电流扩展层的掺杂浓度大于漂移层的掺杂浓度。
一种功率半导体器件及其制备方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN98124901.9无效
发明人：高桥健一郎 -专利权人：恩益禧电子股份有限公司
申请日： 1998-11-13 - 公布日： 2004-06-09 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：在一半导体器件中，在一基片中形成一源扩散层，并在基片中形成一扩展漏扩散层。在扩展漏扩散层中形成一漏扩散层。在扩展漏扩散层中漏扩散层的附近形成一反导电类型扩散层。反导电类型扩散层具有与扩展漏扩散层相反的导电类型。在基片上的漏扩散层与扩展漏扩散层之间形成一主栅区。在反导电类型扩散层和漏扩散层之间以及在扩展漏扩散层上形成次栅区。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]具有复合式双电流扩展层的氮化物发光二极管-CN201010616969.3有效
发明人：叶孟欣;吴志强;黄少华;周启伦;吕兴维;林科闯 -专利权人：厦门市三安光电科技有限公司
申请日： 2010-12-31 - 公布日： 2011-06-15 - 主分类号： H01L33/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有复合式双电流扩展层的氮化物发光二极管，复合式双电流扩展层是由第一电流扩展层、第二电流扩展层依次层叠构成的复合式半导体层；所述第一电流扩展层形成于n型氮化物半导体层的分布绝缘层，所述第二电流扩展层由u型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层交互叠层而成；复合式双电流扩展层分别与n型氮化物半导体层及活性层连接。氮化物发光二极管设有的复合式双电流扩展层内能将电流非常均匀扩展分布至整个发光面积，避免电流拥挤现象，因而可以有效提高氮化物发光二极管组件的发光效率，并且提高静电击穿电压。
具有复合电流扩展氮化物发光二极管

[实用新型]一种半导体发光元件-CN202123032410.9有效
发明人：徐胜娟;徐凯;张克旺;黄照明;蔡家豪 -专利权人：安徽三安光电有限公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本实用新型属于半导体领域，尤其涉及一种半导体发光元件，包括：衬底；依次层叠于所述衬底之上的第一半导体层、发光层、第二半导体层、透明导电层和第一绝缘层，以及第一电极和第二电极，第一电极包括第一焊盘和第一扩展部，且与第一半导体层连接；第二电极包括第二焊盘和第二扩展部，且与第二半导体层连接，第二扩展部形成于第一扩展部的上方，且第一扩展部与第二扩展部之间设置有第二绝缘层，第二扩展部包括主扩展部和与主扩展部连接的子扩展部，主扩展部与第一扩展部位于同一条垂直线上。本实用新型能减小扩展部对光线的遮挡和吸收，使得电流扩展更均匀，提升发光元件的亮度。
一种半导体发光元件

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